公开(公告)号：CN1577619A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410064300.2

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克已 ,  前田茂伸

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，配备具有多个存储器单元阵列、跨过所述多个存储器单元阵列的多个主字线、对应于所述多个存储器单元阵列的每一个配置的多个存储器单元阵列选择线的至少一个存储器单元阵列组，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述多个字线分别连接于分别设置在所述多个主字线和所述多个存储器单元阵列选择线的交叉部上的第一组合逻辑门的输出，所述第一组合逻辑门的输入连接于处于交叉状态的所述多个主字线之一与所述多个存储器单元阵列选择线之一。

公开(公告)号：CN1577617A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410064298.9

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克已 ,  前田茂伸

IPC: G11C11/16 ,  G11C7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，配备存储器单元阵列和电感，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述至少一个磁隧道结具有可变更磁化方向的软铁磁层，所述电感在沿着作为所述软铁磁层的易磁化方向的易磁化轴的方向上产生磁场。

公开(公告)号：CN1577618A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410064299.3

申请日：2001-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克已 ,  前田茂伸

IPC: G11C11/16 ,  G11C5/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，具有：至少一个半导体芯片、导体构成的容纳所述至少一个半导体芯片的屏蔽件、树脂构成的容纳所述屏蔽件的壳体、封闭所述壳体的开口来密封的底面基片、配置在所述底面基片的外侧主面上进行所述至少一个半导体芯片与外部的信号输送的信号输送用凸块、配置成围绕所述信号输送用凸块的电连接于所述屏蔽件的屏蔽用凸块，所述至少一个半导体芯片包括磁存储芯片，该芯片配设存储器单元阵列，该存储器单元阵列由含至少一个磁隧道结的多个存储器单元构成。