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公开(公告)号：CN1146988C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN98117071.4
申请日：1998-12-07
申请人： 东芝株式会社
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 一种半导体功率器件的封装，包括导电底板；安装在底板上的绝缘基板；形成在绝缘基板上的露出绝缘基板周边区域的铜薄膜；半导体芯片安装在铜薄膜上；排列在底板上的环绕绝缘基板的容器；通过容器支撑的并与半导体芯片电连接的外部端子；填充在容器中的硅酮胶。在导电薄膜外侧边缘区和绝缘基板周边区上设置固化绝缘材料，降低截面上的电场并使之难以引起蠕变放电。在底板上形成凹槽，槽中填入高热导率树脂，可防止蠕变击穿。
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公开(公告)号：CN1201357C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN00134743.8
申请日：2000-12-01
申请人： 东芝株式会社
IPC分类号： H01H33/66
CPC分类号： H02B1/56 , H01H11/0031 , H01H31/003 , H01H33/027 , H01H33/66 , H01H2009/523 , H01H2033/566 , H01H2033/6613 , H01H2033/6623 , H02B13/01 , H02B13/0354
摘要： 通过将具有不同功能的多个真空阀(7)、(13)与输入部(3)·输出部(21)一起整个用树脂层(23)一次处理并作成一体注塑的开关机构(1)，能在不采用SF6气体的情况下提高绝缘耐力，实现整个形状的缩小化及零件数量和注塑工序的减少化。
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公开(公告)号：CN1305208A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00134743.8
申请日：2000-12-01
申请人： 东芝株式会社
IPC分类号： H01H33/66
CPC分类号： H02B1/56 , H01H11/0031 , H01H31/003 , H01H33/027 , H01H33/66 , H01H2009/523 , H01H2033/566 , H01H2033/6613 , H01H2033/6623 , H02B13/01 , H02B13/0354
摘要： 通过将具有不同功能的多个真空阀(7)、(13)与输入部(3)·输出部(21)一起整个用树脂层(23)一次处理并作成一体注塑的开关机构(1),能在不采用SF6气体的情况下提高绝缘耐力,实现整个形状的缩小化及零件数量和注塑工序的减少化。
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公开(公告)号：CN1219767A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98117071.4
申请日：1998-12-07
申请人： 东芝株式会社
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： 一种半导体功率器件的封装,包括导电底板;安装在底板上的绝缘基板;形成在绝缘基板上的露出绝缘基板周边区域的铜薄膜;半导体芯片安装在铜薄膜上;排列在底板上的环绕绝缘基板的容器;通过容器支撑的并与半导体芯片电连接的外部端子;填充在容器中的硅酮胶。在导电薄膜外侧边缘区和绝缘基板周边区上设置固化绝缘材料,降低截面上的电场并使之难以引起蠕变放电。在底板上形成凹槽,槽中填入高热导率树脂,可防止蠕变击穿。
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