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公开(公告)号：CN102104026B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200910201958.6
申请日：2009-12-18
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法，在形成有漏区和漂移区的硅衬底上形成栅极；接着进行体区光刻，在需要形成肖特基二极管的区域要用光刻胶做阻挡层，防止肖特基二极管的区域注入体区的离子；体区注入；源区光刻；源区注入；欧姆接触区光刻；欧姆接触区P型重掺杂离子注入；源极深槽接触孔光刻；刻蚀形成源极深槽接触孔；在源极深槽接触孔底部进行肖特基二极管掺杂离子注入；在所述源极深槽接触孔内填充金属形成源极深槽接触、在漏区中形成漏极。本发明能保证所制备的集成有肖特基二极管的功率MOS晶体管器件的性能稳定，同时能减少注入设备的损伤、从而降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103137474A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110394436.X
申请日：2011-12-02
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331
摘要： 本发明公开了一种以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，包括：第1步，选择区熔单晶硅的第一硅衬底和第二硅衬底，减薄第一硅衬底的厚度，在第二硅衬底的正面以离子注入和退火工艺形成n型重掺杂场阻断区。第2步，将第一硅衬底的背面和第二硅衬底的正面以键合工艺形成为一体。第3步，在第一硅衬底的正面制造IGBT器件的正面结构，直至淀积正面金属作为发射极。第4步，将第二硅衬底从背面减薄，然后淀积背面金属作为集电极。本发明以贴片方式制造IGBT器件的方法，无需进行厚度在70μm以下的极薄片的生产工艺，从而有效减少薄片工艺的碎片几率，并节约了购买新机台设备的巨大成本。
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公开(公告)号：CN102117751A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010027229.6
申请日：2010-01-06
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种小线宽沟槽DMOS的实现方法，包括如下步骤：(1)按照传统工艺形成多晶硅栅极；(2)Body注入、退火，形成Body区；(3)源区注入、退火，形成源区；(4)接触孔注入，并使用一块光刻板定义接触孔掺杂的区域，然后进行接触孔快速热处理；(5)生长层间膜，然后进行快速热处理；(6)刻蚀层间膜和硅，形成接触孔；(7)金属的形成，包括形成接触孔钨塞、金属淀积和金属刻蚀。本发明重点在于把接触孔注入从传统的接触孔刻蚀后移到层间膜成长前，并使用一块光刻板定义接触孔注入区域，从而解决了当线宽变小时，接触孔高掺杂的扩散影响沟道，进而影响阀值电压的问题，可以实现设计生产更小线宽的沟槽DMOS。
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公开(公告)号：CN102064130A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910201788.1
申请日：2009-11-12
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法，包括如下步骤：步骤1.在接触孔曝光后进行金属层间氧化物的干法刻蚀；步骤2.第一次接触孔刻蚀，为后续与金属的连接形成欧姆接触；步骤3.第一次接触孔离子注入；步骤4.第二次接触孔刻蚀，形成有轻微台阶的倒梯形结构；步骤5.湿法刻蚀回刻，将突出的金属层间氧化物的界面刻蚀回去，并略缩后于硅的界面；步骤6.干法刻蚀倒角，将所有台阶磨平；步骤7.第二次接触孔离子注入，对接触孔底部的离子注入形成肖特基接触，形成利于金属填充的圆角倒梯形的侧壁光滑的接触孔形貌。该方法使金属填充效果良好，从而提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103515436A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210216629.0
申请日：2012-06-27
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/15 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7839 , H01L29/0634 , H01L29/66007
摘要： 本发明公开了一种超级结功率器件，其N柱与P柱交替排列，另外，包括位于N柱上方的多晶硅栅电极和源极的形成，P阱的形成及包覆所述多晶硅栅电极的隔离介质层，贯穿P柱中的接触孔及位于顶端的金属填充物，其中，所述接触孔中填充有所述金属填充物，所述金属填充物与N型外延层接触形成肖特基接触，本发明于超级结深沟槽内挖深孔形成嵌入肖特基区域，能增加器件的反向恢复速度，增大器件集成度；本发明还公开了一种制造上述超级结功率器件的方法。
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公开(公告)号：CN101752295A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810044074.X
申请日：2008-12-09
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种功率MOS晶体管中接触孔隔离层的制备方法，在功率MOS管形成源区之后，包括如下步骤：1)淀积一层厚度在2500-4000埃之间的未掺杂玻璃；2)接着淀积硼磷玻璃，之后进行热处理使所述硼磷玻璃回流，再回刻所述硼磷玻璃至预定厚度；3)利用光刻工艺在所述硼磷玻璃上定义出接触孔的位置；4)湿法刻蚀所述接触孔位置处的硼磷玻璃；5)干法刻蚀硼磷玻璃、未掺杂玻璃以及预定厚度的硅衬底，形成接触孔。本发明的方法可用于高台阶和深槽接触孔同时存在的情况下。
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公开(公告)号：CN102064130B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910201788.1
申请日：2009-11-12
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法，包括如下步骤：步骤1.在接触孔曝光后进行金属层间氧化物的干法刻蚀；步骤2.第一次接触孔刻蚀，为后续与金属的连接形成欧姆接触；步骤3.第一次接触孔离子注入；步骤4.第二次接触孔刻蚀，形成有轻微台阶的倒梯形结构；步骤5.湿法刻蚀回刻，将突出的金属层间氧化物的界面刻蚀回去，并略缩后于硅的界面；步骤6.干法刻蚀倒角，将所有台阶磨平；步骤7.第二次接触孔离子注入，对接触孔底部的离子注入形成肖特基接触，形成利于金属填充的圆角倒梯形的侧壁光滑的接触孔形貌。该方法使金属填充效果良好，从而提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101740468B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810044011.4
申请日：2008-11-25
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/311 , H01L23/522
摘要： 本发明公开了一种深沟槽接触孔二次刻蚀方法，包括以下步骤：1、接触孔曝光；2、第一次深槽接触孔刻蚀；3、去胶，第二次深槽接触孔刻蚀；4、形成连接层；其中，第二次深槽接触孔刻蚀的气流量为3000—4000标准立方厘米，气流速度为150—200标准立方厘米/秒。本发明还公开了一种深沟槽二次刻蚀接触孔，接触孔上面宽下面窄，且接触孔侧面表面连续，不存在断裂。本发明方法形成比较光滑的瓶塞状，解决了金属填充的断层与空洞等问题。更改金属与硅之间连接层工艺，减小器件漏电，调节出满足性能要求的器件。
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公开(公告)号：CN103579320A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210271234.0
申请日：2012-07-31
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L29/49 , H01L29/423 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/28035 , H01L29/4238 , H01L29/4925
摘要： 本发明公开了一种沟槽型栅极，其是在传统的屏蔽栅处通过离子注入形成一个PN结，以获得更低的栅极电容，实现器件开关速度的提高和损耗的降低。本发明还公开了所述沟槽型栅极的制造方法。
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公开(公告)号：CN103137473A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110394424.7
申请日：2011-12-02
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，包括：第1步，选择具有外延层的硅衬底；在外延层的正面制造IGBT器件的正面结构，直至淀积正面金属作为发射极。第2步，将硅衬底从背面减薄，在该硅衬底的背面以离子注入工艺形成p型重掺杂集电区，然后在p型重掺杂集电区的背面淀积金属作为集电极。本发明以具有外延层的衬底制造IGBT器件的方法，无需进行厚度在70μm以下的极薄片的生产工艺，从而有效减少薄片工艺的碎片几率，并节约了购买新机台设备的巨大成本。
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