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公开(公告)号：CN1451175A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN01815034.9
申请日：2001-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/3408
Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100568461C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN01815034.9
申请日：2001-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/3408
Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。
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公开(公告)号：CN1983515A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610137550.3
申请日：2006-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种能够提高维修的作业效率的基板处理装置。基板处理装置(1)包括对作为被处理体的半导体晶片实施等离子体处理的6个处理腔室(100)，在处理腔室(100)上，设置有作为用于密闭在上部具有开口部的处理腔室框体(110)的上盖的腔室盖(200)，在处理腔室(100)中，为了开关腔室盖(200)，安装有包括气缸(510)和与气缸(510)结合的1根直线导轨(520)的起重单元(500)。
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公开(公告)号：CN100474506C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610137550.3
申请日：2006-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种能够提高维修的作业效率的基板处理装置。基板处理装置(1)包括对作为被处理体的半导体晶片实施等离子体处理的6个处理腔室(100)，在处理腔室(100)上，设置有作为用于密闭在上部具有开口部的处理腔室框体(110)的上盖的腔室盖(200)，在处理腔室(100)中，为了开关腔室盖(200)，安装有包括气缸(510)和与气缸(510)结合的1根直线导轨(520)的起重单元(500)。
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公开(公告)号：CN112420552A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010805541.7
申请日：2020-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统。多个处理腔室并排地配置，并且分别能够实施基片处理。多个电源系统单元分别配置在多个处理腔室的下部，能够对各处理腔室单独地供电。本发明能够抑制设置面积。
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公开(公告)号：CN112349620A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010735536.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统，其包括第1腔室、第2腔室和冷却通路。第1腔室提供用于处理基片的空间，其中该基片是从被维持为真空气氛的第1输送室输送来的。第2腔室构成为内部能够与第1输送室和被维持为大气气氛的第2输送室连通。第2腔室具有与第1腔室大致相同的占地面积。第2腔室与第1腔室在上下方向上并排地配置在第1腔室之下。冷却通路配置在第1腔室与第2腔室之间。冷却通路在其内部流动冷却介质。根据本发明，能够抑制基片处理系统的占地面积。
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