基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统

    公开(公告)号:CN105206526B

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201510350188.7

    申请日:2015-06-23

    Abstract: 本发明提供一种能够在抑制对基板造成的影响的同时在常压气氛下将形成在基板的表面上的被处理膜的一部分去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。将会因在含氧气氛下照射紫外线而分解的被处理膜的原料涂敷在基板(W)上,对涂敷在基板(W)上的原料进行加热而形成被处理膜。接着,将形成有被处理膜的基板(W)配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧气氛的处理室(61)内并对该基板(W)照射紫外线而将被处理膜的一部分去除。

    基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质

    公开(公告)号:CN102044411A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN201010508961.5

    申请日:2010-10-12

    CPC classification number: H01L21/67103 H01L21/68735

    Abstract: 本发明提供基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质。该基板冷却装置能够均匀性较高地冷却基板。基板冷却装置包括:载置台,其包括用于载置基板的载置面;突起,其设置于上述载置面,用于支承上述基板的背面;制冷剂流路,其为了冷却上述载置面而设置于上述载置台,供制冷剂流通;气体喷出口,其在上述载置面的周缘部沿着周向设有多个,喷出用于冷却基板的冷却气体;气体吸引口,其设置在上述载置面的中央部,用于吸引上述冷却气体;槽,其设置于上述载置面,用于使冷却气体朝向基板的周向扩散。通过这种结构,能够均匀性较高地对载置于上述载置面的基板进行冷却。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN103247554B

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201310049087.7

    申请日:2013-02-07

    Inventor: 金田正利

    Abstract: 本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法,在对晶圆(W)照射紫外线而进行处理时,能够延长紫外线照射部的光源的更换周期,并且抑制生产率的降低。基板处理装置包括液体处理组件和紫外线照射组件,将晶圆(W)分配交接至用于进行彼此相同的一系列处理的多个单位模块。在一个单位模块的紫外线照射组件的照度检测值成为设定值以下之后使用其它的单位模块,并将上述紫外线照射组件的照射时间调整为与照度检测值相应的长度而对已经交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行照射,之后更换照射组件的光源。在一个单位模块的照射用光源的使用时间达到设定时间时,停止向该单位模块交接晶圆(W),对已交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行通常的照射处理。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN103247554A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201310049087.7

    申请日:2013-02-07

    Inventor: 金田正利

    Abstract: 本发明涉及基板处理装置以及基板处理方法,在对晶圆(W)照射紫外线而进行处理时,能够延长紫外线照射部的光源的更换周期,并且抑制生产率的降低。基板处理装置包括液体处理组件和紫外线照射组件,将晶圆(W)分配交接至用于进行彼此相同的一系列处理的多个单位模块。在一个单位模块的紫外线照射组件的照度检测值成为设定值以下之后使用其它的单位模块,并将上述紫外线照射组件的照射时间调整为与照度检测值相应的长度而对已经交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行照射,之后更换照射组件的光源。在一个单位模块的照射用光源的使用时间达到设定时间时,停止向该单位模块交接晶圆(W),对已交接到上述一个单位模块的晶圆(W)进行通常的照射处理。

    基板输送系统以及基板处理系统
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118919467A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410954969.6

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 本发明涉及基板输送系统以及基板处理系统。输送装置保持被薄板化的基板,并且沿着输送所述基板的输送路径移动,其中,该输送装置具有:抓持部,其用于抓持借助带安装有所述基板的框架;引导部,其与所述抓持部一同沿着所述输送路径移动,载置由所述抓持部抓持的所述框架;以及移动机构部,其通过使所述抓持部相对于所述引导部移动,使由所述抓持部抓持的所述框架沿着所述引导部移动。

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