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公开(公告)号：CN1655361A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510052500.0
申请日：2001-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L21/76264 , H01L21/84 , H01L27/11 , H01L27/1112 , H01L27/1203 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , Y10S257/904
Abstract: 本发明的目的是得到能以良好的稳定性固定由部分隔离区进行了元件隔离的元件形成区中的体区的电位的SO1(绝缘体上的硅)结构的半导体装置。解决方法是在由部分氧化膜(31)进行了元件隔离的元件形成区中形成由源区(51)、漏区(61)和H栅电极(71)构成的MOS晶体管。在H栅电极(71)中，利用左右(图中上下)的“I”，导电性地隔离在源区(51)和漏区(61)上在栅宽W方向上邻接地形成的体区(13)与漏区(61)和源区(51)，中央的“－”起到原来的MOS晶体管的栅电极的功能。
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公开(公告)号：CN1213843A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98115981.8
申请日：1998-07-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供防止了来自衬底边缘部的尘粒的半导体衬底的处理方法和半导体衬底。对SOI衬底10的边缘部和下主面进行氧化形成氧化膜13。在该氧化工序中将在SOI衬底10的边缘部和下主面上露出的氧化膜11作为下敷氧化膜来使用,与LOCOS(硅的局部氧化)氧化同样地进行。因而,在SOI衬底10的边缘部和下主面上氧化膜13的厚度比氧化膜11厚。
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公开(公告)号：CN1182962A
公开(公告)日：1998-05-27
申请号：CN97109797.6
申请日：1997-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/11
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L29/78624 , H01L29/78639
Abstract: 提供一种能防止在具有连接导电类型不同的多晶硅层结构的薄膜晶体管中由于杂质扩散引起的不良后果的薄膜晶体管及其制造方法。用多晶硅在第2氧化膜4的表面上整体地形成漏极6、沟道7、源极8。漏极6通过到达衬垫层3(第2多晶半导体层)的上表面而形成的接触孔5连接在衬垫层3上。而且在位于接触孔5(开口部)的底部的衬垫层3上形成硼注入区BR。
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公开(公告)号：CN100401527C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN98104394.1
申请日：1998-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/76218 , H01L21/8234 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L27/11546
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，既解决阈值和扩散层漏泄电流的权衡关系，又不必分几次形成栅极氧化膜。因N型沟道MOS晶体管T41～T43的栅极4A～4C中的氮的剂量各不相同，故氮导入区N1～N3的的氮的浓度也各不相同，阈值要求越高，栅极中的氮的浓度越高，按照该顺序来构成。
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公开(公告)号：CN100370615C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510052500.0
申请日：2001-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L21/76264 , H01L21/84 , H01L27/11 , H01L27/1112 , H01L27/1203 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , Y10S257/904
Abstract: 本发明的目的是得到能以良好的稳定性固定由部分隔离区进行了元件隔离的元件形成区中的体区的电位的SOI(绝缘体上的硅)结构的半导体装置。解决方法是在由部分氧化膜(31)进行了元件隔离的元件形成区中形成由源区(51)，漏区(61)和H栅电极(71)构成的MOS晶体管。在H栅电极(71)中，利用左右(图中上下)的“I”，导电性地隔离在源区(51)和漏区(61)上在栅宽W方向上邻接地形成的体区(13)与漏区(61)和源区(51)，中央的“-”起到原来的MOS晶体管的栅电极的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1577618A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410064299.3
申请日：2001-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，具有：至少一个半导体芯片、导体构成的容纳所述至少一个半导体芯片的屏蔽件、树脂构成的容纳所述屏蔽件的壳体、封闭所述壳体的开口来密封的底面基片、配置在所述底面基片的外侧主面上进行所述至少一个半导体芯片与外部的信号输送的信号输送用凸块、配置成围绕所述信号输送用凸块的电连接于所述屏蔽件的屏蔽用凸块，所述至少一个半导体芯片包括磁存储芯片，该芯片配设存储器单元阵列，该存储器单元阵列由含至少一个磁隧道结的多个存储器单元构成。
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公开(公告)号：CN1118868C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN98105764.0
申请日：1998-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/765
Abstract: 以提供解决了由场屏蔽(FS)绝缘层引起的器件的工作特性和可靠性降低的半导体器件作为第1目的，以提供防止了起因于制造过程而发生的栅氧化膜的破损的半导体器件作为第2目的，以提供防止了起因于FS电极的材料质量而发生的与栅电极的短路的半导体器件作为第3目的。通过在FS电极(5)的上表面上形成FS上部氮化膜(15)，在制造工序中，即使在局部几乎除去FS上部氧化膜(41)的情况下，也可防止FS电极(5)的上表面露出。
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公开(公告)号：CN1232296A
公开(公告)日：1999-10-20
申请号：CN99101044.2
申请日：1999-01-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/12 , Y10S257/903
Abstract: 存储单元(1)具备n阱(2)和p阱(3)。字线(9c)在存储单元(1)延伸,将n阱(2)和p阱(3)配置在字线(9c)的延伸方向上。而且,相对于1个存储单元(1)设置1条字线(9c),字线(9c)由金属构成。
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公开(公告)号：CN1204146A
公开(公告)日：1999-01-06
申请号：CN98105764.0
申请日：1998-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/765
Abstract: 以提供解决了由FS绝缘层引起的器件的工作特性和可靠性降低的半导体器件作为第1目的,以提供防止了起因于制造过程而发生的栅氧化膜的破损的半导体器件作为第2目的,以提供防止了起因于FS电极的材料质量而发生的与栅电极的短路的半导体器件作为第3目的。通过在FS电极5的上表面上形成FS上部氮化膜15,在制造工序中,即使在局部几乎除去FS上部氧化膜41的情况下,也可防止FS电极5的上表面露出。
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公开(公告)号：CN1577617A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410064298.9
申请日：2001-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01025 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种磁存储装置，配备存储器单元阵列和电感，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述至少一个磁隧道结具有可变更磁化方向的软铁磁层，所述电感在沿着作为所述软铁磁层的易磁化方向的易磁化轴的方向上产生磁场。
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