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公开(公告)号：CN106164014A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015529.3
申请日：2015-04-15
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号： C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN108962724A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810801711.7
申请日：2014-07-16
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，在非晶质状态中蚀刻性优良，在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga2O3型结构的GaInO3相或者β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
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公开(公告)号：CN106029603A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009747.6
申请日：2015-02-12
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/656 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5853 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×1017cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN105393360A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040462.4
申请日：2014-07-16
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β-Ga2O3型结构的GaInO3相或者β-Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
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公开(公告)号：CN108713245A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780014038.6
申请日：2017-02-08
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： H01L21/363 , C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B2235/3284 , C04B2235/46 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78684
摘要： 本发明提供一种在维持高载流子迁移率的状态下仅使载流子浓度降低的氧化物半导体薄膜以及其制造方法。本发明的非晶质的氧化物半导体薄膜，以氧化物的形式含有铟及镓，并且另外含有氢，以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.15以上且0.55以下，通过二次离子质谱分析法，氢含量为1.0×1020原子/cm3以上且1.0×1022原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN108698933A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780014108.8
申请日：2017-01-31
申请人： 住友金属矿山株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3286 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/9661 , C23C14/34 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： 本发明提供能以比过去更低的温度的退火处理来制造具有高载流子迁移率的由铟及镓构成的非晶质或结晶质的氧化物半导体薄膜的溅射用靶、用于得到该钯的合适的由铟及镓构成的氧化物烧结体。该氧化物烧结体由铟及镓的氧化物构成，其特征在于，以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.10以上且0.49以下，CIE1976颜色体系中的L*值为50以上且68以下，由方铁锰矿型结构的In2O3相和In2O3相以外的生成相构成，所述In2O3相以外的生成相是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相，或者是β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga，In)2O3相。
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公开(公告)号：CN105009298B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201480012738.8
申请日：2014-03-06
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/7869 , C01B21/0821 , C01P2006/40 , H01L21/02521 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969
摘要： 本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN106029604A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009757.X
申请日：2015-02-12
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： C04B35/00 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/5806 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.20以上且0.49以下，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为4.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN105393360B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201480040462.4
申请日：2014-07-16
申请人： 住友金属矿山株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/1285 , H01L29/66969 , H01L29/78696
摘要： 本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成。通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In2O3相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga2O3型结构的GaInO3相或者β‑Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相。
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公开(公告)号：CN106414366A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580029806.6
申请日：2015-06-24
申请人： 住友金属矿山株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.20以上且0.45以下，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于3.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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