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公开(公告)号：CN103809370A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310032512.1
申请日：2013-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0337
Abstract: 一种方法包括形成图案化的硬掩模层，其中，沟槽形成在图案化的硬掩模层中。块状共聚物(BCP)涂层分配在沟槽中，其中，BCP涂层包括聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。对BCP涂层实施退火以形成以交替布局定位的多条PS带和多条PMMA带。选择性地蚀刻PMMA带，其中，PS带保留在沟槽中。本发明还提供了使用定向自组装的光刻工艺。
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公开(公告)号：CN110120335A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910438287.9
申请日：2013-01-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/00
Abstract: 一种方法包括形成图案化的硬掩模层，其中，沟槽形成在图案化的硬掩模层中。块状共聚物(BCP)涂层分配在沟槽中，其中，BCP涂层包括聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。对BCP涂层实施退火以形成以交替布局定位的多条PS带和多条PMMA带。选择性地蚀刻PMMA带，其中，PS带保留在沟槽中。本发明还提供了使用定向自组装的光刻工艺。
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公开(公告)号：CN106206412A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510299027.X
申请日：2015-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/02115 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76808 , H01L21/76811 , H01L21/76816 , H01L23/5283 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明提供了半导体器件制造的方法，其包括提供具有多个沟槽的衬底，多个沟槽设置在形成于衬底上方的介电层中。包括多个开口的通孔图案可限定在衬底上方。间隔件材料层形成在至少一个沟槽的侧壁上。使用通孔图案和间隔件材料层作为掩模元件可在介电层中蚀刻通孔洞。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的互连结构的方法。
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公开(公告)号：CN110600379B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910768482.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486419B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510860265.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在材料层上方形成硬质遮罩(HM)堆叠，此HM堆叠具有第一、第二、第三及第四HM层。方法亦包括在第四HM层中形成第一沟槽、在第一沟槽中形成第一间隔垫，在第四HM层中形成第二沟槽，藉由使用第三HM层作为蚀刻终止层移除第一间隔垫的至少一部分以形成切口，移除由第一沟槽、第二沟槽及切口所曝露的第三及第二HM层的一部分以分别形成延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口。方法亦包括在延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口形成第二间隔垫且移除第二HM层的另一部分以形成第三沟槽。本发明使用硬质遮罩堆叠以在顶部两个HM层形成切口，避免底部HM层曝露于形成沟槽切口的蚀刻工艺。改进工艺视窗并提供形成沟槽及沟槽切口的稳固工艺。
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公开(公告)号：CN104701152A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738338.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110600379A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910768482.8
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/8234 , H01L29/78
Abstract: 一种方法，包括在图案化部件的顶面和侧壁上形成间隔件层，其中，图案化部件在基础层的上面。形成保护层以接触间隔件层的顶面和侧壁表面。保护层的水平部分被移除，其中，在移除之后保留保护层的垂直部分。间隔件层被蚀刻以移除间隔件层的水平部分，其中，间隔件层的垂直部分保留来形成间隔件的部分。本发明还提供具有矩形轮廓的间隔件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106206412B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201510299027.X
申请日：2015-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供了半导体器件制造的方法，其包括提供具有多个沟槽的衬底，多个沟槽设置在形成于衬底上方的介电层中。包括多个开口的通孔图案可限定在衬底上方。间隔件材料层形成在至少一个沟槽的侧壁上。使用通孔图案和间隔件材料层作为掩模元件可在介电层中蚀刻通孔洞。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的互连结构的方法。
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公开(公告)号：CN106486419A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510860265.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L2221/101
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在材料层上方形成硬质遮罩(HM)堆叠，此HM堆叠具有第一、第二、第三及第四HM层。方法亦包括在第四HM层中形成第一沟槽、在第一沟槽中形成第一间隔垫，在第四HM层中形成第二沟槽，藉由使用第三HM层作为蚀刻终止层移除第一间隔垫的至少一部分以形成切口，移除由第一沟槽、第二沟槽及切口所曝露的第三及第二HM层的一部分以分别形成延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口。方法亦包括在延伸的第一、第二沟槽及延伸的切口形成第二间隔垫且移除第二HM层的另一部分以形成第三沟槽。本发明使用硬质遮罩堆叠以在顶部两个HM层形成切口，避免底部HM层曝露于形成沟槽切口的蚀刻工艺。改进工艺视窗并提供形成沟槽及沟槽切口的稳固工艺。
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