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公开(公告)号：CN103872012B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310087533.3
申请日：2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01Q1/22
CPC classification number: H01Q1/2283 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6677 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/36 , H01Q9/0407 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种天线装置，包括具有多个有源电路的半导体管芯；形成在半导体管芯上方的模塑料层，其中半导体管芯和模塑料层形成扇出封装件；形成在模塑料层上方且在半导体管芯的第一侧上的第一介电层；形成在第一介电层中的第一再分配层；以及形成在半导体管芯上方并且通过第一再分配层连接至多个有源电路的天线结构。本发明还公开了一种形成天线装置的方法。
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公开(公告)号：CN104037157A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310226499.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01P1/2007 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H03H7/0138 , H03H2001/0092 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104037157B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310226499.3
申请日：2013-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01P1/2007 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H03H7/0138 , H03H2001/0092 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了用于集成电路的扼流器以及用于选择性过滤一个或多个RF频率带宽内的RF信号的一种或多种技术及系统。具体地，提供了被配置为选择性过滤这种RF信号的诸如3D RF扼流器或半集总RF扼流器的RF扼流器。RF扼流器包括被配置为RF扼流器的电感元件的金属连线。在一个实例中，诸如金属开路枝节的一条或多条金属线被形成为RF扼流器的电容元件。在另一个实例中，一个或多个通孔被形成为RF扼流器的电容元件。以这种方式，RF扼流器允许DC电源信号通过金属连线而阻止一个或多个RF频带内的RF信号通过金属连线。
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公开(公告)号：CN103872012A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310087533.3
申请日：2013-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L25/16 , H01Q1/22
CPC classification number: H01Q1/2283 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2223/6677 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01Q1/36 , H01Q9/0407 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种天线装置，包括具有多个有源电路的半导体管芯；形成在半导体管芯上方的模塑料层，其中半导体管芯和模塑料层形成扇出封装件；形成在模塑料层上方且在半导体管芯的第一侧上的第一介电层；形成在第一介电层中的第一再分配层；以及形成在半导体管芯上方并且通过第一再分配层连接至多个有源电路的天线结构。本发明还公开了一种形成天线装置的方法。
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公开(公告)号：CN103855458B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310080407.5
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/8203 , H01L2224/9222 , H01L2924/18162 , H01Q1/38
Abstract: 一种器件包括贴片天线，该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。
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公开(公告)号：CN103855458A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310080407.5
申请日：2013-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01Q9/0407 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/8203 , H01L2224/9222 , H01L2924/18162 , H01Q1/38
Abstract: 一种器件包括贴片天线，该贴片天线包括馈线和位于馈线上方的接地板。接地板具有位于其中的孔。低k介电模块位于孔的上方并且与孔对准。贴片位于低k介电模块的上方。本发明还提供了在天线中嵌入低K材料。
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公开(公告)号：CN220873557U
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202322344199.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提供一种包括具有一或多个凹口的环结构的半导体封装。所述半导体封装可包括：衬底；第一封装组件，接合至衬底，其中第一封装组件可包括第一半导体晶粒；环结构，贴合至衬底，其中环结构在俯视图中可包围第一封装组件；以及盖结构，贴合至环结构。环结构可包括：第一段，沿衬底的第一边缘延伸；以及第二段，沿衬底的第二边缘延伸。第一段与第二段可在环结构的第一隅角处交会，且环结构的第一凹口可设置于环结构的第一隅角处。通过在环结构的选择位置处设置凹口，可防止或减少粘合剂自盖结构及环结构的分层，而可提高半导体封装的长期可靠性。
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