-
公开(公告)号：CN1451175A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN01815034.9
申请日：2001-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/3408
Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。
-
公开(公告)号：CN100568461C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN01815034.9
申请日：2001-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3266 , H01J37/3408
Abstract: 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。
-
公开(公告)号：CN117378286A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280036616.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明的等离子体监控系统包含：监控装置；及控制装置。监控装置为载置于等离子体处理装置内的工作台上的装置。监控装置包含：板状的基底基板；及多个分光器，所述多个分光器具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并取得等离子体的发光强度。控制装置基于由多个分光器分别取得的发光强度而取得等离子体处理装置内的等离子体的发光强度分布数据。
-
公开(公告)号：CN111801778A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016718.0
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 维护装置具有罩体和固定构件。罩体形成为和处理容器的第一部件与第二部件的分界线对应的尺寸、或者和第一部件与第二部件分离后的开口面对应的尺寸，且具有气密性以及至少一部分有视觉上的透明性，其中，处理容器能够分离成第一部件和第二部件，且在处理衬底时被设置为真空气氛。固定构件将罩体沿着处理容器的第一部件与第二部件的分界线紧密固定，或者将罩体紧密固定于第一部件与第二部件分离后的开口面。
-
公开(公告)号：CN109425414A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811009097.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01F25/00
Abstract: 本发明提供一种检查在累加法中利用的流量测量系统是否处于适合于准确求取气体流量的状态的方法。一个实施方式的方法涉及在基板处理系统中使用的检查流量测量系统的方法。流量测量系统提供基于累加法的流量的计算中使用的气体流路。由基板处理系统的气体供给部的流量控制器输出的气体能够向该气体流路供给。在该方法中，除了气体流路的容积的预先所求取的初始值之外，还在流量测量系统的检查时求取该气体流路的容积。并且，将所求取的容积与初始值进行比较。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101162689B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
-
公开(公告)号：CN101162689A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710194607.8
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01J37/32 , H05H1/00 , H05H1/46 , C23F4/00
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
-
公开(公告)号：CN1225680C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN99801416.8
申请日：1999-08-09
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G05D7/0658 , G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 一种流体可变式流量控制装置，通过一台流量控制装置可自由地改变最大刻度流量，且能以高精度控制多种流体的流量。具体地，在将节流孔上游侧压力P1保持在下游侧压力P2的约2倍以上、进行流体的流量控制的流量控制装置FCS中，包括：为了依据流体的种类或流量范围而设定适当的节流孔直径而设置成可自由更换的节流孔8；设置在其上游侧的控制阀2；设置在控制阀2与节流孔8之间的压力检测器6；从该压力检测器6的上游侧检测压力P1以流量为Qc＝kP1(k为常数)进行演算的流量演算回路14；将流量设定信号Qe输出的流量设定回路16；为了切换最大刻度流量，将演算流量信号Qc乘以流量变换率k，变换成切换演算流量信号Qf(Qf＝kQc)的流量变换回路18；以该Qf与Qe之差作为控制信号Qy并输出给控制阀2的驱动部4的演算控制回路20，开闭控制阀2，使Qy为零。
-
公开(公告)号：CN117321404A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280034060.8
申请日：2022-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N15/14
Abstract: 本发明的粒子监控系统，具备：发光装置，对等离子体处理装置内照射光；及监控装置，载置于等离子体处理装置内的工作台上。监控装置包含：基底基板；多个拍摄装置；及控制装置。基底基板呈板状。多个拍摄装置具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并拍摄包含来自被光照射的粒子的散射光的图像。控制装置判别由多个拍摄装置所拍摄到的图像内的粒子。
-
公开(公告)号：CN110808202B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911006282.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.036 seconds)
