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公开(公告)号：CN119025021A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410529809.7
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , H01L27/02 , H01L23/552 , H10B80/00
Abstract: 提供了半导体存储器装置和半导体封装件。半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；第一I/O焊盘至第四I/O焊盘，其位于存储器单元阵列下方，并被配置为与外部装置连接；以及第一I/O驱动模块至第四I/O驱动模块，其位于存储器单元阵列与第一I/O焊盘至第四I/O焊盘之间，并被配置为分别驱动第一I/O焊盘至第四I/O焊盘。在平面图中，第一I/O驱动模块和第二I/O驱动模块关于在第一方向上延伸的第一线对称地设置，第三I/O驱动模块和第四I/O驱动模块关于第一线对称地设置，第一I/O驱动模块和第三I/O驱动模块关于在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二线对称地设置，并且第二I/O驱动模块和第四I/O驱动模块关于第二线对称地设置。
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公开(公告)号：CN108206033A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711074876.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/06
CPC classification number: H01L23/5225 , G11C7/06 , G11C7/1057 , G11C11/4087 , G11C11/4091 , G11C11/4097 , H01L23/50 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/20 , H01L2224/02331 , H01L2224/02373 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/04105 , H01L2224/06155 , H01L2224/06159 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , G11C5/063
Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN119069460A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410690593.2
申请日：2024-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , G01N27/00 , G11C11/34 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种存储器装置和一种检测存储器装置中的裂纹的方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列；第一焊盘，其被配置为从外部装置接收命令；第二焊盘，其被配置为与外部装置交换数据；第三焊盘；测试逻辑，其被配置为基于通过第一焊盘接收的测试命令来产生测试脉冲信号；以及裂纹检测结构，其形成在第三焊盘下方，并被配置为包括从测试逻辑串联连接到第二焊盘的线。基于当测试脉冲信号通过裂纹检测结构时改变的延迟脉冲信号的延迟来检测在第三焊盘中出现的裂纹。
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公开(公告)号：CN108206033B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201711074876.0
申请日：2017-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/06
Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。
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