公开(公告)号：CN107068608B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201611157626.9

申请日：2016-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 马志宇 ,  林逸启 ,  潘正扬 ,  骆家駉

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67

摘要： 本发明的实施例提供一种在半导体制造中的晶圆支撑结构、以及器件和用于制造半导体的方法。根据本发明的一些实施例，在半导体制造中的晶圆支撑结构包括透明环和至少两个臂。臂连接至透明环。

公开(公告)号：CN107068608A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611157626.9

申请日：2016-12-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 马志宇 ,  林逸启 ,  潘正扬 ,  骆家駉

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67

摘要： 本发明的实施例提供一种在半导体制造中的晶圆支撑结构、以及器件和用于制造半导体的方法。根据本发明的一些实施例，在半导体制造中的晶圆支撑结构包括透明环和至少两个臂。臂连接至透明环。

公开(公告)号：CN106960796A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201611255416.3

申请日：2016-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪世玮 ,  林剑锋 ,  骆家駉

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/045 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66795

摘要： 一种形成半导体结构的方法，包括：(i)形成包含锗的特征结构于基板上；(ii)移除特征结构的一部分，使得特征结构的内部部分暴露出；(iii)将暴露出的内部部分的表面暴露于含氧的环境；以及(iv)使用包含水的液体处理暴露出的内部部分的表面。

公开(公告)号：CN106935574A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201611007311.6

申请日：2016-11-16

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪世玮 ,  骆家駉 ,  林剑锋

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G01B11/0641 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L22/12 ,  H01L25/00

摘要： 本案提供一种控片制作装置。在各实施例中，控片制作装置包括晶圆基板移除元件及磊晶形成元件。在各实施例中，控片包括基板、凹部、阻挡层及磊晶。基板具有表面，且凹部位于基板的表面中。除了凹部，阻挡层位于基板的表面上方。磊晶位于凹部中。在各实施例中，通过偏振光测量控片的磊晶的厚度。

公开(公告)号：CN106926118A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610994208.9

申请日：2016-11-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡腾群 ,  李胜男 ,  卢永诚 ,  骆家駉 ,  郑双铭 ,  杨育佳

IPC分类号： B24B37/32

CPC分类号： B24B37/20 ,  B24B21/004 ,  B24B21/008 ,  B24B21/06 ,  B24B27/0076 ,  B24B37/105 ,  B24B37/32

摘要： 一种抛光机，包含晶圆载体、抛光头、移动机构、及旋转机构。晶圆载体具有支撑面。支撑面经配置以在其上载运晶圆。在晶圆载体上设置抛光头。抛光头具有抛光面。抛光头的抛光面小于晶圆载体的支撑面。移动机构经配置以相对于晶圆载体移动抛光头。旋转机构经配置以相对于晶圆载体旋转抛光头。

公开(公告)号：CN103426882B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201310002693.3

申请日：2013-01-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江国诚 ,  朱熙甯 ,  骆家駉 ,  张惠政 ,  苏俊钟

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924

摘要： 公开一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。该半导体器件还包括在位于第一区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一缓冲层，以及在位于第二区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二缓冲层。该半导体器件还包括在位于第一区域中的第一缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一鳍结构，以及在位于第二区域中的第二缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二鳍结构。第一缓冲层的顶面不同于第二缓冲层的顶面。本发明提供了CMOS器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103426882A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310002693.3

申请日：2013-01-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江国诚 ,  朱熙甯 ,  骆家駉 ,  张惠政 ,  苏俊钟

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924

摘要： 公开一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。该半导体器件还包括在位于第一区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一缓冲层，以及在位于第二区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二缓冲层。该半导体器件还包括在位于第一区域中的第一缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一鳍结构，以及在位于第二区域中的第二缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二鳍结构。第一缓冲层的顶面不同于第二缓冲层的顶面。本发明提供了CMOS器件及其形成方法。