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公开(公告)号：CN205595324U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201521074868.2
申请日：2015-12-21
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/482
摘要： 本实用新型提供一种新型封装，所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。本实用新型的新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题，有助于提高器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN105047542B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510561169.9
申请日：2015-09-06
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN106611700B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN106611700A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/04
CPC分类号： H01L21/045
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN105118786A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510559434.X
申请日：2015-09-06
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型碳化硅外延衬底；2)所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述导电沟道区域的电流上行侧和下行侧分别形成第一和第二杂质区域；4)制造初始栅极；5)氧化初始栅极形成栅极电介质层；6)于所述栅极电介质层上形成导电的栅电极；7)形成第一接触和栅极接触；8)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明方法避免了一次性形成较厚的栅极电介质层，改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，栅极电介质和沟道区域界面处形成的碳聚集，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN105047542A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510561169.9
申请日：2015-09-06
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L29/401 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/7827
摘要： 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET功率器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：1)提供第一导电类型的碳化硅外延衬底；2)于所述外延衬底上制造第二导电类型的碳化硅阱区；3)于所述碳化硅阱区表面形成第一杂质区域；4)于所述第一杂质区域制备穿过所述第一杂质区域和所述碳化硅阱区延伸至所述外延层中的沟槽；5)于所述沟槽内表面形成初始栅极；6)氧化所述初始栅极形成栅极电介质层；7)于所述栅极电介质层上制作栅电极；8)于所述碳化硅阱区和第一杂质区域表面上形成第一接触；9)于所述碳化硅衬底的背面形成第二接触。本发明改善了碳化硅氧化形成栅极电介质时，于沟道区域界面处形成碳聚集的现象，提高了栅极电介质层质量。
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公开(公告)号：CN205539079U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620067570.7
申请日：2016-01-22
摘要： 本实用新型提供的一种柔性探针，探针包括支撑臂、柔性接触探针及柔性连接点，柔性连接可固定连接或可拆卸，柔性接触探针为二维或三维结构；柔性接触探针为烟斗状或汤匙状且其空间体积为1μm3～0.1m3。本实用新型提供的探针带有可固定、可拆卸的柔性接触点，便于更换受损的探针；采用二维或三维结构的烟斗状或汤匙状结构，替换现有技术中的一维点接触结构的探针，能避免在芯片测试过程中损伤芯片表面金属层及损毁电器件；该探针与芯片电极接触面大，能在大电流器件测试过程中使电流分布更均匀，避免一维点状探针尖端带电打火烧毁器件，显著提高了电器件芯片级测试过程的安全性。
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公开(公告)号：CN115236479A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210924234.X
申请日：2022-08-01
申请人： 国网智能电网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了一种基于SiC器件的老化试验平台及退化原因的分辨方法，该平台包括恒温箱、电源模块、信号采集装置以及信号处理装置；恒温箱用于为待测SiC器件提供预设温度；电源模块用于为待测SiC器件提供脉冲电流；信号采集装置用于采集待测SiC器件重复脉冲电流试验前的静态特性参数、重复脉冲电流试验后的静态特性参数和动态特性参数以及裂片后的扫描电镜断面图像；信号处理装置用于判断待测SiC器件的退化原因是否包含双极退化或栅氧退化。通过实施本发明，将待测SiC器件置于恒温箱中，能够提高测量的静态特性参数和动态特性参数的准确性，在判断退化原因时，加入了裂片后的扫描电镜断面图像，从而使得判断结果更加准确。
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公开(公告)号：CN107884740A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710968953.0
申请日：2017-10-18
申请人： 国网天津市电力公司电力科学研究院 , 国网天津市电力公司 , 国家电网公司
摘要： 本发明涉及一种电能计量装置现场检验智能管理系统，包括人员信息管理模块、试验设备管理模块、地理信息管理模块、数据信息管理模块以及通信接口管理模块，通过模块间的相互作用，从而完成电能计量装置现场检工作的整体工作流程。本发明改变了电能计量装置现场检验工作原有的粗放式管理模式，将电能表现场检验、电压和电流互感器现场检验、电能计量二次回路现场检验等各类电能计量装置现场检验工作进行有机整合，利用大数据技术和可视化技术使现场检验数据得到有效积累和利用。极大地提高了电能计量装置现场检验自动化水平和智能化水平，有效地降了低工作人员工作量，提高了工作效率和试验数据的准确性，减少了人力与物力的投入。
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公开(公告)号：CN107490953A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710822815.1
申请日：2017-09-13
申请人： 国网天津市电力公司电力科学研究院 , 国网天津市电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G04G7/00
CPC分类号： G04G7/00
摘要： 本发明涉及一种计量自动化检定授时系统，由顶层时间服务器、中层时间服务器以及底层时间服务器组成，顶层时间服务器、中层时间服务器以及底层时间服务器由上向下逐层连接；顶层时间服务器包括省计量中心一级时间服务器、二级时间服务器以及GPS，二级时间服务器的输入端分别连接有省计量中心一级时间服务器以及GPS，二级时间服务器的输出端连接中层时间服务器；中层时间服务器并联有多个三级时间服务器，每个三级时间服务器均并联有多个底层检定设备，全部底层检定设备为底层时间服务器。本发明提出了多层时间服务系统的方案，并增加了获取GPS时间信息进行顶层时间服务器的时间校验，确保下发到被检设备的时间是可靠的。
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