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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108205600B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201711047024.2
申请日：2017-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392
Abstract: 本公开提供一种掩模优化方法，步骤包括：接收具有一集成电路图案的一集成电路(IC)设计布局；根据一目标放置模型，产生对应于上述集成电路图案的一轮廓的多个目标点，其中上述目标放置模型是根据上述集成电路图案的一分类所选择；以及使用上述目标点对上述集成电路图案执行一光学邻近校正(OPC)，从而产生一修正的集成电路设计布局。
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公开(公告)号：CN105045946A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510201140.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)制造方法。方法包括接收IC的设计布局，其中设计布局包括多个非重叠的IC区，并且每一个IC区都包括相同的最初IC图案。方法还包括基于位置效应分析将IC区划分为多组，使得相应的一组中的所有IC区都具有基本相同的位置效应。方法还包括：使用包括位置效应的校正模型对每一组中的一个IC区执行校正；以及将校正的IC区复制到相应组中的其他IC区。方法还包括将校正的IC设计布局储存在有形的计算机可读介质中以用于进一步的IC工艺阶段。
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公开(公告)号：CN105045946B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510201140.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/36 , G03F7/70441
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)制造方法。方法包括接收IC的设计布局，其中设计布局包括多个非重叠的IC区，并且每一个IC区都包括相同的最初IC图案。方法还包括基于位置效应分析将IC区划分为多组，使得相应的一组中的所有IC区都具有基本相同的位置效应。方法还包括：使用包括位置效应的校正模型对每一组中的一个IC区执行校正；以及将校正的IC区复制到相应组中的其他IC区。方法还包括将校正的IC设计布局储存在有形的计算机可读介质中以用于进一步的IC工艺阶段。
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公开(公告)号：CN108205600A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711047024.2
申请日：2017-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G03F1/36 , G06F17/5081 , G06F17/5072
Abstract: 本公开提供一种掩模优化方法，步骤包括：接收具有一集成电路图案的一集成电路(IC)设计布局；根据一目标放置模型，产生对应于上述集成电路图案的一轮廓的多个目标点，其中上述目标放置模型是根据上述集成电路图案的一分类所选择；以及使用上述目标点对上述集成电路图案执行一光学邻近校正(OPC)，从而产生一修正的集成电路布局。
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公开(公告)号：CN101571678A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810096212.9
申请日：2008-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂去除机台以及光致抗蚀剂去除工艺，光致抗蚀剂去除机台包括加热器、晶圆载具、马达以及高度控制单元。晶圆载具供晶圆相对于加热器作垂直位移，马达分别与晶圆载具以及高度控制单元电性连接，利用高度控制单元控制晶圆停留于至少三个位置，而光致抗蚀剂去除工艺的步骤包括：使得晶圆进入光致抗蚀剂去除机台时，借助晶圆载具使得晶圆位于承载位置；移动晶圆载具，使得晶圆移动至降温位置；移动晶圆载具，使得晶圆移动至工艺位置。本发明能够避免晶圆过热而导致光致抗蚀剂爆裂，由此提升工艺合格率。
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