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公开(公告)号：CN104051216A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410098636.4
申请日：2014-03-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 赵建平 , 岩俊彦 , 陈立 , 彼得·L·G·文泽克 , 梅里特·芬克
摘要： 本发明涉及微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆。等离子体调谐杆系统设有一个或多个微波腔，一个或多个微波腔被配置成在等离子体内和/或邻近等离子体处通过在一个或多个等离子体调谐杆中生成共振微波能量来将期望的电磁（EM）波模式的EM能量耦合至等离子体。一个或多个微波腔组件可以耦合至处理室，并可以包括一个或多个调谐空间/腔。每个调谐空间/腔可以具有耦合至调谐空间/腔的一个或多个等离子体调谐杆。等离子体调谐杆可以被配置成在处理室内将EM能量从共振腔耦合至处理空间，并由此在处理空间内产生均匀等离子体。
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公开(公告)号：CN104040679B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201280026144.3
申请日：2012-03-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L22/20 , H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/6708 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种处理晶圆的方法使用可以包括一个或更多个测量制程、一个或更多个离子能量控制IEC）蚀刻工序以及一个或更多个离子能量优化IEO）蚀刻制程的离子能量（IE）相关多层处理工序以及离子能量控制多输入/多输出（IEC-MIMO）模型和库。IEC-MIMO处理控制使用在多个层和/或多个IEC蚀刻工序之间的动态相互作用的行为建模。多个层和/或多个IEC蚀刻工序可以与可以使用IEO蚀刻制程来形成的线结构、沟槽结构、通孔结构、间隔结构、接触结构以及栅结构的形成相关联。
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公开(公告)号：CN100407215C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN03821970.0
申请日：2003-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G06F19/00
CPC分类号： G05B19/4184 , G05B19/41865 , G05B23/0259 , G05B23/0264 , G05B23/0267 , G05B2219/31186 , G05B2219/32126 , G05B2219/32128 , G05B2219/33148 , G05B2219/33225 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , H01L22/20 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/86
摘要： 本发明提供了一种包括图形用户接口(GUI)的高级过程控制(APC)系统用于监视和控制由半导体处理系统执行的半导体制造过程。该半导体处理系统包括多个处理工具、多个处理模块(室)和多个传感器，并且APC系统包括APC服务器、数据库、接口服务器、客户工作站和GUI组件。GUI是基于网络的并且用户能够通过网络浏览器进行查看。
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公开(公告)号：CN1675603A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819602.6
申请日：2003-08-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 梅里特·芬克
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： G05B15/02 , G05B19/41865 , G05B19/41875 , G05B23/0224 , G05B2219/32128 , G05B2219/33054 , G05B2219/33055 , G05B2219/35504 , G05B2219/36284 , G05B2219/42001 , Y02P90/14 , Y02P90/20 , Y02P90/22 , Y02P90/86
摘要： 一种用于在半导体处理环境中管理数据的方法。在处理期间采集原始数据。还接收跟踪文件数据和处理日志文件数据。将原始数据与跟踪文件数据和处理日志文件数据同步以创建晶片数据，从原始数据中计算汇总数据，并创建包含晶片数据和汇总数据的文件。
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公开(公告)号：CN102597305B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080049912.8
申请日：2010-08-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 李晨 , 赵剑平 , 罗纳德·V·布莱温尼克 , 梅里特·芬克
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/67005 , H01Q13/10
摘要： 一种表面波等离子(SWP，Surface Wave Plasma)源，该SWP源包括：电磁波发射器，其被配置为通过在邻近等离子的所述电磁波发射器的等离子表面上生成表面波，来以所需的电磁波模式将电磁能量耦合于等离子，其中，所述电磁波发射器包含具有多个槽(slot)的开槽天线(slot antenna)。该SWP源进一步包括：第一凹穴结构，其在所述等离子表面被形成，其中，所述第一凹穴结构与所述多个槽中的第一排槽基本对齐；第二凹穴结构，其在所述等离子表面被形成，其中，所述第二凹穴结构与所述多个槽中的第二排槽部分对齐或不与所述多个槽中的所述第二排槽对齐。
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公开(公告)号：CN100380262C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03819602.6
申请日：2003-08-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 梅里特·芬克
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： G05B15/02 , G05B19/41865 , G05B19/41875 , G05B23/0224 , G05B2219/32128 , G05B2219/33054 , G05B2219/33055 , G05B2219/35504 , G05B2219/36284 , G05B2219/42001 , Y02P90/14 , Y02P90/20 , Y02P90/22 , Y02P90/86
摘要： 一种用于在半导体处理环境中管理数据的方法。在处理期间采集原始数据。还接收跟踪文件数据和处理日志文件数据。将原始数据与跟踪文件数据和处理日志文件数据同步以创建晶片数据，从原始数据中计算汇总数据，并创建包含晶片数据和汇总数据的文件。
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公开(公告)号：CN104051216B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201410098636.4
申请日：2014-03-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 赵建平 , 岩俊彦 , 陈立 , 彼得·L·G·文泽克 , 梅里特·芬克
摘要： 本发明涉及微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆。等离子体调谐杆系统设有一个或多个微波腔，一个或多个微波腔被配置成在等离子体内和/或邻近等离子体处通过在一个或多个等离子体调谐杆中生成共振微波能量来将期望的电磁（EM）波模式的EM能量耦合至等离子体。一个或多个微波腔组件可以耦合至处理室，并可以包括一个或多个调谐空间/腔。每个调谐空间/腔可以具有耦合至调谐空间/腔的一个或多个等离子体调谐杆。等离子体调谐杆可以被配置成在处理室内将EM能量从共振腔耦合至处理空间，并由此在处理空间内产生均匀等离子体。
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公开(公告)号：CN104040679A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280026144.3
申请日：2012-03-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L22/20 , H01J37/32082 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/6708 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种处理晶圆的方法使用可以包括一个或更多个测量制程、一个或更多个离子能量控制（IEC）蚀刻工序以及一个或更多个离子能量优化（IEO）蚀刻制程的离子能量（IE）相关多层处理工序以及离子能量控制多输入/多输出（IEC-MIMO）模型和库。IEC-MIMO处理控制使用在多个层和/或多个IEC蚀刻工序之间的动态相互作用的行为建模。多个层和/或多个IEC蚀刻工序可以与可以使用IEO蚀刻制程来形成的线结构、沟槽结构、通孔结构、间隔结构、接触结构以及栅结构的形成相关联。
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公开(公告)号：CN102597305A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049912.8
申请日：2010-08-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 李晨 , 赵剑平 , 罗纳德·V·布莱温尼克 , 梅里特·芬克
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/67005 , H01Q13/10
摘要： 一种表面波等离子(SWP，Surface Wave Plasma)源，该SWP源包括：电磁波发射器，其被配置为通过在邻近等离子的所述电磁波发射器的等离子表面上生成表面波，来以所需的电磁波模式将电磁能量耦合于等离子，其中，所述电磁波发射器包含具有多个槽(slot)的开槽天线(slot antenna)。该SWP源进一步包括：第一凹穴结构，其在所述等离子表面被形成，其中，所述第一凹穴结构与所述多个槽中的第一排槽基本对齐；第二凹穴结构，其在所述等离子表面被形成，其中，所述第二凹穴结构与所述多个槽中的第二排槽部分对齐或不与所述多个槽中的所述第二排槽对齐。
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公开(公告)号：CN1682165A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821970.0
申请日：2003-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： G05B19/4184 , G05B19/41865 , G05B23/0259 , G05B23/0264 , G05B23/0267 , G05B2219/31186 , G05B2219/32126 , G05B2219/32128 , G05B2219/33148 , G05B2219/33225 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , H01L22/20 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/86
摘要： 本发明提供了一种包括图形用户接口(GUI)的高级过程控制(APC)系统用于监视和控制由半导体处理系统执行的半导体制造过程。该半导体处理系统包括多个处理工具、多个处理模块(室)和多个传感器，并且APC系统包括APC服务器、数据库、接口服务器、客户工作站和GUI组件。GUI是基于网络的并且用户能够通过网络浏览器进行查看。
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