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公开(公告)号：CN118759048B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411255660.4
申请日：2024-09-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请提供一种可穿戴式全光纤探测手套、无损探测系统、方法及装置，涉及无损探伤技术领域，手套包括：具有若干手指套接部的手套主体、光声信号激励单元及若干光声信号探测单元，光声信号探测单元设置于手指套接部上，光声信号激励单元设置于手套主体掌部区域；光声信号激励单元用于在受到第一激光信号的激发后产生超声导波，以使得产生的超声导波在待检测目标内部传播；光声信号探测单元用于捕获受待检测目标内部损伤影响的、光声信号激励单元产生并传播的超声导波所引起的应力变化，响应于捕获到的应力变化，基于作用于光声信号探测单元的第二激光信号获取对应散射波信号。本申请具有结构简单、穿戴轻便、操作便捷、探测区域灵活等优点。
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公开(公告)号：CN118759048A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411255660.4
申请日：2024-09-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请提供一种可穿戴式全光纤探测手套、无损探测系统、方法及装置，涉及无损探伤技术领域，手套包括：具有若干手指套接部的手套主体、光声信号激励单元及若干光声信号探测单元，光声信号探测单元设置于手指套接部上，光声信号激励单元设置于手套主体掌部区域；光声信号激励单元用于在受到第一激光信号的激发后产生超声导波，以使得产生的超声导波在待检测目标内部传播；光声信号探测单元用于捕获受待检测目标内部损伤影响的、光声信号激励单元产生并传播的超声导波所引起的应力变化，响应于捕获到的应力变化，基于作用于光声信号探测单元的第二激光信号获取对应散射波信号。本申请具有结构简单、穿戴轻便、操作便捷、探测区域灵活等优点。
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公开(公告)号：CN117498322A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311453916.8
申请日：2023-11-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种有源配电系统多集群分布式协同供电恢复方法，其技术特点是：将有源配电系统按照开关位置划分为不同子区域；建立一个时段供电恢复方案的优化模型；构建适用于供电恢复策略求解的ADMM算法，求解粗略的供电恢复完成时刻恢复方案；确定完成供电恢复所需要的阶段数；从供电恢复第1阶段开始，依次确定每个供电恢复阶段的开关动作方案；将精确收敛阈值作为ADMM算法的收敛阈值，利用适用于供电恢复策略求解的ADMM算法计算各个阶段的供电恢复方案。本发明充分考虑了供电恢复过程中的时序，解决了极端故障下无法保证所有节点均可以与主机建立通讯时的供电恢复问题。
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公开(公告)号：CN116137623A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202310173607.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H04L67/10 , H04L67/02 , H04L67/563
Abstract: 本发明公开了一种基于Web服务的边缘计算设备、数据交互系统、方法和计算机可读存储介质。基于Web服务边缘计算设备包括Web服务端和数据中心端，Web服务端用于分别与主站的前端和数据中心端通信连接，以获取前端输出的控制指令，并输出控制指令至数据中心端；Web服务端还用于获取数据中心端输出的页面数据，并输出页面数据至前端；数据中心端用于获取Web服务端输出的控制指令，并根据控制指令调用页面数据，并输出页面数据至Web服务端。本发明提供的边缘计算设备可以通过Web服务端向数据中心端调用页面数据，并输出页面数据至前端，简化了主站对页面数据的调用过程，且降低了主站的后台运算负荷。
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公开(公告)号：CN114720923A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210532932.5
申请日：2022-05-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域，提供一种镂空立方体封装的三维磁传感器及其制作方法。所述镂空立方体封装的三维磁传感器，包括：镂空立方体构件和三个磁阻单元，三个所述磁阻单元分别粘接于所述镂空立方体构件的三个相邻的表面，三个所述磁阻单元在所述镂空立方体构件的内部电气互联。本申请充分利用垂直空间实现高密度的三维磁传感器集成，体积小，功耗低。本申请借助镂空立方体构件的固定作用，其相邻平面的磁阻单元的角度相互垂直，形状稳定性好，灵敏度高，可实现优良的三维磁传感能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118566566A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411058867.2
申请日：2024-08-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网河南省电力公司
Abstract: 本发明公开了一种避雷器阻性电流的检测方法、装置、系统及介质、芯片，涉及电气测量技术领域。检测方法包括：通过电流互感器对避雷器的电流进行采集，得到全电流信号；对全电流信号进行傅里叶变换，得到基波电流和三次谐波电流；根据基波电流的相位和三次谐波电流的相位得到基波电压的相位；确定避雷器相间干扰电流的相位，并根据基波电压的相位得到避雷器容性电流的相位；获取相间干扰电流的有效值和容性电流的有效值，并根据全电流信号、相间干扰电流的相位和有效值，以及容性电流的相位和有效值，得到避雷器的阻性电流波形信号。该方法只需采集电流信号，可减少现场施工安装成本，且可以去除相间干扰的影响，提高了阻性电流检测的准确性。
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公开(公告)号：CN115360295B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211292154.3
申请日：2022-10-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域，提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器，包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元，三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面，三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接，所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通；三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极，所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联，集成度高、可靠性强，同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成，体积小、功耗低。
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公开(公告)号：CN118301224A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410535676.4
申请日：2024-04-30
Applicant: 国网上海市电力公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Inventor： 王素 , 唐玉建 , 郭明星 , 陈河 , 张春雁 , 窦真兰 , 吕冉 , 刘瑞 , 赵晨晨 , 葛涛 , 黄波 , 李明 , 秦晓敏 , 李阳 , 顾佳康 , 侯智子 , 徐杨丽
Abstract: 本发明涉及一种适用于总线架构的多协议兼容通信方法和系统，用于主机和多个从机之间的通信，方法包括：在主机中设置主机总线协议层软件，从机中设置从机总线协议层软件，主机中设有多个应用程序，从机中设有一个或多个从机功能块；当主机上的应用程序需要向从机功能块发送数据时，应用程序将数据报文发送至主机总线协议层软件，主机总线协议层软件生成对应从机功能块的CANid地址，并与接收到的数据报文构成数据包，发送至对应的从机；收到数据包的从机的从机总线协议层软件根据数据包解析到CANid地址和数据报文，由CANid地址对应的从机功能块处理相应的报文内容。与现有技术相比，本发明实现了交互过程解耦，提高了总线效率，提高了数据帧中有效数据占比。
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公开(公告)号：CN116957852A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310952524.X
申请日：2023-07-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 天津大学
IPC: G06Q50/06 , G06Q10/0639 , G06N20/00
Abstract: 一种数据驱动的配电网边缘侧集群可控能力量化评估方法：根据选定的配电系统，输入配电系统历史运行数据，并构建配电网边缘侧集群可控能力评估模型训练集；基于Koopman算子构建配电网边缘侧集群可控能力评估模型，并利用训练集对配电网边缘侧集群可控能力评估模型进行训练，也即利用最小二乘法求取评估矩阵，得到完成训练的配电网边缘侧集群可控能力评估模型；依据步得到的完成训练的配电网边缘侧集群可控能力评估模型对配电网集群边界交互功率及电压进行量化分析，输出分析结果。本发明充分考虑分布式能源多变的接入状态与运行模式，准确拟合节点注入功率和集群间联络线功率的复杂映射关系，摆脱传统的机理模型驱动方法对详细模型参数的依赖。
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公开(公告)号：CN116299082A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310203775.8
申请日：2023-03-02
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法，属于传感器封装技术领域。所述三维磁场传感器包括：外围集成电路单元和三个磁敏感单元，所述外围集成电路单元与三个磁敏感单元在垂直方向上堆叠设置；三个磁敏感单元包括基于霍尔(Hall)效应的Z轴磁敏感单元和基于各向异性磁阻(AMR)效应的X轴磁敏感单元及Y轴磁敏感单元；三个磁敏感单元与外围集成电路单元通过硅通孔导线相互电连接。采用硅通孔技术及3D堆叠技术，可以有效克服传统键合引线互联法带来的面积和体积消耗大、集成度低的缺点，为AMR/Hall混合三轴磁场传感器的微小型化和商业化应用带来可能。
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