公开(公告)号：CN102859696B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201180020961.3

申请日：2011-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  渡边宽

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种反馈电容小、且开关损耗低的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板（20）；漂移层（21），形成于半导体基板（20）表面上；第1阱区域（41），在漂移层（21）表面形成了多个；源极区域（80），是形成于各第1阱区域（41）表面的区域，将由该区域和漂移层（21）夹住的各第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从沟道区域上到漂移层（21）上隔着栅极绝缘膜（30）形成；以及第2阱区域（43），在栅电极（50）下的漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各第1阱区域（41）的各个连接地形成。

公开(公告)号：CN102265404A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152025.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田修平 ,  渡边昭裕 ,  大塚健一 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置的构造，特征在于，以使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)不经由栅极绝缘膜(70)相向的方式，使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)经由厚度比栅极绝缘膜(70)厚的场氧化膜(30)而相向，或者在下部具有面积大的P阱区域(41)的栅极绝缘膜(70)的上部不设置栅电极(50)。

公开(公告)号：CN102334190B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980157510.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  油谷直毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L23/53209 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在第一导电类型的半导体基板的第一主面内的单元区域中在表层形成第二导电类型的第一阱。在第一阱内的表层形成第一导电类型的扩散区。在第一阱上形成第一栅极绝缘膜，其上形成第一栅电极。在单元区域的外周部中在第一主面的表层形成第二导电类型的第二阱。在第二阱上形成第二栅极绝缘膜，在其外周侧形成厚的场氧化膜。在栅极绝缘膜和场氧化膜上连续地形成与第一栅电极连接的第二栅电极。在第一、第二阱和扩散区中连接有第一电极。在半导体基板的第二主面形成有第二电极。以在单元区域的外周绕一周的方式在场氧化膜上形成与第二栅电极连接的栅极布线。栅极布线是对第二栅电极的构成物质进行硅化物化而成的。

公开(公告)号：CN102870217A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180016343.1

申请日：2011-02-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第2阱区域，被形成为包围漂移层的单元区域；以及源极焊盘，经由贯通第2阱区域上的栅极绝缘膜而设置的第1阱接触孔、贯通第2阱区域上的场绝缘膜而设置的第2阱接触孔、以及源极接触孔，而使第2阱区域彼此和单元区域的源极区域电连接。

公开(公告)号：CN101960606A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980108148.4

申请日：2009-03-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边昭裕 ,  中田修平 ,  大塚健一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/047 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种源·漏之间的耐压高、减小了ON时和OFF时的栅·漏之间电容之差的碳化硅MOSFET。设置有：在第1导电类型的碳化硅基板上设置的第1导电类型的碳化硅漂移层；在碳化硅漂移层的表层部中设置的呈现第2导电类型的一对基区；在一对所述基区的表层部的内侧设置的呈现第1导电类型的一对源区；以及在碳化硅基板与一对所述基区之间设置的半绝缘区域。

公开(公告)号：CN102947934B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080067692.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川彰彦 ,  香川泰宏 ,  三浦成久 ,  日野史郎 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  今泉昌之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/0485 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7815

Abstract: 在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。本发明的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。

公开(公告)号：CN102473723B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN200980160038.2

申请日：2009-07-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边昭裕 ,  中田修平 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 在高速地进行转换的功率用半导体装置中，由于转换时流过位移电流而产生高电压，有时如栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜的绝缘被破坏。本发明的半导体装置具备：第1导电型的半导体衬底(80)；形成于所述半导体衬底的第1主面的第1导电型的漂移层(70)；形成于所述漂移层的表层的一部分的第2导电型的第1阱区域(50)；在所述漂移层的表层的一部分处与所述第1阱区域隔开间隔地设置的从上面看到的面积比所述第1阱区域小的第2导电型的第2阱区域(51)；形成于所述第1阱区域的表层的杂质浓度比所述第1阱区域大的第1导电型的低电阻区域(55)；接触在所述第1阱区域的表面上而形成的栅极绝缘膜(32)；以及接触在所述栅极绝缘膜的表面上而形成的栅电极(21)。

公开(公告)号：CN102265404B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN200980152025.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田修平 ,  渡边昭裕 ,  大塚健一 ,  三浦成久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及功率用半导体装置的构造，特征在于，以使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)不经由栅极绝缘膜(70)相向的方式，使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)经由厚度比栅极绝缘膜(70)厚的场氧化膜(30)而相向，或者在下部具有面积大的P阱区域(41)的栅极绝缘膜(70)的上部不设置栅电极(50)。

公开(公告)号：CN102859696A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020961.3

申请日：2011-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  渡边宽

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种反馈电容小、且开关损耗低的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板（20）；漂移层（21），形成于半导体基板（20）表面上；第1阱区域（41），在漂移层（21）表面形成了多个；源极区域（80），是形成于各第1阱区域（41）表面的区域，将由该区域和漂移层（21）夹住的各第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从沟道区域上到漂移层（21）上隔着栅极绝缘膜（30）形成；以及第2阱区域（43），在栅电极（50）下的漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各第1阱区域（41）的各个连接地形成。

公开(公告)号：CN102334190A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200980157510.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  油谷直毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L23/53209 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在第一导电类型的半导体基板的第一主面内的单元区域中在表层形成第二导电类型的第一阱。在第一阱内的表层形成第一导电类型的扩散区。在第一阱上形成第一栅极绝缘膜，其上形成第一栅电极。在单元区域的外周部中在第一主面的表层形成第二导电类型的第二阱。在第二阱上形成第二栅极绝缘膜，在其外周侧形成厚的场氧化膜。在栅极绝缘膜和场氧化膜上连续地形成与第一栅电极连接的第二栅电极。在第一、第二阱和扩散区中连接有第一电极。在半导体基板的第二主面形成有第二电极。以在单元区域的外周绕一周的方式在场氧化膜上形成与第二栅电极连接的栅极布线。栅极布线是对第二栅电极的构成物质进行硅化物化而成的。