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公开(公告)号：CN106971962A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611222858.8
申请日：2016-12-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67115
摘要： 本发明的实施例提供了一种半导体制造设备，包括处理室、至少一个反射器和至少一个电磁波发射器件。反射器存在于处理室中。在处理室中，电磁波发射器件存在于反射器与晶圆之间。电磁波发射器件配置为向晶圆发射电磁波光谱。关于电磁波光谱，反射器具有对于Al2O3的相对反射率，并且反射器的相对反射率在从约70％至约120％的范围内。本发明的实施例还提供了一种用于处理晶圆的方法。
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公开(公告)号：CN103871839B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201310136296.5
申请日：2013-04-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/04 , C11D11/0047 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明涉及了一种清洁晶圆的装置，该装置包括腔室、处在腔室内部的可旋转衬底支持件、位于可旋转衬底支持件上方的喷嘴、面朝下方且与喷嘴流体连接的盖状件。该可旋转衬底支持件被配置成在其上装配一个或多个半导体晶圆。该喷嘴被配置成向一个或多个半导体晶圆上喷洒清洁介质。盖状件的形状具有带有顶部截面区域的顶部边缘和带有底部截面区域的底部边缘。本发明还提供了一种清洁晶圆的装置和方法。
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公开(公告)号：CN103377890B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210309438.9
申请日：2012-08-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L23/544 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/681 , H01L21/268 , H01L21/67282 , H01L21/683 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种定向半导体晶圆的方法。该方法包括：关于中心轴旋转晶圆；使旋转晶圆的多个边缘部分暴露在来自一个或多个光源的具有预定波长的光下；在旋转晶圆的多个边缘部分中的至少一部分中检测表面下标记；以及使用所检测到的表面下标记作为参考定向晶圆。本发明还提供了用于制造半导体晶圆的方法。
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公开(公告)号：CN103871839A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310136296.5
申请日：2013-04-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/04 , C11D11/0047 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/67023 , B08B3/024 , H01L21/02057
摘要： 本发明涉及了一种清洁晶圆的装置，该装置包括腔室、处在腔室内部的可旋转衬底支持件、位于可旋转衬底支持件上方的喷嘴、面朝下方且与喷嘴流体连接的盖状件。该可旋转衬底支持件被配置成在其上装配一个或多个半导体晶圆。该喷嘴被配置成向一个或多个半导体晶圆上喷洒清洁介质。盖状件的形状具有带有顶部截面区域的顶部边缘和带有底部截面区域的底部边缘。本发明还提供了一种清洁晶圆的装置和方法。
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公开(公告)号：CN103377890A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210309438.9
申请日：2012-08-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/268 , H01L23/544 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/681 , H01L21/268 , H01L21/67282 , H01L21/683 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种定向半导体晶圆的方法。该方法包括：关于中心轴旋转晶圆；使旋转晶圆的多个边缘部分暴露在来自一个或多个光源的具有预定波长的光下；在旋转晶圆的多个边缘部分中的至少一部分中检测表面下标记；以及使用所检测到的表面下标记作为参考定向晶圆。本发明还提供了用于制造半导体晶圆的方法。
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