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公开(公告)号:CN1550030A
公开(公告)日:2004-11-24
申请号:CN01816168.5
申请日:2001-08-22
申请人: 哈佛学院董事会
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要: 是下列至少其中之一的体搀杂半导体:单晶体;拉长且体搀杂的半导体,所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸;以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核;以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长,并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点,具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有,原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件,该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个,并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体,包括这类半导体的阵列,能被组合以形成器件,例如,形成器件的交p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象,并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。
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公开(公告)号:CN101887935A
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN201010206782.6
申请日:2001-08-22
申请人: 哈佛学院董事会
CPC分类号: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供体掺杂半导体,其至少是下列其中之一:单晶体;拉长且体掺杂的半导体,所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸;至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体,其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法,制造器件的方法,半导体器件,制造纳米线半导体器件的方法,用纳米线制造发光二极管的方法,制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法,在表面上装配多个拉长结构的方法,在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。
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公开(公告)号:CN101798057A
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200910205893.2
申请日:2001-08-22
申请人: 哈佛学院董事会
IPC分类号: B82B3/00 , B82B1/00 , H01L21/335 , H01L21/77 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L33/00 , H01L29/88 , H01L29/872 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/82 , H01L27/24 , H01S5/00 , H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/101 , H01L31/042 , H01L27/00 , H01L25/00
CPC分类号: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要: 本申请涉及生长半导体纳米线的方法,所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线,每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分,选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20%的直径变化,使得根据该方法制造的一组半导体纳米线的直径变化小于20%。
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公开(公告)号:CN101887935B
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201010206782.6
申请日:2001-08-22
申请人: 哈佛学院董事会
CPC分类号: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供体掺杂半导体,其至少是下列其中之一:单晶体;拉长且体掺杂的半导体,所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸;至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体,其中由体掺杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体掺杂半导体相关的生长半导体的方法,制造器件的方法,半导体器件,制造纳米线半导体器件的方法,用纳米线制造发光二极管的方法,制造具有体掺杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法,在表面上装配多个拉长结构的方法,在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。
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公开(公告)号:CN1996613A
公开(公告)日:2007-07-11
申请号:CN200610139984.7
申请日:2001-08-22
申请人: 哈佛学院董事会
CPC分类号: H01L29/16 , H01L29/0673 , H01L29/1602
摘要: 本发明提供体搀杂半导体,其至少是下列其中之一:单晶体;拉长且体搀杂的半导体,所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸;至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的独立式且体搀杂的半导体,其中由体搀杂的半导体剖面产生的现象表现出所述剖面尺寸所引起的量子限制。此外还提供与体搀杂半导体相关的生长半导体的方法,制造器件的方法,半导体器件,制造纳米线半导体器件的方法,用于用纳米线制造发光二极管的方法,制造具有体搀杂半导体部件和一个和多个其他部件的装置的方法,在表面上装配多个拉长结构的方法,在表面上装配一个或更多拉长结构的系统以及半导体纳米线选择性地对准和定位在基体上的方法。
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公开(公告)号:CN100565783C
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN01816168.5
申请日:2001-08-22
申请人: 哈佛学院董事会
IPC分类号: H01L21/00
CPC分类号: H01L29/0665 , B01J23/50 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/0013 , B01J37/349 , B81C1/0019 , B81C1/00206 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B11/00 , C30B25/005 , C30B29/605 , G01N27/4146 , G01N33/54373 , G11C13/0014 , G11C13/0019 , G11C13/025 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L23/53276 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/18 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/267 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L51/002 , H01L51/0048 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/847 , Y10S977/858 , Y10S977/882 , Y10S977/883 , Y10S977/892 , Y10S977/936 , Y10T428/24 , H01L2924/00
摘要: 是下列至少其中之一的体搀杂半导体:单晶体;拉长且体搀杂的半导体,所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸;以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体可能包含一个包含第一半导体的内核;以及一个包含不同于第一半导体的材料的外壳。这样的半导体可能被拉长,并且可能在沿这样的半导体的纵剖面上的任意点,具有大于4∶1、或者大于10∶1、或者大于100∶1、或者甚至大于1000∶1的剖面长度和最大宽度的比值。这样的半导体的至少一个部分可能(具有,原文丢失have)小于200纳米、或小于150纳米、或小于100纳米、或小于80纳米、或小于70纳米、或小于60纳米、或小于40纳米、或小于20纳米、或小于10纳米、或者甚至小于5纳米的最小宽度。这样的半导体可能是单晶体且是独立式的。这样的半导体可能或者是轻n搀杂、重n搀杂、轻p搀杂或重p搀杂的。这样的半导体可能在生长过程中被搀杂。这样的半导体可能是器件的零件,该器件可能包括多种器件及其组合中的任一个,并且多种装配技术能被用于用这样的半导体制造器件。两个或更多这样的半导体,包括这类半导体的阵列,能被组合以形成器件,例如,形成器件的交叉p-n结。这样的器件在某些尺寸上可能表现出量子限制和其他的量子现象,并且从一个或更多这样的半导体发射的光的波长能够通过选择这样的半导体的宽度来控制。这样的半导体和以及用其制造的器件能被用于多种应用。
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