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公开(公告)号：CN118223118A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410214618.1
申请日：2024-02-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种量产型类分子束外延设备的加热系统，包括：样品台装置、加热元件、热辐射防护组件、冷却装置；其中，样品台装置包括样品台旋转装置、连接杆、托盘、载片架；热辐射防护组件包括上隔热基板、反射罩、反射板、下隔热板、侧隔热筒。本发明提供的加热系统将加热元件环形排布在托盘上方两侧，加热元件为红外线辐射加热器，托盘为透明石英材质，该种排布方式加热元件与托盘距离最小可缩短至1cm且加热元件直接通过热辐射对衬底进行加热，极大减少热量因传播距离产生的损耗，提高了衬底最高可达温度。本发明解决了目前量产型类分子束外延设备加热系统热量耗散大、不能提供生长高质量InN、InGaN外延工艺所需的高温环境问题。
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公开(公告)号：CN118258492A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410219206.7
申请日：2024-02-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC分类号： G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/102
摘要： 本发明公开了一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法。该方法针对单pn结多量子阱结构探测器，利用该探测器在光照下伏安特性曲线具有台阶或拐点的特性，结合台阶或拐点处的量子效率曲线，对探测器所测的伏安特性曲线进行数学处理，剥离重叠的光串扰信号，倒推出入射光的各波段信息，能够有效实现单色或多色探测。
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公开(公告)号：CN108305920B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN116463718A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310480473.5
申请日：2023-04-28
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开一种金属调制外延的设备及其制备氮化物薄膜的方法，该设备包括真空腔室、容性耦合等离子体源、束源炉、样品台、旋转装置、真空泵，其特征在于：样品台在空间上做公转运动，所述样品台公转轨迹在空间上形成一圆环；所述容性耦合等离子体源提供覆盖整个样品台公转轨迹的等离子体区，所述束源炉提供覆盖部分样品台公转轨迹的金属蒸发区。该设备的作用为：通过样品台的公转实现生长速率、金属蒸发时间占比可调的金属调制外延，除了拥有传统金属调制外延方法中降低薄膜的生长温度、抑制铟镓氮合金中的相分离的效果外，本发明还拥有更高的生长速率、更高的产能的优势。
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公开(公告)号：CN110197861A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN107675141B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34
摘要： 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN114855270B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210423243.0
申请日：2022-04-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C14/54 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/58
摘要： 本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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公开(公告)号：CN110197861B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层的V型缺陷侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN116465844A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310438492.1
申请日：2023-04-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： G01N21/31
摘要： 本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法，该方法包括：（1）在衬底上生长含量子阱结构的外延层；（2）获得量子阱层的总厚度；（3）将外延片制备成样品，并获得样品中外延层的上、下界面的反射率；（4）测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线，根据外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线；（5）求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径，具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点，避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点，对于器件设计具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114855270A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210423243.0
申请日：2022-04-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/58
摘要： 本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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