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公开(公告)号：CN101032000A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580033351.1
申请日：2005-09-21
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/16 , H01L21/28079 , H01L21/28247 , H01L21/76843 , H01L21/7685 , H01L21/76856 , H01L29/517
摘要： 本发明提供了一种形成钝化金属层的方法，所述钝化金属层可以在随后暴露于含氧环境时保持下方金属层的性质和形貌。所述方法包括：在处理室(1)中提供衬底(50、302、403、510)；将所述衬底(50、302、403、510)暴露于包含铼－羰基前驱体的处理气体，以在化学气相沉积工艺中将铼金属层(304、408、508)沉积在所述衬底(50、302、403、510)上；在所述铼金属层(304、408、508)上形成钝化层(414、590)，从而抑制所述铼金属表面上含铼结粒(306)的氧致生长。
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公开(公告)号：CN1938450A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010029.7
申请日：2005-02-15
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4581 , C23C16/16
摘要： 本发明涉及在处理室(10)中的陶瓷衬底加热器(20，600，700)上处理衬底(25，620，720)的方法。所述方法包括：在所述处理室(10)中的所述陶瓷衬底加热器(20，600，700)上形成保护涂层(730，790)，并在所述经涂敷的衬底加热器上处理衬底(25，620，720)。所述方法可以包括将待处理的衬底(25，620，720)提供到所述经涂敷的陶瓷衬底加热器上，通过将所述衬底(25，620，720)暴露于处理气体中对所述衬底(25，620，720)进行处理，并将所述经处理的衬底从所述处理室(10)中取出。
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公开(公告)号：CN100481334C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580033351.1
申请日：2005-09-21
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , C23C16/56
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/16 , H01L21/28079 , H01L21/28247 , H01L21/76843 , H01L21/7685 , H01L21/76856 , H01L29/517
摘要： 本发明提供了一种形成钝化金属层的方法，所述钝化金属层可以在随后暴露于含氧环境时保持下方金属层的性质和形貌。所述方法包括：在处理室(1)中提供衬底(50、302、403、510)；将所述衬底(50、302、403、510)暴露于包含铼-羰基前驱体的处理气体，以在化学气相沉积工艺中将铼金属层(304、408、508)沉积在所述衬底(50、302、403、510)上；在所述铼金属层(304、408、508)上形成钝化层(414、590)，从而抑制所述铼金属表面上含铼结粒(306)的氧致生长。
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公开(公告)号：CN100557075C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200580010029.7
申请日：2005-02-15
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4581 , C23C16/16
摘要： 本发明涉及在处理室(10)中的陶瓷衬底加热器(20，600，700)上处理衬底(25，620，720)的方法。所述方法包括：在所述处理室(10)中的所述陶瓷衬底加热器(20，600，700)上形成保护涂层(730，790)，并在所述经涂敷的衬底加热器上处理衬底(25，620，720)。所述方法可以包括将待处理的衬底(25，620，720)提供到所述经涂敷的陶瓷衬底加热器上，通过将所述衬底(25，620，720)暴露于处理气体中对所述衬底(25，620，720)进行处理，并将所述经处理的衬底从所述处理室(10)中取出。
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公开(公告)号：CN101128620A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200680006297.6
申请日：2006-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/46 , C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/34 , C23C16/45531 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： 本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜。上述第一气体供给工序和第二气体供给工序交替进行，在第一气体供给工序中和第二气体供给工序中，上述被处理体的温度维持在上述高熔点金属有机原料的分解开始温度以上的温度。
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公开(公告)号：CN1717791A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104440.1
申请日：2003-11-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
摘要： 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。
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公开(公告)号：CN1717791B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200380104440.1
申请日：2003-11-14
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
摘要： 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。
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公开(公告)号：CN101128620B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200680006297.6
申请日：2006-07-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/46 , C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/34 , C23C16/45531 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： 本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜。上述第一气体供给工序和第二气体供给工序交替进行，在第一气体供给工序中和第二气体供给工序中，上述被处理体的温度维持在上述高熔点金属有机原料的分解开始温度以上的温度。
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公开(公告)号：CN101273154A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035493.6
申请日：2006-07-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/304
CPC分类号： C23C16/0227 , C23C16/16 , C23C16/34 , C23C16/4405
摘要： 本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。
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公开(公告)号：CN101473418A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022995.X
申请日：2007-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/28097 , H01L21/28556 , H01L29/4975 , H01L29/517
摘要： 在将基板配置在处理容器内，向上述处理容器导入具有Ta＝N键的有机Ta化合物气体、含Si气体和含N气体，通过CVD形成TaSiN膜时，通过控制处理容器内含Si气体的分压、处理容器内的总压、成膜温度和含N气体分压中的至少一个，控制膜中Si的浓度。特别是使用SiH4气体作为含Si气体时，在规定的工艺条件下，利用所希望的膜中Si浓度能够表现为SiH4气体分压对数的一次函数，决定SiH4气体的分压。
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