公开(公告)号：CN111952172A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010627783.1

申请日：2020-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司 ,  国网福建省电力有限公司厦门供电公司

发明人： 杨霏 ,  张文婷 ,  安运来 ,  查祎英 ,  罗松威 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  桑玲 ,  田亮 ,  牛喜平 ,  吴军民 ,  刘文亮 ,  郭熠昀

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种基于键合工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N-过渡层、N-漂移层、N+缓冲层和P+集电层；采用键合工艺对所述P+集电层和键合基片进行键合，之后去除SiC衬底和N-过渡层，或先去除SiC衬底和N-过渡层，之后采用键合工艺对所述P+集电层和键合基片进行键合；采用减薄工艺去除部分键合基片，并形成栅极、发射极和集电极，通过键合工艺减小了碎片概率，提高SiC IGBT的良品率，降低了SiC IGBT的生产成本；且P+集电层掺杂浓度高，降低了SiC IGBT的损耗，提高了SiC IGBT的导通特性；本发明提高了SiC IGBT所需外延材料的质量，减小导通电阻，进一步降低了SiC IGBT的损耗。

公开(公告)号：CN113629130A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010386337.6

申请日：2020-05-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司厦门供电公司

发明人： 桑玲 ,  查祎英 ,  金锐 ,  王耀华 ,  杨霏 ,  田丽欣 ,  夏经华 ,  张文婷 ,  安运来 ,  赛朝阳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/265

摘要： 本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，半导体功率器件包括半导体层(1)、截止环(2)、有源区(3)、场限环终端(4)和介质层(5)；场限环终端(4)包括多个场限环区域，每个场限环区域包括多个场限环，截止环(2)、有源区(3)和场限环终端(4)设置于半导体层(1)的正面，所述介质层(5)设置于场限环终端(4)的正面，多个场限环区域形成场限环终端，提高了场限环终端(4)的保护效率和半导体功率器件的可靠性；不同场限环承受的电压相当，避免电场集中于有源区主结处或最后一个场限环，大大提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN113629131A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010386415.2

申请日：2020-05-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司厦门供电公司

发明人： 桑玲 ,  吴军民 ,  夏经华 ,  张文婷 ,  查祎英 ,  田丽欣 ,  王耀华 ,  金锐 ,  杨霏 ,  安运来 ,  赛朝阳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种分区域渐变场限环终端结构及其设计方法，设置分区域渐变场限环终端结构的各参数的初始值；基于初始值，依次对各参数值进行调整，并实时获取各场限环和有源区主结之间的电场强度，当获取的电场强度相等且均小于临界击穿电场强度，得到最优的参数值；基于最优的参数值确定分区域渐变场限环终端结构，通过调整各区域内场限环的宽度和各相邻场限环的间距，大大提高了功率半导体器件制备过程中场限环终端结构的保护效率，提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN111952173A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010632701.2

申请日：2020-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司

发明人： 查祎英 ,  张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  桑玲 ,  田亮 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种基于外延工艺制备的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N+缓冲层、N-漂移层和N型载流子阻挡层，去除SiC衬底且对N+缓冲层进行抛光处理，采用外延工艺在N+缓冲层表面形成P+集电层；在N型载流子阻挡层表面形成栅极和发射极，并在P+集电层表面形成集电极，在N+缓冲层表面形成P+集电层后，无需再进行减薄工艺处理，减少了碎片概率，大大降低了生产成本；本发明在N+缓冲层表面形成P+集电层，得到的P+集电层掺杂浓度高，制备出的SiC IGBT损耗小，提高了SiC IGBT的导通特性，且采取的工艺与常规制备SiC IGBT的工艺兼容，提高工艺处理过程中的良品率。

公开(公告)号：CN111710599A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010620297.7

申请日：2020-06-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  桑玲 ,  田亮 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/263

摘要： 本发明涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击，改变了碳化硅样片的表面状态，在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态，从而使得可以在受控的条件下，降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度，进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用，提高载流子通过势垒的输运效率，显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果，降低接触电阻，形成良好的碳化硅欧姆接触。

公开(公告)号：CN112002648A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010672215.3

申请日：2020-07-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司泰安供电公司

发明人： 桑玲 ,  田亮 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  朱涛 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供一种碳化硅功率器件的制备方法及碳化硅功率器件，方法包括在半导体层(1)的正面形成场限环终端(4)；采用热氧化工艺在场限环终端(4)的正面以预设的生长温度形成热氧化层(5)；在热氧化层(5)的正面形成氧化层(6)，通过设置热氧化层(5)大大降低了氧化层(6)产生孔洞的可能性，碳化硅功率器件在承受反向高电压时不易击穿，提高了碳化硅功率器件的良率和长期可靠性。

公开(公告)号：CN116230611A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202111465401.0

申请日：2021-12-03

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 安运来 ,  张文婷 ,  杨霏 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一半导体衬底；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底的直径大于所述第一半导体衬底的直径；把所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底键合在一起；在所述第一半导体衬底背向所述第二半导体衬底的一侧形成正面器件结构；形成所述正面器件结构之后，去除所述第二半导体衬底。第一半导体衬底的尺寸虽然与工艺线的设计尺寸不匹配，但是由于工艺线的设计尺寸与第二半导体衬底的尺寸匹配，第一半导体衬底也可以在工艺线上制备正面器件结构，工艺线可以同时兼容不同直径尺寸的半导体器件流片。

公开(公告)号：CN116190442A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111433944.4

申请日：2021-11-29

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  杨霏 ,  吴军民 ,  牛喜平 ,  张文婷 ,  安运来

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体功率器件及其制备方法，其中，该半导体功率器件包括半导体层、源极、栅极、半导体区域、阱区和JFET区，所述JFET区形成在两个阱区之间的所述半导体层内，且所述JFET区具有与栅极交叠的部分，所述JFET区内的离子掺杂浓度为1E16‑1E18cm‑3，所述JFET区与所述半导体层的导电类型相同。本发明通过在阱区之间的半导体层内形成JFET区，该JFET区具有与栅极交叠的部分，其中交叠部分的面积可以用于改变器件的正向导通电阻和栅端的MOS电容，从而实现对栅控半导体功率器件的正向导通特性以及开关时间和开关损耗等开关特性的调制。

公开(公告)号：CN112582460A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910937911.X

申请日：2019-09-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 查祎英 ,  金锐 ,  董少华 ,  王耀华 ,  桑玲 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件，其特征在于，所述单元包括：具有两种掺杂特性半导体材料层堆叠而成的层叠层、栅控制结构和绝缘钝化层(31)；所述层叠层为凸台结构，上底面小于下底面，所述凸台侧面具有正斜角或直角结构；所述绝缘钝化层(31)设置于所述层叠层的侧面，且配合所述正斜角或直角结构与所述层叠层构成立方体结构；所述栅控制结构设置在所述绝缘钝化层(31)和所述层叠层之间。本发明可以实现受力面平整、受力均匀、绝缘栅受力小，可实现大面积互联。

公开(公告)号：CN111312586A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010106956.5

申请日：2020-02-20

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  王耀华 ,  金锐 ,  姜春艳 ,  杨霏 ,  赛朝阳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种提高p型掺杂离子注入准确度的方法。本发明包括初步确定仿真值、根据仿真值进行离子注入、对仿真值进行校准；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的p型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。