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公开(公告)号：CN104081502B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201380007751.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76838 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其对形成于衬底上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替层叠而形成的多层膜，以多层膜上的光致抗蚀剂层(PR)为掩模，利用等离子体进行蚀刻，将多层膜形成为阶梯形状，该半导体器件的制造方法反复进行如下工序：以光致抗蚀剂层为掩模对第一膜进行蚀刻的第一工序；将处理室内的压力设定为6～30Torr，对下部电极施加等离子体生成用的高频电力和偏置用的高频电力，利用由此生成的等离子体，对光致抗蚀剂层进行蚀刻的第二工序；以光致抗蚀剂层和第一膜为掩模对第二膜进行蚀刻的第三工序。
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公开(公告)号：CN104081502A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380007751.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H01L21/0273 , H01L21/308 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76838 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其对形成于衬底上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替层叠而形成的多层膜，以多层膜上的光致抗蚀剂层(PR)为掩模，利用等离子体进行蚀刻，将多层膜形成为阶梯形状，该半导体器件的制造方法反复进行如下工序：以光致抗蚀剂层为掩模对第一膜进行蚀刻的第一工序；将处理室内的压力设定为6～30Torr，对下部电极施加等离子体生成用的高频电力和偏置用的高频电力，利用由此生成的等离子体，对光致抗蚀剂层进行蚀刻的第二工序；以光致抗蚀剂层和第一膜为掩模对第二膜进行蚀刻的第三工序。
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公开(公告)号：CN102918633A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180027424.1
申请日：2011-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/768 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/541 , C23C14/542 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
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