公开(公告)号：CN102208409A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201010501849.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  吴伟诚 ,  魏修平 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先 ,  曾明鸿

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供集成电路结构，包括半导体芯片，金属垫在半导体芯片的主要表面上，以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触，金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接，伪图案形成在与金属垫相同的水平面上，且由与金属垫相同的金属材料形成。本发明对于改善芯片的可靠度具有显著的效果。

公开(公告)号：CN101882608B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010173932.8

申请日：2010-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  刘豫文 ,  陈英儒 ,  魏修平

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种凸块垫结构，此凸块垫结构包含：一基材，此基材包含上层；一强化垫位于此上层上；一中间层位于强化垫的上方；一中间连接垫位于中间层上；一外层位于中间连接垫的上方；以及一凸块底层金属(UBM)经由外层中的开口连接至中间连接垫。另外的实施例可包含一介层窗物理性耦合中间连接垫至强化垫。介层窗可包含一特征，此特征选自于由实心介层窗、实质环状介层窗与5×5的阵列介层窗。另外，又一实施例可包含第二强化垫、以及第二介层窗物理性耦合强化垫至第二强化垫。

公开(公告)号：CN101882608A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010173932.8

申请日：2010-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  刘豫文 ,  陈英儒 ,  魏修平

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种凸块垫结构，此凸块垫结构包含：一基材，此基材包含上层；一强化垫位于此上层上；一中间层位于上层的上方；一中间连接垫位于中间层上；一外层位于中间层的上方；以及一凸块底层金属(UBM)经由外层中的开口连接至中间连接垫。另外的实施例可包含一介层窗物理性耦合中间连接垫至强化垫。介层窗可包含一特征，此特征选自于由实心介层窗、实质环状介层窗与5×5的阵列介层窗。另外，又一实施例可包含第二强化垫、以及第二介层窗物理性耦合强化垫至第二强化垫。本发明还涉及一种凸块垫结构的制造方法。

公开(公告)号：CN102208409B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201010501849.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  吴伟诚 ,  魏修平 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先 ,  曾明鸿

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供集成电路结构，包括半导体芯片，金属垫在半导体芯片的主要表面上，以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触，金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接，伪图案形成在与金属垫相同的水平面上，且由与金属垫相同的金属材料形成。本发明对于改善芯片的可靠度具有显著的效果。