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公开(公告)号：CN103215549B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210206723.8
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/5806 , H01L21/67115 , H01L21/76838
Abstract: 本发明涉及被配置成加热半导体衬底或晶圆的物理汽相沉积系统。在一些实施例中，所公开的物理汽相沉积系统包括至少一个热源，热源具有加热衬底的一个或多个灯模块。屏蔽装置可以将灯模块和衬底分离。在一些实施例中，屏蔽装置包括一体式装置或分体式装置。所公开的物理汽相沉积系统可以加热半导体衬底，进行在半导体衬底上方沉积的金属膜回流而无需单独的室，因此降低处理时间，需要较少的热预算并且降低衬底损伤。本发明还提供了用于金属气隙填充的屏蔽设计。
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公开(公告)号：CN101330003B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200810085960.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN103147071B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210271435.0
申请日：2012-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/45565
Abstract: 本公开提供了控制化学气相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓，以及第三轮廓彼此不同。
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公开(公告)号：CN103249241A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210208923.7
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: C23C14/351 , H01J37/3211 , H01J37/34 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线圈内作用于离子以在线圈内部形成等离子体。而且，独立磁场在线圈之间彼此叠加以在线圈外形成等离子体。因此，所公开的等离子体处理系统可以沿着工件的圆周以高度的均匀性（例如，没有死空间）形成连续延伸的等离子体。本发明还提供了新型多线圈靶设计。
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公开(公告)号：CN103219215A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210195495.9
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32669
Abstract: 本发明涉及新相干多侧边电磁体。在一些实施例中，本公开涉及等离子体处理系统，其生成具有与工件大小无关的最大强度的磁场。等离子体处理系统具有多个侧边电磁体，其具有与工件大小无关的大小。侧边电磁体定位在被配置为容纳半导体工件的处理器的外围的周围。当电流被提供给侧边电磁体时，从工件周围的不同位置发出独立的磁场。独立磁场有助于形成控制处理室内的等离子体分布的总磁场。由于多个独立侧边电磁体的大小与工件大小无关，所以多个侧边电磁体可以生成具有与工件大小无关的最大场强度的磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101330003A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810085960.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN110230030A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910530420.3
申请日：2012-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 提供用于可单独供电的多个靶体组件的薄膜沉积系统和方法。每个靶体组件都包括靶体以及相关的磁体或磁体组。本发明提供了通过对靶体布置单独供电的多个电源产生的可调膜轮廓。可以对提供给靶体布置的功率的相对量进行定制以提供期望的膜，并且可以及时改变提供给靶体布置的功率的相对量以产生具有不同特性的膜。本发明提供了具有多个靶体和磁体的沉积室的PVD装置和方法。
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公开(公告)号：CN103249241B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201210208923.7
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: C23C14/351 , H01J37/3211 , H01J37/34 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线圈内作用于离子以在线圈内部形成等离子体。而且，独立磁场在线圈之间彼此叠加以在线圈外形成等离子体。因此，所公开的等离子体处理系统可以沿着工件的圆周以高度的均匀性（例如，没有死空间）形成连续延伸的等离子体。本发明还提供了新型多线圈靶设计。
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公开(公告)号：CN103215549A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210206723.8
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/5806 , H01L21/67115 , H01L21/76838
Abstract: 本发明涉及被配置成加热半导体衬底或晶圆的物理汽相沉积系统。在一些实施例中，所公开的物理汽相沉积系统包括至少一个热源，热源具有加热衬底的一个或多个灯模块。屏蔽装置可以将灯模块和衬底分离。在一些实施例中，屏蔽装置包括一体式装置或分体式装置。所公开的物理汽相沉积系统可以加热半导体衬底，进行在半导体衬底上方沉积的金属膜回流而无需单独的室，因此降低处理时间，需要较少的热预算并且降低衬底损伤。本发明还提供了用于金属气隙填充的屏蔽设计。
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公开(公告)号：CN103147071A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210271435.0
申请日：2012-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/45565
Abstract: 本公开提供了控制化学汽相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓，以及第三轮廓彼此不同。
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