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公开(公告)号：CN102315175A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010558961.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/3157 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/05001 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11424 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11622 , H01L2224/1308 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包含形成含有阻挡层及晶种层于阻挡层上的凸块下金属层；及形成掩模于凸块下金属层上。掩模覆盖凸块下金属层的第一部分，并借由掩模中的开口暴露出凸块下金属层的第二部分，其中凸块下金属层的第一部分包含阻挡层部分及晶种层部分。金属凸块形成于开口中及凸块下金属层的第二部分上。随后，将掩模移除。进行湿蚀刻以移除晶种层，及进行干蚀刻以移除阻挡层。本发明的实施例，可显著地降低阻挡层40的底切至1μm或更小。因此，随着由底切所造成的剥离现象减少，金属凸块工艺及重分布线工艺的可靠度可具有显著地进步。
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公开(公告)号：CN113053866B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202011629038.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。在实施例中，导电连接件用于在衬底和上面的屏蔽件之间提供电连接。导电连接件放置在衬底上并且用密封剂密封。一旦被密封，就形成穿过密封剂的开口以暴露导电连接件的部分。穿过密封剂沉积屏蔽件以与导电连接件电连接。
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公开(公告)号：CN110660680B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201910103536.9
申请日：2019-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/52 , H01L21/48 , H01L23/482 , H01L21/60
Abstract: 此处提供形成扇出封装的结构与方法。此处所述的封装包括空腔基板、一或多个半导体装置位于空腔基板的空腔中、以及一或多个重布线结构。实施例包含预先形成于空腔基板中的空腔。多种装置如集成电路晶粒、封装、或类似物可放置在空腔中。亦可形成重布线结构。
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公开(公告)号：CN110648926A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910117198.4
申请日：2019-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/373
Abstract: 提供芯片封装结构的形成方法。此方法包含设置芯片于重布线结构之上。此方法包含形成模塑层于重布线结构之上且相邻芯片。此方法包含部分移除模塑层以形成沟槽于模塑层中，且沟槽与芯片隔开。
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公开(公告)号：CN103545249A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210459353.9
申请日：2012-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/525 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/02331 , H01L2224/03464 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13111 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种形成后钝化互连件的方法，包括：在衬底上方形成钝化层，其中金属焊盘嵌入所述钝化层，在所述钝化层上沉积第一介电层，对所述第一介电层实施第一图案化工艺以形成第一开口，在所述第一开口的上方形成第一种子层，用导电材料填充所述第一开口，在所述第一介电层上沉积第二介电层，对所述第二介电层实施第二图案化工艺以形成第二开口，在所述第二开口上方形成凸块下金属结构，以及在所述凸块下金属结构上方设置互连凸块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471176B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110031317.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/498
Abstract: 示例性结构包括：第一半导体器件，通过第一导电连接件接合至第一再分布结构的第一侧；第一半导体器件包括形成在第一衬底上的第一多个无源元件，第一再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层，第一再分布结构的金属化图案电耦接至第一多个无源元件；第二半导体器件，通过第二导电连接件接合至第一再分布结构的第二侧，第一再分布结构的第二侧与第一再分布结构的第一侧相对，第二半导体器件包括形成在第二衬底上的第二多个无源元件，第一再分布结构的金属化图案电耦接至第二多个无源元件。本申请的实施例还涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113471176A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110031317.1
申请日：2021-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/498
Abstract: 示例性结构包括：第一半导体器件，通过第一导电连接件接合至第一再分布结构的第一侧；第一半导体器件包括形成在第一衬底上的第一多个无源元件，第一再分布结构包括其中具有金属化图案的多个介电层，第一再分布结构的金属化图案电耦接至第一多个无源元件；第二半导体器件，通过第二导电连接件接合至第一再分布结构的第二侧，第一再分布结构的第二侧与第一再分布结构的第一侧相对，第二半导体器件包括形成在第二衬底上的第二多个无源元件，第一再分布结构的金属化图案电耦接至第二多个无源元件。本申请的实施例还涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102074486A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010516275.2
申请日：2010-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/0381 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/81022 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供集成电路结构的形成方法，包含在晶片上形成含铜晶种层，以及在含铜晶种层暴露出来的表面上进行表面残留物去除步骤，表面残留物去除步骤使用含有氟与氧的工艺气体进行，然后在含铜晶种层暴露出来的表面上使用含氮气体进行还原吹净步骤，之后在含铜晶种层上电镀含铜层。本发明可以明显地改善形成凸块下金属层的工艺强健性。
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公开(公告)号：CN110957281B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201910305554.5
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 在一个实施例中，一种封装件包括：第一再分布结构；第一集成电路管芯，连接到第一再分布结构；环形衬底，环绕第一集成电路管芯，环形衬底连接到第一再分布结构，环形衬底包括芯和延伸穿过芯的导电通孔；围绕环形衬底和第一集成电路管芯的密封剂，密封剂延伸穿过环形衬底；在密封剂上的第二再分布结构，第二再分布结构通过环形衬底的导电通孔连接到第一再分布结构。本发明实施例涉及集成电路封装件和方法。
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公开(公告)号：CN113053866A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011629038.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。在实施例中，导电连接件用于在衬底和上面的屏蔽件之间提供电连接。导电连接件放置在衬底上并且用密封剂密封。一旦被密封，就形成穿过密封剂的开口以暴露导电连接件的部分。穿过密封剂沉积屏蔽件以与导电连接件电连接。
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