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公开(公告)号：CN107910280B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201711160733.1
申请日：2017-11-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种建立全局调节模型进行优化快速热退火的方法，应用于退火时对晶圆的热补偿，其中，包括以下步骤：进行试验，收集、处理晶圆试验数据，确立全局调节模型；根据全局调节模型计算所需的温度补偿量，控制机台退火温度；有益效果：通过收集晶圆的阻值、膜厚等参数数据，通过自建的全局调节模型依据晶圆参数变化对晶圆进行热量补偿，保证晶圆不同区域受热一致，半导体器件的电性参数稳定。
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公开(公告)号：CN104465461A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410692985.9
申请日：2014-11-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/673 , H01L21/6732
摘要： 本发明涉及半导体技术制造领域，尤其涉及一种晶圆翻面器，由盒体、上底座、下底座、盒盖组成，且盒体的每个内侧面上水平方向上均设置有若干凹槽，便于容纳多片晶圆；在使用时，将晶圆置于相同高度的凹槽上，只要将晶圆翻面器的盒体进行上下翻转，即可实现晶圆的翻转；同时由于上、下底座构造相同，经过上下翻转的翻面器，仍可以适应各种晶圆加工设备。因此本发明的晶圆翻面器不仅结构简单，在保证晶圆洁净的同时，一定程度上降低了晶圆翻面器的制作成本。
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公开(公告)号：CN103972139A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410215824.0
申请日：2014-05-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/324
CPC分类号： H01L22/26
摘要： 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法，晶圆通过机械手臂上传到圆形托环上，并对其进行退火处理，退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量，并根据该测量的电阻值大小分布，计算机系统自动计算并判断托环的实际温度分布的中心点，根据该中心点，电机控制板控制机械手臂对下一片待尖峰退火的晶圆在托环上的目标位置进行自动修正，保证晶圆退火的均一性，避免晶圆上出现电阻值一边高一边低的情况；本发明能快速、准确的改善尖峰退火效果的均一性，以保证晶圆中掺杂元素的结深分布均匀性，并节省时间和人力。
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公开(公告)号：CN112614780A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011483367.5
申请日：2020-12-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种晶圆尖峰退火监控方法，所述监控方法具体包括如下步骤：将退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量，所述电阻测量方法为线性扫描，得出关于所述晶圆中心线对称的一组电阻值数据；将所述电阻值数据进行数据处理，所述数据处理方法为中心对称加和平均；根据所述处理后的数据绘制离散分布图，偏离点的位置即为退火不均匀点，以实现对所述晶圆退火的监控，所述偏离点为偏离所述离散分布图整体趋势的点；该监控方法旨在有效监控晶圆退火的均一性，并根据监控数据进行设备的调整。
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公开(公告)号：CN107910280A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711160733.1
申请日：2017-11-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种建立全局调节模型进行优化快速热退火的方法，应用于退火时对晶圆的热补偿，其中，包括以下步骤：进行试验，收集、处理晶圆试验数据，确立全局调节模型；根据全局调节模型计算所需的温度补偿量，控制机台退火温度；有益效果：通过收集晶圆的阻值、膜厚等参数数据，通过自建的全局调节模型依据晶圆参数变化对晶圆进行热量补偿，保证晶圆不同区域受热一致，半导体器件的电性参数稳定。
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公开(公告)号：CN103972139B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410215824.0
申请日：2014-05-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/324
摘要： 一种改善晶圆尖峰退火均一性的校准方法，晶圆通过机械手臂上传到圆形托环上，并对其进行退火处理，退火后的晶圆放置到电阻值测量装置上进行晶圆的电阻测量，并根据该测量的电阻值大小分布，计算机系统自动计算并判断托环的实际温度分布的中心点，根据该中心点，电机控制板控制机械手臂对下一片待尖峰退火的晶圆在托环上的目标位置进行自动修正，保证晶圆退火的均一性，避免晶圆上出现电阻值一边高一边低的情况；本发明能快速、准确的改善尖峰退火效果的均一性，以保证晶圆中掺杂元素的结深分布均匀性，并节省时间和人力。
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公开(公告)号：CN106128935A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610510479.2
申请日：2016-06-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： H01L21/02697 , H01L21/67248
摘要： 本发明提供了一种改善镍退火机台晶圆均一性的方法，包括：第一步骤：在硅片表面生长镍金属沉积物以制造镍金属控片；第二步骤：由待监控的退火机台对镍金属控片进行第一次退火；第三步骤：测量镍金属控片第一次退火后的电阻值以检验镍金属控片的相变程度；第四步骤：根据所述电阻值检验出的相变程度获取反馈值，并采用所述反馈值来优化退火机台的机台参数；第五步骤：在优化退火机台的机台参数之后，由待监控的退火机台对镍金属控片进行第二次退火，以得到最终的金属硅化物。
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公开(公告)号：CN103920994A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410161316.9
申请日：2014-04-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： B23K26/08 , H01L21/67 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/68771 , H01L21/68785
摘要： 本发明公开了一种激光脉冲退火设备和使用该设备的退火方法，通过在激光脉冲退火设备反应腔内设置一个可同时放置多个晶圆的圆盘，并在退火处理过程中使圆盘进行自转和直线移动，使圆盘上各晶圆放置凹槽内的晶圆在圆盘的连续自转和直线往复移动带动下，依次循环地经过激光照射点接受激光的均匀照射，实现对晶圆的批量退火处理。本发明在保证了与传统只能进行单片晶圆退火处理的激光脉冲退火设备一样的退火效果的同时，显著提高了退火效率，可以很好地与高端先进制程中对退火的品质和效率的工艺需求相适应。
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公开(公告)号：CN103920994B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410161316.9
申请日：2014-04-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： B23K26/08 , H01L21/67 , H01L21/268
摘要： 本发明公开了一种激光脉冲退火方法，通过在激光脉冲退火设备反应腔内设置一个可同时放置多个晶圆的圆盘，并在退火处理过程中使圆盘进行自转和直线移动，使圆盘上各晶圆放置凹槽内的晶圆在圆盘的连续自转和直线往复移动带动下，依次循环地经过激光照射点接受激光的均匀照射，实现对晶圆的批量退火处理。本发明在保证了与传统只能进行单片晶圆退火处理的激光脉冲退火设备一样的退火效果的同时，显著提高了退火效率，可以很好地与高端先进制程中对退火的品质和效率的工艺需求相适应。
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公开(公告)号：CN107275208B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710401289.1
申请日：2017-05-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种晶圆退火的热量补偿方法，在晶圆的栅极上形成侧墙，对于每个晶圆，测量所述侧墙的厚度，并根据所述侧墙厚度的变化ΔD时，在晶圆尖峰退火时，对晶圆进行温度补偿，补偿温度ΔT＝a×ΔD+b，其中a、b为侧墙厚度变化ΔD以及尖峰退火温度变化Δt对电性参数的影响系数。由于每个晶圆在制作时，其侧墙厚度并不一致，因此本发明针对每个晶圆侧墙厚度的变化，制定了温度补偿公式ΔT＝a×ΔD+b，从而针对不同的晶圆、不同的侧墙厚度，补偿不同的温度，从而保证不同的晶圆受热一致，使得该种工艺制作下来的半导体器件的电性参数稳定在一定范围内，方便后续的测试和应用。
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