公开(公告)号：CN107134408B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201611190738.4

申请日：2016-12-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄信华 ,  林永隆 ,  刘丙寅 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起；将已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆浸没在超声波传输介质中；产生超声波；以及通过超声波传输介质，将超声波传导至已接合的第一晶圆和第二晶圆并且持续预定的时间段。本发明还公开了相关的用于至少减弱接合晶圆的接合强度的半导体制造系统。

公开(公告)号：CN110634728B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201910433405.7

申请日：2019-05-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王景宏 ,  刘丙寅 ,  林勇志 ,  杜友伦

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/68

摘要： 本申请的各种实施例指向一种以低对准误差及高生产量进行工件级对准的方法。在一些实施例中，所述方法包括：基于来自成像装置的反馈将第一工件上的第一对准标记对准所述成像装置的视场(FOV)，并进一步基于来自所述成像装置的反馈将第二工件上的第二对准标记对准所述第一对准标记。在所述第一对准标记的所述对准期间，所述第二工件处于所述视场外。所述第二对准标记的所述对准是在不将所述第一对准标记移动出所述视场的情况下执行。此外，在所述第二对准标记的所述对准期间，所述成像装置观察所述第二对准标记，且进一步穿过所述第二工件观察所述第一对准标记。所述成像装置可例如利用反射红外辐射执行成像。

公开(公告)号：CN107445134B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201710244191.X

申请日：2017-04-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林宏桦 ,  刘丙寅 ,  刘冠良 ,  蔡嘉雄 ,  亚历山大·卡利尼克斯

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

摘要： 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。

公开(公告)号：CN109755267A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811324426.7

申请日：2018-11-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  林勇志 ,  陈祈铭

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488

摘要： 本发明实施例揭露一种半导体结构和相关联的制造方法。所述半导体结构包含：第一发光二极管LED层，其包含第一色彩类型的第一LED，所述第一LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第二LED层，其在所述第一LED层上方，所述第二LED层包含第二色彩类型的第二LED，且所述第二LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；和第三LED层，其在所述第二LED层上方，所述第三LED层包含第三色彩类型的第三LED，且所述第三LED层具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；其中所述第一色彩类型、所述第二色彩类型和所述第三色彩类型彼此不同。

公开(公告)号：CN103378108B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201210269091.X

申请日：2012-07-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈思莹 ,  刘丙寅 ,  赵亦平 ,  王子睿 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  赵兰璘

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L27/1469 ,  H01L25/16 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了用于封装背照式(BSI)图像传感器或者具有专用集成电路(ASIC)的传感器器件的方法和装置。根据实施例，传感器器件可不使用载具晶圆而与ASIC面对面接合在一起，其中传感器的接合焊盘相对应地以一对一的方式与ASIC的接合焊盘对准。传感器的一列像素可共用通过共用的内金属线连接的接合焊盘。接合焊盘可以具有不同的尺寸并且配置在以相互分离的不同行中。可增加附加的伪焊盘以增强传感器和ASIC之间的接合。本发明还公开了用于图像传感器封装的方法和装置。

公开(公告)号：CN104867895A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410344902.7

申请日：2014-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  匡训冲 ,  萧清泰 ,  黄信华 ,  赵兰璘

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001

摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。

公开(公告)号：CN104517951A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410385345.3

申请日：2014-08-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌 ,  曾炳南

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种器件包括两个BSI图像传感器元件和第三元件。第三元件使用元件级堆叠方法接合在两个BSI图像传感器元件之间。每个BSI图像传感器元件都包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。BSI图像传感器元件的衬底包括光电二极管区，光电二极管区用于响应于入射到衬底的第二侧面上的辐射累积图像电荷。第三元件也包括衬底和设置在衬底的第一侧面上方的金属叠层。两个BSI图像传感器元件和第三元件的金属叠层电耦合。本发明还提供了具有晶圆级堆叠的双面BSI图像传感器。

公开(公告)号：CN104051288A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310485415.8

申请日：2013-10-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  刘人诚 ,  陈晓萌 ,  黄信华 ,  林宏桦 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/187 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08112 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 公开一种用于混合晶圆接合的方法。在一个实施例中，公开了一种方法，包括：在至少两个半导体衬底之上的介电层中形成金属焊盘层；对半导体衬底执行化学机械抛光，以暴露金属焊盘层的表面，并且平坦化介电层，以在每个半导体衬底上形成接合表面；对至少两个半导体衬底执行氧化工艺，以氧化金属焊盘层，形成金属氧化物；执行蚀刻以去除金属氧化物，使金属焊盘层的表面从至少两个半导体衬底中的每个的介电层的接合表面凹陷；使至少两个半导体衬底的接合表面在物理上接触；以及执行热退火，以在半导体衬底的金属焊盘之间形成接合。公开了附加方法。

公开(公告)号：CN103915422A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310105508.3

申请日：2013-03-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 朱立晟 ,  刘丙寅 ,  黄信华 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  郑钧文

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2207/017 ,  B81C2203/0792

摘要： 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。

公开(公告)号：CN103378109A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210272395.1

申请日：2012-08-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王子睿 ,  陈思莹 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种背照式图像传感器包括光电二极管以及位于第一芯片中的第一晶体管，其中，第一晶体管电耦合至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括在第二芯片中形成的第二晶体管以及在第三芯片中形成的多个逻辑电路，其中，第二芯片堆叠在第一芯片上并且第三芯片堆叠在第二芯片上。逻辑电路、第二晶体管和第一晶体管通过多个接合焊盘和通孔相互耦合。本发明还提供了用于垂直集成的背照式图像传感器的装置。