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公开(公告)号：CN102781878B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201180012715.3
申请日：2011-03-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/584
CPC classification number: C04B35/584 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , H01L35/32
Abstract: 本发明提供导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体、不易产生龟裂的电路基板、可靠性高的电子装置及可靠性高的热电转换组件。通过使主晶相以氮化硅作为主成分，晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分，并且包含组成式以REMgSi2O5N(RE为稀土类金属)表示的成分，从而能够得到导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体。此外，若将该烧结体用于电路基板，则能够制成不易产生龟裂的、可靠性高的电路基板，使用该电路基板的电子装置及热电转换组件的可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106104797A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013774.0
申请日：2015-03-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/373 , C04B35/584 , H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/02
CPC classification number: H01L23/3675 , B32B18/00 , C04B35/584 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/5409 , C04B2235/80 , C04B2237/368 , C04B2237/582 , H01L23/3731 , H01L23/473 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H01L2924/13055 , H05K1/0209 , H05K2201/066 , H05K2201/10106 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供散热特性优良的流路构件以及在设于该流路构件的金属层上搭载半导体元件而成的半导体模块。被壁包围的空间是流体流过的流路(2)，在流路构件(1)中，所述壁由陶瓷构成，所述壁当中进行热交换的壁部的内面(3a)中的晶界相的面积占有率小于外面(3b)中的晶界相的面积占有率。通过满足这样的构成，流路构件(1)在散热特性上优良。
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公开(公告)号：CN102714191A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005905.2
申请日：2011-01-13
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/13 , C04B35/587 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3878 , C04B2235/3882 , C04B2235/5276 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/945 , C04B2235/9607 , C04B2237/125 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/74 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L35/32 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/0248 , H05K2201/0266 , H05K2201/0269 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , Y10T428/25 , Y10T428/259 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够使将由金属形成的构件接合时的接合强度提高的氮化硅质基板、以及可通过使用这种氮化硅质基板而提高可靠性的电路基板和电子装置。所述氮化硅质基板(1)，在由氮化硅质烧结体形成的基板(1a)的主面一体化有含硅的多个粒状体(1b)，从粒状体(1b)的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)。在基板(1a)的主面上涂布焊料，在已涂布的焊料上配置电路构件、放热构件，然后通过在经加热而进行接合时使多个粒状体(1b)一体化于基板(1a)的主面，从粒状体(1b)的局部延伸出多个针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)，从而可得到较高的固定效果，因此能够使氮化硅质基板(1)与电路构件、放热构件牢固接合。
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公开(公告)号：CN106104797B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201580013774.0
申请日：2015-03-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/373 , C04B35/584 , H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K1/02
Abstract: 提供散热特性优良的流路构件以及在设于该流路构件的金属层上搭载半导体元件而成的半导体模块。被壁包围的空间是流体流过的流路(2)，在流路构件(1)中，所述壁由陶瓷构成，所述壁当中进行热交换的壁部的内面(3a)中的晶界相的面积占有率小于外面(3b)中的晶界相的面积占有率。通过满足这样的构成，流路构件(1)在散热特性上优良。
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公开(公告)号：CN102714191B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180005905.2
申请日：2011-01-13
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/13 , C04B35/587 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3878 , C04B2235/3882 , C04B2235/5276 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2235/721 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/945 , C04B2235/9607 , C04B2237/125 , C04B2237/368 , C04B2237/407 , C04B2237/74 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L35/32 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2201/0248 , H05K2201/0266 , H05K2201/0269 , Y10T428/24413 , Y10T428/24421 , Y10T428/25 , Y10T428/259 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供能够使将由金属形成的构件接合时的接合强度提高的氮化硅质基板、以及可通过使用这种氮化硅质基板而提高可靠性的电路基板和电子装置。所述氮化硅质基板(1)，在由氮化硅质烧结体形成的基板(1a)的主面一体化有含硅的多个粒状体(1b)，从粒状体(1b)的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)。在基板(1a)的主面上涂布焊料，在已涂布的焊料上配置电路构件、放热构件，然后通过在经加热而进行接合时使多个粒状体(1b)一体化于基板(1a)的主面，从粒状体(1b)的局部延伸出多个针状结晶(1c)或柱状结晶(1d)，从而可得到较高的固定效果，因此能够使氮化硅质基板(1)与电路构件、放热构件牢固接合。
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公开(公告)号：CN102781878A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012715.3
申请日：2011-03-09
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/584
CPC classification number: C04B35/584 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , H01L35/32
Abstract: 本发明提供导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体、不易产生龟裂的电路基板、可靠性高的电子装置及可靠性高的热电转换组件。通过使主晶相以氮化硅作为主成分，晶界相以氧化镁及稀土类氧化物作为主成分，并且包含组成式以REMgSi2O5N(RE为稀土类金属)表示的成分，从而能够得到导热性优异并且刚性高的陶瓷烧结体。此外，若将该烧结体用于电路基板，则能够制成不易产生龟裂的、可靠性高的电路基板，使用该电路基板的电子装置及热电转换组件的可靠性高。
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