公开(公告)号：CN1451175A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN01815034.9

申请日：2001-08-28

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫田浩二 ,  广濑润 ,  小田岛章 ,  户泽茂树 ,  久保田和宏 ,  千叶祐毅

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/3408

Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。

公开(公告)号：CN100568461C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN01815034.9

申请日：2001-08-28

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫田浩二 ,  广濑润 ,  小田岛章 ,  户泽茂树 ,  久保田和宏 ,  千叶祐毅

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3266 ,  H01J37/3408

Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。

公开(公告)号：CN104380440B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380030754.5

申请日：2013-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  清水隆吉

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。

公开(公告)号：CN100536084C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200710091524.6

申请日：2007-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

Inventor： 堀胜 ,  久保田和宏

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 在叠层有例如SiOCH膜的绝缘膜的基板中，对由等离子体进行蚀刻和灰化而脱离了C元素的损伤层进行修复，该绝缘膜由含有硅、碳、氧和氢的低介电常数膜构成。使C8H18O2气体热分解，其结构式为(CH3)3COOC(CH3)3，生成CH3自由基，对该SiOCH膜供给CH3自由基，使CH3基与脱离了C元素的损伤层结合。

公开(公告)号：CN104380440A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380030754.5

申请日：2013-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  清水隆吉

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/3347 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，包括：利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体，隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻，在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤；使用硅化合物气体，利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体，使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化，在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。

公开(公告)号：CN101627469A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200880007585.2

申请日：2008-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  西村荣一 ,  久保田和宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，能够提供减少残留在构成半导体装置的金属上的氟而可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法包括进行除去在形成电极或配线的金属上生成的金属氟化物的处理的氟化物除去工序，其中，该电极或配线是在被处理基板上形成的半导体装置的电极或配线，该半导体装置的制造方法的特征在于：在上述氟化物除去工序中，向上述被处理基板供给气体状态的甲酸，除去上述金属氟化物。

公开(公告)号：CN1981375A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200580022386.5

申请日：2005-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 志村悟 ,  久保田和宏 ,  浅子龙一 ,  高山星一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，在被处理体上配设的被蚀刻膜(74)上，形成具有规定开口图案的蚀刻掩模(75b)。然后，在第一处理室内，通过蚀刻掩模(75b)的开口图案，对被蚀刻膜(74)实施蚀刻处理，在被蚀刻膜上形成槽或孔(78a)。然后，将蚀刻处理后的被处理体在真空气氛下，从第一处理室搬送至第二处理室。然后，在第二处理室内，对作为被蚀刻膜(74)的露出部的槽或孔(78a)的侧面部实施硅烷化处理。

公开(公告)号：CN104716025B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410663832.1

申请日：2014-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  渡边光 ,  小林史弥 ,  久保田和宏 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813

Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。

公开(公告)号：CN102683247A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210072681.3

申请日：2012-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  斋藤祐介 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68721 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。

公开(公告)号：CN101127321A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710146512.9

申请日：2007-08-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅子龙一 ,  千叶祐毅 ,  久保田和宏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。在利用含有F的气体对作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜进行蚀刻后、直至将蚀刻掩模除去的期间，即使含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于NH3系气体，也能够使损伤恢复，从而能够制造电气特性和可靠性优异的半导体装置。在形成于半导体基板上的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模，利用含有F的气体通过蚀刻掩模对含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，形成槽或孔，在蚀刻后，利用使用NH3气体的灰化将蚀刻掩模除去，并将此时生成的生成物除去，然后，通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复。