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公开(公告)号：CN107783369B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201610784740.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光学邻近校正的修复方法。根据一半导体晶圆的一第一布局，得到至少一热点标示区域。根据该热点标示区域，于该第一布局中得到一待修复区域以及一无热点区域，其中该待修复区域包括该热点标示区域。将该待修复区域划分成多个模板。对每一所述模板执行一修复程序。根据已修复的每一所述模板以及该无热点区域，提供一第二布局。
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公开(公告)号：CN107783369A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610784740.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光学邻近校正的修复方法。根据一半导体晶圆的一第一布局，得到至少一热点标示区域。根据该热点标示区域，于该第一布局中得到一待修复区域以及一无热点区域，其中该待修复区域包括该热点标示区域。将该待修复区域划分成多个模板。对每一所述模板执行一修复程序。根据已修复的每一所述模板以及该无热点区域，提供一第二布局。
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公开(公告)号：CN105045946A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510201140.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)制造方法。方法包括接收IC的设计布局，其中设计布局包括多个非重叠的IC区，并且每一个IC区都包括相同的最初IC图案。方法还包括基于位置效应分析将IC区划分为多组，使得相应的一组中的所有IC区都具有基本相同的位置效应。方法还包括：使用包括位置效应的校正模型对每一组中的一个IC区执行校正；以及将校正的IC区复制到相应组中的其他IC区。方法还包括将校正的IC设计布局储存在有形的计算机可读介质中以用于进一步的IC工艺阶段。
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公开(公告)号：CN105045946B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510201140.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)制造方法。方法包括接收IC的设计布局，其中设计布局包括多个非重叠的IC区，并且每一个IC区都包括相同的最初IC图案。方法还包括基于位置效应分析将IC区划分为多组，使得相应的一组中的所有IC区都具有基本相同的位置效应。方法还包括：使用包括位置效应的校正模型对每一组中的一个IC区执行校正；以及将校正的IC区复制到相应组中的其他IC区。方法还包括将校正的IC设计布局储存在有形的计算机可读介质中以用于进一步的IC工艺阶段。
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