公开(公告)号：CN107017255B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201611054323.4

申请日：2016-11-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 长里喜隆 ,  富田英幹 ,  兼近将一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，其具备导电性基板和氮化物半导体层。氮化物半导体层存在于导电性基板之上。氮化物半导体层包括横向型的第一晶体管结构和横向型的第二晶体管结构。导电性基板包括第一电位控制区和第二电位控制区，第二电位控制区能够相对于第一电位控制区而独立地进行电位控制。在对氮化物半导体层进行俯视观察时，第一晶体管结构与第一电位控制区重叠，并且第二晶体管结构与第二电位控制区重叠。

公开(公告)号：CN105593979A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053831.3

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  桑原诚 ,  上田博之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7788

Abstract: 半导体装置具备：第一化合物半导体层；第二化合物半导体层，其与第一化合物半导体层相比带隙较大；p型的第三化合物半导体层，其被设置在第二化合物半导体层上的一部分处；p型的第四化合物半导体层，其被设置在第三化合物半导体层上，并且与第三化合物半导体层相比为高电阻；栅电极，其被设置在第四化合物半导体层上。

公开(公告)号：CN110828572A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910724248.5

申请日：2019-08-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  森朋彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/207 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。需要抑制漂移区域、JFET区域、以及主体区域这3个区域相接的部分中的绝缘破坏的技术。半导体装置具备半导体层、设置于半导体层的一方的主面上的源电极、设置于半导体层的另一方的主面上的漏电极、以及绝缘栅部，半导体层具有：第1导电类型的漂移区域；第1导电类型的JFET区域，设置于漂移区域上；第2导电类型的主体区域，设置于漂移区域上且与JFET区域邻接；以及第1导电类型的源区域，通过主体区域从JFET区域隔开，绝缘栅部和隔开JFET区域与源区域的部分的主体区域相向，在半导体层内形成有空隙，漂移区域、JFET区域、以及主体区域在空隙露出。

公开(公告)号：CN107017255A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611054323.4

申请日：2016-11-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 长里喜隆 ,  富田英幹 ,  兼近将一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，其具备导电性基板和氮化物半导体层。氮化物半导体层存在于导电性基板之上。氮化物半导体层包括横向型的第一晶体管结构和横向型的第二晶体管结构。导电性基板包括第一电位控制区和第二电位控制区，第二电位控制区能够相对于第一电位控制区而独立地进行电位控制。在对氮化物半导体层进行俯视观察时，第一晶体管结构与第一电位控制区重叠，并且第二晶体管结构与第二电位控制区重叠。

公开(公告)号：CN105789297B

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201610021314.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  上田博之

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在利用GaN的电子传输层与AlGaN等的电子供给层的异质结的半导体装置中，虽然能够通过在电子供给层与栅电极之间形成p型层而成为常闭，但在局部的范围内形成p型层时电子供给层的表面粗糙，从而电阻较高。使在对在源极电极与p型层之间露出的电子供给层的表面和在漏极电极与p型层之间露出的电子供给层的表面进行覆盖的绝缘层带正电。在异质结面处感生出的二维电子气浓度上升，从而导通电阻降低。

公开(公告)号：CN104979387A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510171237.0

申请日：2015-04-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  上田博之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/0638

Abstract: 本发明提供一种栅极漏电流较小且栅极阈值较低的开关元件。该开关元件具备：第一半导体层；第二半导体层，其为第一导电型，并被配置在所述第一半导体层上，且与所述第一半导体层形成异质结；第三半导体层，其为第二导电型，并被配置在所述第二半导体层上；第四半导体层，其为第二导电型，并被配置在所述第三半导体层上，且与所述第三半导体层形成异质结；栅电极，其与所述第四半导体层电连接。

公开(公告)号：CN105789297A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610021314.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  上田博之

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在利用GaN的电子传输层与AlGaN等的电子供给层的异质结的半导体装置中，虽然能够通过在电子供给层与栅电极之间形成p型层而成为常闭，但在局部的范围内形成p型层时电子供给层的表面粗糙，从而电阻较高。使在对在源极电极与p型层之间露出的电子供给层的表面和在漏极电极与p型层之间露出的电子供给层的表面进行覆盖的绝缘层带正电。在异质结面处感生出的二维电子气浓度上升，从而导通电阻降低。

公开(公告)号：CN105261656A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510400619.6

申请日：2015-07-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 富田英幹 ,  兼近将一 ,  上田博之 ,  西川恒一

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管。虽然当在成为HEMT的电子传输层的第一氮化物半导体层(6)与成为电子供给层的第二氮化物半导体层(8)被层叠的基板的表面上形成进行肖特基接触的阳极电极(22)与进行欧姆接触的阴极电极(20)时，会得到SBD，但是漏电流较大且耐压较低。在阳极电极(22)上，第二氮化物半导体层(8)直接接触的区域与隔着第四氮化物半导体区域(12b)和第三氮化物半导体区域(10b)而与第二氮化物半导体层(8)接触的区域混合存在。通过将第四氮化物半导体区域(12b)设为p型从而能够抑制漏电流。通过将与第二氮化物半导体层(8)相比带隙较大的氮化物半导体用于第三氮化物半导体区域(10b)，从而能够将使正向电流流通的正向电压的最低值抑制为较低。