公开(公告)号：CN100505177C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200480014635.1

申请日：2004-05-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 陈立 ,  神原弘光 ,  岩间信浩 ,  梅克廓 ,  持木宏政 ,  萩原正明

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。

公开(公告)号：CN101160014A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710182349.1

申请日：2003-07-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山泽阳平 ,  岩田学 ,  舆水地盐 ,  樋口文彦 ,  清水昭贵 ,  山下朝夫 ,  岩间信浩 ,  东浦勉 ,  张东胜 ,  中谷理子 ,  村上范和

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。

公开(公告)号：CN1476057A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03146681.8

申请日：2003-07-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山泽阳平 ,  岩田学 ,  舆水地盐 ,  樋口文彦 ,  清水昭贵 ,  山下朝夫 ,  岩间信浩 ,  东浦勉 ,  张东胜 ,  中谷理子 ,  村上范和

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/321

摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。

公开(公告)号：CN1802732A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480014635.1

申请日：2004-05-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 陈立 ,  神原弘光 ,  岩间信浩 ,  梅克廓 ,  持木宏政 ,  萩原正明

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO2。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO2相对于Si和SiO2的刻蚀速率。

公开(公告)号：CN101160014B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200710182349.1

申请日：2003-07-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山泽阳平 ,  岩田学 ,  舆水地盐 ,  樋口文彦 ,  清水昭贵 ,  山下朝夫 ,  岩间信浩 ,  东浦勉 ,  张东胜 ,  中谷理子 ,  村上范和

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。

公开(公告)号：CN100355038C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03146681.8

申请日：2003-07-11

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山泽阳平 ,  岩田学 ,  舆水地盐 ,  樋口文彦 ,  清水昭贵 ,  山下朝夫 ,  岩间信浩 ,  东浦勉 ,  张东胜 ,  中谷理子 ,  村上范和

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/321

摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。

公开(公告)号：CN101044601A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580026456.4

申请日：2005-06-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 塚本雄二 ,  保罗·莫卢兹 ,  岩间信浩 ,  滨元新二

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23C14/50 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4586

摘要： 本发明提供了一种方法和系统，用于对衬底固定器上表面的温度分布进行迅速控制，以在该表面上得到具体的均匀温度分布或具体的非均匀温度分布。衬底固定器包括位于第一热区域中的第一流体通道，该通道采用具体流速和具体温度下的传热流体来控制衬底固定器表面第一热区域的温度分布。位于衬底固定器第二热区域中的第二流体通道采用具体流速和具体温度下的传热流体，并设置为对衬底固定器表面第二热区域的温度分布进行控制。