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公开(公告)号：CN118692907A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411164700.4
申请日：2024-08-22
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 , 中微半导体(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种基片的刻蚀方法及其存储介质和电子设备，该基片的刻蚀方法包含：多次重复执行的处理周期，处理周期包括刻蚀阶段和沉积阶段；刻蚀阶段中，向腔内通入刻蚀气体，并通过一源射频电源向腔内提供源射频电压，以产生等离子体对基片进行刻蚀形成凹陷结构；沉积阶段中，向腔内通入沉积气体和开口气体，并通过源射频电源和一偏置电源向腔内分别提供源射频电压和偏置电压，沉积气体在源射频电源的作用下产生等离子体并在凹陷结构的侧壁和底壁上沉积保护层，开口气体产生的等离子体在偏置电源的作用下用于消除凹陷结构的底壁上的保护层。其优点是：该方法在沉积阶段中只在凹陷结构的侧壁上沉积保护层，节省了工艺步骤，有助于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN111524780B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910107649.6
申请日：2019-02-02
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于超深宽比刻蚀的等离子反应器及其刻蚀方法，包括：反应腔，所述反应腔内形成反应空间；反应空间底部包括一个基座，用于支撑处理基片；反应腔内顶部包括一气体喷淋头；第一射频电源输出具有第一频率的射频功率到基座或气体喷淋头，以形成并维持反应腔内的等离子体；第二射频电源输出具有第二频率的射频功率到基座，以控制入射到基片的离子能量；所述第一频率大于等于4MHz，第二频率大于等于10KHz小于等于300KHz。
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公开(公告)号：CN117153653A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210571753.2
申请日：2022-05-24
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 一种等离子体处理设备及其升降环结构，升降环结构设置在等离子体处理设备的反应腔中，通过将升降环结构射频接地，使射频场能够到达升降环结构表面，有效提高了等离子体对升降环结构表面的轰击频次，降低了聚合物在升降环结构表面沉积的概率，同时提高了干法清腔过程的清腔效率，减少了聚合物沉积。升降环结构射频接地还提高了射频接地组件和下电极的面积比，大大增加了同等功率条件下晶圆表面的鞘层电压，提高了刻蚀速率。升降环结构中设置加热器，使升降环结构具备可控加热的能力，可以很大程度地降低聚合物在升降环结构表面的沉积概率，避免聚合物剥落造成的工艺缺陷，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN114420524B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202011174872.1
申请日：2020-10-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 一种等离子体处理装置，以及用于该等离子体处理装置的气流调节装置和气流调节方法，等离子体处理装置包含一连接进气装置和排气装置的真空反应腔，真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，基座上方为等离子体区域，环绕基座外围设置一具有气体通道的等离子体约束环，在等离子体约束环下方的排气区域内增设一具有气体通道的气流调节装置，通过调节气流调节装置上的气体通道的开度大小，实现对排气区域内的气流分布的调节，从而实现基座上方等离子体区域的气流均匀分布。本发明实现了等离子体区域的气流均匀分布，保证了刻蚀均匀性，确保了产品良率，同时降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN114420524A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202011174872.1
申请日：2020-10-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 一种等离子体处理装置，以及用于该等离子体处理装置的气流调节装置和气流调节方法，等离子体处理装置包含一连接进气装置和排气装置的真空反应腔，真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座，基座上方为等离子体区域，环绕基座外围设置一具有气体通道的等离子体约束环，在等离子体约束环下方的排气区域内增设一具有气体通道的气流调节装置，通过调节气流调节装置上的气体通道的开度大小，实现对排气区域内的气流分布的调节，从而实现基座上方等离子体区域的气流均匀分布。本发明实现了等离子体区域的气流均匀分布，保证了刻蚀均匀性，确保了产品良率，同时降低了设备成本。
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公开(公告)号：CN114188204B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010959556.9
申请日：2020-09-14
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理方法，包括：通过用户端设置针对处理工艺中的多个步骤的外部调频算法以及需调用的内部调频算法；在射频发生器的存储器中存储多组内部调频算法；以及在工艺处理中，运行所述外部调频算法并且同时在至少两个所述步骤中调用不同的所述内部调频算法，以使得射频发生器的频率匹配在不同步骤中的反应腔的阻抗。本发明还公开了一种用于等离子体处理装置的射频发生器以及等离子处理装置。
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公开(公告)号：CN112863983A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911191612.2
申请日：2019-11-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备，在下电极组件的射频高压导体部件和地之间串联一个射频电阻结构，其一端与射频高压导体部件连接，另一端接地，射频电阻结构的直流电阻小于等于100MΩ，射频阻抗大于等于100KΩ。本发明通过在射频高压部件和接地之间增加射频电阻结构，尽管所述绝缘液体在流动过程中产生静电，但是所述射频电阻结构的射频阻抗较大，使得射频难以通过射频电阻结构接地，同时，所述射频电阻结构的直流电阻较小，使得所产生的静电能够通过射频电阻导入地，因此，有利于防止所述静电累积造成的高压击穿损伤。
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公开(公告)号：CN111524780A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910107649.6
申请日：2019-02-02
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于超深宽比刻蚀的等离子反应器及其刻蚀方法，包括：反应腔，所述反应腔内形成反应空间；反应空间底部包括一个基座，用于支撑处理基片；反应腔内顶部包括一气体喷淋头；第一射频电源输出具有第一频率的射频功率到基座或气体喷淋头，以形成并维持反应腔内的等离子体；第二射频电源输出具有第二频率的射频功率到基座，以控制入射到基片的离子能量；所述第一频率大于等于4MHz，第二频率大于等于10KHz小于等于300KHz。
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公开(公告)号：CN113053775B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201911377075.0
申请日：2019-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，公开了晶圆温度控制器、晶圆温度控制系统、晶圆温度控制方法和等离子体处理装置。其中，晶圆温度控制系统包括：基座，用于承载一静电卡盘，所述基座内部设置至少两个可独立控温的第一冷却区域；静电卡盘，包括用于承载晶圆的承载面，所述承载面上设置至少两个可独立控温的第二气体冷却区域；所述第一冷却区域和所述第二气体冷却区域在垂直于静电卡盘表面的方向上不完全重合。本发明能够实现晶圆温度分布均匀的效果。
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公开(公告)号：CN117810077A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211197076.9
申请日：2022-09-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H10B41/35 , H10B41/20 , H10B43/35 , H10B43/20 , C09K13/00 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种基片的刻蚀方法及其半导体器件，该方法包含如下步骤：将基片传送至处理室中；向处理室中通入刻蚀气体和钝化气体，刻蚀气体包括一种或多种含碳的氟化气体以在基片上刻蚀出凹陷结构；钝化气体包括第一钝化气体和第二钝化气体，用于在凹陷结构的侧壁上形成刻蚀保护区，第一钝化气体包括卤素单质和/或卤化氢气体，所述第二钝化气体包括气化的重金属掺杂剂；在处理过程中，第二钝化气体的气体总量小于第一钝化气体的气体总量。其优点是：该方法通过含氟自由基可实现对基片的有效快速刻蚀，通过含碳自由基协同钝化气体在凹陷结构侧壁上形成刻蚀保护区，以避免刻蚀气体造成凹陷结构侧壁的差异化扩展，进一步保证凹陷结构侧壁的平整性。
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