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公开(公告)号：CN114724614A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210179905.4
申请日：2022-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种磁铁组态系统与在磁阻式随机存取记忆体晶片中侦测磁穿隧接面矫顽磁力弱位元的方法，揭露的方法包括将含有磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistive random‑access memory；MRAM)元件的半导体晶圆放置在第一磁场中，此第一磁场具有足以磁极化MRAM位元的强度且在晶圆的整个区域上具有实质均匀的场强度与方向。此方法还包括将晶圆放置在第二磁场中，此第二磁场有相反的场方向、在晶圆的整体区域上有实质均匀的场强度与方向与小于磁性反转MRAM位元的设计门槛。此方法还包括通过找出因暴露于第二磁场而被磁极反转的失效MRAM位元，判定失效MRAM位元存在。通过电性读取数据位元，或者由晶片探针读取MRAM元件的电压、电流、电阻等的一或多者还可以区分失效的MRAM位元。
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公开(公告)号：CN103249241B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201210208923.7
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: C23C14/351 , H01J37/3211 , H01J37/34 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线圈内作用于离子以在线圈内部形成等离子体。而且，独立磁场在线圈之间彼此叠加以在线圈外形成等离子体。因此，所公开的等离子体处理系统可以沿着工件的圆周以高度的均匀性（例如，没有死空间）形成连续延伸的等离子体。本发明还提供了新型多线圈靶设计。
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公开(公告)号：CN103215549A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210206723.8
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/5806 , H01L21/67115 , H01L21/76838
Abstract: 本发明涉及被配置成加热半导体衬底或晶圆的物理汽相沉积系统。在一些实施例中，所公开的物理汽相沉积系统包括至少一个热源，热源具有加热衬底的一个或多个灯模块。屏蔽装置可以将灯模块和衬底分离。在一些实施例中，屏蔽装置包括一体式装置或分体式装置。所公开的物理汽相沉积系统可以加热半导体衬底，进行在半导体衬底上方沉积的金属膜回流而无需单独的室，因此降低处理时间，需要较少的热预算并且降低衬底损伤。本发明还提供了用于金属气隙填充的屏蔽设计。
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公开(公告)号：CN119272696A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310828291.2
申请日：2023-07-07
Applicant: 创意电子股份有限公司 , 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/39 , G01R31/28 , G06N3/0499 , G06N3/08
Abstract: 一种用于估计多个晶片的效能值的方法、运算系统及非暂态计算机可读取储存媒体。方法包含以下步骤：(A)使用待划分晶片群组的多个振荡周期向量训练第一神经网络模块以得到训练误差；(B)依据训练误差将待划分晶片群组分为多个已划分晶片群组；(C)使用多个已划分晶片群组的多个振荡周期向量训练第二神经网络模块，以得到分别对应于多个已划分晶片群组的多个权重向量。每个已划分晶片群组的振荡周期向量与此已划分晶片群组的权重向量的乘积，大于此已划分晶片群组的振荡周期向量与每个其余已划分晶片群组的权重向量的乘积。上述方法、非暂态计算机可读取储存媒体及运算系统可估计不同工艺温度电压对延迟(PVT‑to‑delay)敏感度的多个晶片的效能值。
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公开(公告)号：CN103215549B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210206723.8
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/324 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/5806 , H01L21/67115 , H01L21/76838
Abstract: 本发明涉及被配置成加热半导体衬底或晶圆的物理汽相沉积系统。在一些实施例中，所公开的物理汽相沉积系统包括至少一个热源，热源具有加热衬底的一个或多个灯模块。屏蔽装置可以将灯模块和衬底分离。在一些实施例中，屏蔽装置包括一体式装置或分体式装置。所公开的物理汽相沉积系统可以加热半导体衬底，进行在半导体衬底上方沉积的金属膜回流而无需单独的室，因此降低处理时间，需要较少的热预算并且降低衬底损伤。本发明还提供了用于金属气隙填充的屏蔽设计。
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公开(公告)号：CN103249241A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210208923.7
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: C23C14/351 , H01J37/3211 , H01J37/34 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线圈内作用于离子以在线圈内部形成等离子体。而且，独立磁场在线圈之间彼此叠加以在线圈外形成等离子体。因此，所公开的等离子体处理系统可以沿着工件的圆周以高度的均匀性（例如，没有死空间）形成连续延伸的等离子体。本发明还提供了新型多线圈靶设计。
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公开(公告)号：CN103219215A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210195495.9
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01J37/32669
Abstract: 本发明涉及新相干多侧边电磁体。在一些实施例中，本公开涉及等离子体处理系统，其生成具有与工件大小无关的最大强度的磁场。等离子体处理系统具有多个侧边电磁体，其具有与工件大小无关的大小。侧边电磁体定位在被配置为容纳半导体工件的处理器的外围的周围。当电流被提供给侧边电磁体时，从工件周围的不同位置发出独立的磁场。独立磁场有助于形成控制处理室内的等离子体分布的总磁场。由于多个独立侧边电磁体的大小与工件大小无关，所以多个侧边电磁体可以生成具有与工件大小无关的最大场强度的磁场。
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