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公开(公告)号：CN112736643A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110003808.5
申请日：2021-01-04
申请人： 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
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公开(公告)号：CN112736643B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110003808.5
申请日：2021-01-04
申请人： 北京邮电大学 , 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法，包括：有源层，包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层；中分布反射镜层，位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧；中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层；欧姆接触层，位于中分布反射镜层远离有源层的一侧；上分布反射镜层，位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧，包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层；下分布反射镜层，位于有源层远离欧姆接触层的一侧，包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层；非线性晶体层，位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。
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公开(公告)号：CN116970932A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311030039.3
申请日：2023-08-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： C23C18/16
摘要： 本发明实施例提供了一种化学镀夹具，半导体技术领域，适用于不规则尺寸和形状的芯片的化学镀工艺。化学镀夹具包括第一固定环、第二固定环、支撑柱和多组伸缩杆组件。第二固定环间隔设置于第一固定环的一侧，且第一固定环的中轴线与第二固定环的中轴线重合。支撑柱一端与第一固定环连接，另一端与第二固定环连接；支撑柱的延伸方向平行于第一固定环的中轴线。多组伸缩杆组件间隔设置于支撑柱上；一组伸缩杆组件用于夹持一个芯片；一组中的伸缩杆组件一端与支撑柱连接，另一端沿远离支撑柱的方向伸缩并夹持芯片的不同位置。
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公开(公告)号：CN106654856B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710113863.3
申请日：2017-02-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面激光器及其制作方法。该激光器衬底1、N型分布布拉格反射镜组2、有源区3、氧化限制层4、P面电极5、光学膜6、第二光栅层7和BCB钝化层8；其中，所述氧化限制层4上设置有通过氧化形成的第一光栅；所述P型分布布拉格反射镜组6的出光面上刻蚀制作有第二光栅。本发明实施例通过氧化形成的第一光栅的引入，实现有源区电流的各向异性注入，有效的缓解载流子注入各向同性所带来的各种问题，如空间烧孔现象等，同时第二光栅的引入进一步的缓解输出光的多模和散射问题，实现在颈向的自聚偏振光输出。
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公开(公告)号：CN116111450A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111333190.5
申请日：2021-11-11
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种激光器及其制作方法。其中，所述激光器包括：堆叠设置的第一布拉格反射镜层、有源层和第二布拉格反射镜层，位于衬底的第一表面上；出光结构，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二布拉格反射镜层；柱状结构，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二布拉格反射镜层；其中，所述柱状结构与所述出光结构的形成位置不同，所述柱状结构相对远离所述有源层的表面为粗糙表面；第一电极，位于所述第二布拉格反射镜层上，覆盖所述柱状结构相对远离所述有源层的表面；第二电极，位于所述衬底的第二表面，所述第二表面与所述第一表面互为相反面。
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公开(公告)号：CN113948963A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111160245.7
申请日：2021-09-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/02253 , H01S5/183 , H01S5/34
摘要： 本发明实施例提供了一种激光器芯片及其制备方法。其中，所述激光器芯片包括：外延层结构，位于衬底的第一表面上，包括堆叠设置的第一布拉格反射镜层、量子阱层、第二布拉格反射镜层；所述第二布拉格反射镜层具有至少一个柱状结构；第一电极，位于所述量子阱层上；所述第一电极包覆所述柱状结构，且具有孔状结构；所述柱状结构的至少部分顶表面通过所述孔状结构裸露；会聚透镜，至少覆盖所述柱状结构裸露的顶表面，用于对从柱状结构顶面发出的光进行汇聚；第二电极，位于所述衬底的第二表面；所述第二表面为与所述第一表面互为相反面。
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公开(公告)号：CN106207751A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610845797.4
申请日：2016-09-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/187
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基于光学介质膜钝化的垂直腔面激光器及其制备方法。其中本发明在于利用光学介质膜作为DBR反射镜材料，并且作为激光器腔面的钝化介质膜。光学介质膜取代传统的DBR反射膜，能有效的降低垂直腔激光器的串联电阻、吸收损耗和界面损耗，从而改善激光器的热特性。光学介质膜同样是很好的电介质薄膜，用它来做激光器的表面钝化，既简化了工艺，节省了钝化成本，又能有效的保护激光器的腔面，改善激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106207751B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610845797.4
申请日：2016-09-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种基于光学介质膜钝化的垂直腔面激光器及其制备方法。其中本发明在于利用光学介质膜作为DBR反射镜材料，并且作为激光器腔面的钝化介质膜。光学介质膜取代传统的DBR反射膜，能有效的降低垂直腔激光器的串联电阻、吸收损耗和界面损耗，从而改善激光器的热特性。光学介质膜同样是很好的电介质薄膜，用它来做激光器的表面钝化，既简化了工艺，节省了钝化成本，又能有效的保护激光器的腔面，改善激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN106654856A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710113863.3
申请日：2017-02-28
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18313
摘要： 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种垂直腔面激光器及其制作方法。该激光器衬底1、N型分布布拉格反射镜组2、有源区3、氧化限制层4、P面电极5、光学膜6、第二光栅层7和BCB钝化层8；其中，所述氧化限制层4上设置有通过氧化形成的第一光栅；所述P型分布布拉格反射镜组6的出光面上刻蚀制作有第二光栅。本发明实施例通过氧化形成的第一光栅的引入，实现有源区电流的各向异性注入，有效的缓解载流子注入各向同性所带来的各种问题，如空间烧孔现象等，同时第二光栅的引入进一步的缓解输出光的多模和散射问题，实现在颈向的自聚偏振光输出。
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公开(公告)号：CN214540029U
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202120769012.6
申请日：2021-04-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及激光雷达技术领域，尤其涉及一种激光雷达探测系统，包括主动探测系统以及被动探测系统，具体的，主动探测系统包括带主动探测光源的激光探测装置；被动探测系统包括双色或者多色成像探测器、与双色或者多色成像探测器相对应的被动信号接收端、与激光探测装置相对应的主动信号接收端、与被动信号接收端及主动信号接收端相连的读出电路结构；主动探测系统与被动探测系统相结合形成激光雷达探测系统。本实用新型既保证了高效的性能，还极大的提升了系统的集成度，同时也给未来雷达系统封装精简化提供了可能。
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