公开(公告)号：CN109727869A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810272560.0

申请日：2018-03-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈香谷 ,  鄞金木 ,  萧琮介 ,  庄家霖 ,  游力蓁 ,  陈殿豪 ,  王士玮 ,  余德伟 ,  陈建豪 ,  卢柏全 ,  李志鸿 ,  徐志安 ,  洪敏修 ,  黄鸿仪 ,  周俊诚 ,  庄英良 ,  黄彦钧 ,  彭治棠 ,  赵晟博 ,  陈燕铭

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

摘要： 根据本公开一些实施例，提供半导体装置结构的制造方法。上述方法包含形成鳍结构于基底上。上述方法亦包含形成栅极结构于鳍结构上。上述方法还包含形成鳍间隙物于鳍结构的侧壁上，及形成栅极间隙物于栅极结构的侧壁上。此外，上述方法包含形成源/漏极结构于鳍结构上，及沉积虚置材料层以覆盖源/漏极结构。上述方法亦包含移除虚置材料层以露出源/漏极结构及鳍间隙物。上述方法还包含形成硅化物层于源/漏极结构及鳍间隙物上，且形成接触物于硅化物层上。虚置材料层包含锗、非晶硅或旋涂碳。

公开(公告)号：CN114975261A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210285967.3

申请日：2022-03-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邱钰婷 ,  周俊诚 ,  王继欣 ,  林群能 ,  叶明熙

IPC分类号： H01L21/8234

摘要： 本文公开了蚀刻凹槽的改进方法。在一些实施方式中，在干蚀刻源极/漏极接触件上方的氧化物层之后、在清洁之前，氧化氟。因此，在清洁期间形成较少的氢氟酸，这减少了源极/漏极接触件不预期的湿蚀刻。这允许在源极/漏极接触件中形成深度与宽度比在约1.0至约1.4范围的凹槽，并且防止可能由过量氢氟酸引起对源极/漏极下方的硅化物层的损坏。额外或替代地，使用多个湿蚀刻工艺形成凹槽，并且在湿蚀刻工艺之间氧化任何氟残留。因此，每个湿蚀刻的时间可以更短且腐蚀性更小，这允许更好地控制凹槽的尺寸。