硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113457656A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110708488.3

    申请日:2021-06-25

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明公开了硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶、制备方法和应用,属于无机纳米材料及纳米酶光催化技术领域。一种硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶,是利用气相沉积法使二次造粒的三氧化钼和硒粉反应并在葡萄糖包覆的氯化钠晶体粉末上原位合成的,其中硒化钼的厚度为2‑10个原子层,多孔碳的孔径为2‑20 nm。本发明硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶具有较高的光催化活性,尤其有较强的催化邻苯二胺、3,3',5,5'‑四甲基联苯胺、2,2'‑联氮双(3‑乙基苯并噻唑啉‑6‑磺酸)二铵盐等底物的性能,制备工艺简单、易操作、成本低。

    一种甲基吡唑的纯度分析方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115718149A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211386812.5

    申请日:2022-11-07

    IPC分类号: G01N30/02 G01N30/06 G01N30/86

    摘要: 本发明公开了一种甲基吡唑的纯度分析方法,属于化学物质检测技术领域。甲基吡唑在军用和民用工业中都有很广泛的应用,且是1‑甲基‑3,4,5‑三硝基吡唑(MTNP)的主要原料,但目前为止尚未建立其纯度分析方法。通过探究甲基吡唑及主要杂质碳酸二甲酯的气相色谱分离体系,建立了甲基吡唑的纯度分析方法,得出了最佳的测试条件:SE‑54毛细色谱柱(50m×0.25mm×0.25μm)固定相为:5%苯基,95%二甲基聚硅氧烷,气化室温度220℃,检测器温度220℃,柱温90℃,载气压为0.14MPa,进样量1uL,各物质分离度均大于1.5。采用内标法进行定量分析,测得内标标准曲线,线性相关系数均大于0.999,加标回收率在96.3%~99%之间,RSD均不大于0.5,具有良好的准确度和精密度。

    硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113457656B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202110708488.3

    申请日:2021-06-25

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明公开了硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶、制备方法和应用,属于无机纳米材料及纳米酶光催化技术领域。一种硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶,是利用气相沉积法使二次造粒的三氧化钼和硒粉反应并在葡萄糖包覆的氯化钠晶体粉末上原位合成的,其中硒化钼的厚度为2‑10个原子层,多孔碳的孔径为2‑20 nm。本发明硒化钼/多孔碳复合结构光调控纳米酶具有较高的光催化活性,尤其有较强的催化邻苯二胺、3,3',5,5'‑四甲基联苯胺、2,2'‑联氮双(3‑乙基苯并噻唑啉‑6‑磺酸)二铵盐等底物的性能,制备工艺简单、易操作、成本低。

    一种低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110344023B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN201910728337.7

    申请日:2019-08-08

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: C23C16/30

    摘要: 本发明涉及一种低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜的制备方法,目的是提供一种采用SiO2/Si衬底,一步合成高覆盖率、尺寸均一的单层WS2薄膜,本发明的技术方案包括以下步骤:将WO3粉末压制成WO3粉末薄片;清洗SiO2/Si衬底;称取硫粉;将清洗后的SiO2/Si衬底放入长方体耐高温玻璃坩埚正中央,再将WO3粉末薄片放置在SiO2/Si衬底正上方;将硫粉和制得的钨源样品放入CVD炉中,进行反应,即制得低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜。本发明在低压低温条件下,一步生成尺寸均一、高覆盖率的、长度为10‑50um的单层WS2薄膜,制备方法简单、反应时间短、人工成本低、产品纯度高,解决了单层WS2薄膜制备领域的技术难题。

    一种低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110344023A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910728337.7

    申请日:2019-08-08

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: C23C16/30

    摘要: 本发明涉及一种低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜的制备方法,目的是提供一种采用SiO2/Si衬底,一步合成高覆盖率、尺寸均一的单层WS2薄膜,本发明的技术方案包括以下步骤:将WO3粉末压制成WO3粉末薄片;清洗SiO2/Si衬底;称取硫粉;将清洗后的SiO2/Si衬底放入长方体耐高温玻璃坩埚正中央,再将WO3粉末薄片放置在SiO2/Si衬底正上方;将硫粉和制得的钨源样品放入CVD炉中,进行反应,即制得低温低压气相沉积高覆盖率的单层WS2薄膜。本发明在低压低温条件下,一步生成尺寸均一、高覆盖率的、长度为10-50um的单层WS2薄膜,制备方法简单、反应时间短、人工成本低、产品纯度高,解决了单层WS2薄膜制备领域的技术难题。