公开(公告)号：CN103996681B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310351533.X

申请日：2013-08-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李载昊 ,  郑现钟 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.赛欧 ,  宋俔在 ,  许镇盛

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/792 ,  H01L29/47 ,  H01L29/788 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28 ,  H01L51/05 ,  G11C11/40 ,  G11C16/04 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938

摘要： 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。

公开(公告)号：CN103996681A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201310351533.X

申请日：2013-08-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李载昊 ,  郑现钟 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.赛欧 ,  宋俔在 ,  许镇盛

IPC分类号： H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/40 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/788 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/938

摘要： 一种使用石墨烯层作为电荷捕获层的石墨烯存储器和该石墨烯存储器的操作方法。该石墨烯存储器包括：导电的半导体基板；在基板上的彼此间隔开的源极和漏极；石墨烯层，接触基板并且在源极和漏极之间与源极和漏极间隔开；以及在石墨烯层上的栅电极。肖特基势垒形成在基板和石墨烯层之间使得石墨烯层用作储存电荷的电荷捕获层。