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公开(公告)号：CN205595324U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201521074868.2
申请日：2015-12-21
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/482
摘要： 本实用新型提供一种新型封装，所述封装包括同平面设置的pad区域(11)、以所述pad区域(11)为中心的发射状压焊条(12)和所述pad区域(11)外的环状压焊条(13)，以及所述pad区域(11)、所述发射状压焊条(12)和所述环状压焊条(13)的拉线。本实用新型的新型封装的网状压焊结构有助于电流的扩展，大大缓解由于电流扩展延迟造成的中心pad区电流聚集问题，有助于提高器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN106611700B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/04
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN106996995A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610045067.6
申请日：2016-01-22
CPC分类号： G01R1/06722 , G01R31/2886
摘要： 本发明提供的一种柔性探针，探针包括支撑臂、柔性接触探针及柔性连接点，柔性可固定连接或可拆卸，柔性接触探针为二维或三维结构；柔性接触探针为烟斗状或汤匙状且其空间体积为1μm3～0.1m3。本发明提供的探针带有可固定、可拆卸的柔性接触点，便于更换受损的探针；采用二维或三维结构的烟斗状或汤匙状结构，替换现有技术中的一维点接触结构的探针，能避免在芯片测试过程中损伤芯片表面金属层及损毁电器件；该探针与芯片电极接触面大，能在大电流器件测试过程中使电流分布更均匀，避免一维点状探针尖端带电打火烧毁器件，显著提高了电器件芯片级测试过程的安全性。
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公开(公告)号：CN106611700A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/04
CPC分类号： H01L21/045
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN117637450A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210968356.9
申请日：2022-08-12
申请人： 国网智能电网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L29/06 , H01L21/266
摘要： 一种碳化硅复合终端的制备方法及复合终端结构，包括：在设于碳化硅缓冲层上的外延层进行斜面刻蚀，形成斜面刻蚀区；在所述斜面刻蚀区表面上沉积介质层形成掩膜结构；基于所述掩膜结构，通过一次光刻技术形成从碳化硅器件有源区向碳化硅器件边缘依次分布的结终端扩展结构和场限环结构；在所述掩膜结构上进行离子注入，形成结终端扩展结构和场限环结构的复合斜面终端结构；其中，所述斜面刻蚀区的高侧为碳化硅器件有源区，所述斜面刻蚀区的低侧为碳化硅器件边缘区。本发明通过一次光刻和一次注入完成剂量调制结终端扩展结构(JTE)注入和场限环注入，同时结合斜面刻蚀终端技术使电场分布趋于平缓，有效降低器件表面的局部电场，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115236479A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210924234.X
申请日：2022-08-01
申请人： 国网智能电网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26 , G01N23/2251
摘要： 本发明公开了一种基于SiC器件的老化试验平台及退化原因的分辨方法，该平台包括恒温箱、电源模块、信号采集装置以及信号处理装置；恒温箱用于为待测SiC器件提供预设温度；电源模块用于为待测SiC器件提供脉冲电流；信号采集装置用于采集待测SiC器件重复脉冲电流试验前的静态特性参数、重复脉冲电流试验后的静态特性参数和动态特性参数以及裂片后的扫描电镜断面图像；信号处理装置用于判断待测SiC器件的退化原因是否包含双极退化或栅氧退化。通过实施本发明，将待测SiC器件置于恒温箱中，能够提高测量的静态特性参数和动态特性参数的准确性，在判断退化原因时，加入了裂片后的扫描电镜断面图像，从而使得判断结果更加准确。
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公开(公告)号：CN218730801U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222121728.2
申请日：2022-08-12
申请人： 国网智能电网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/18 , H01L29/06 , H01L21/266
摘要： 一种碳化硅复合终端结构，在所述碳化硅复合终端的衬底上设有缓冲层，且所述缓冲层上设有外延层；所述外延层上设有斜面刻蚀区；在所述斜面刻蚀区表面沉积掩膜结构；所述斜面刻蚀区的高侧为碳化硅器件有源区，所述斜面刻蚀区的低侧为碳化硅器件边缘区；在所述斜面刻蚀区上设有结终端扩展结构和场限环结构。本实用新型在斜面刻蚀区设有结终端扩展结构和场限环结构使电场分布趋于平缓，有效降低器件表面的局部电场，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN108231560B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201611125725.9
申请日：2016-12-09
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件，所述方法包括在衬底的正面形成栅极电介质层，并在该栅极电介质层上顺次形成石墨烯层和栅电极；在栅电极上形成栅极接触孔，并在衬底的正面中暴露于栅极电介质层以外的区域上形成第一接触孔；向栅极接触孔和第一接触孔填充金属，分别形成栅极接触电极和第一接触电极；在衬底的背面淀积金属，形成第二接触电极；所述MOSFET功率器件包括上述方法制备的控制电极。与现有技术相比，本发明提供的一种控制电极制备方法及MOSFET功率器件，该方法能够改善控制电极的控制问题，降低器件的导通电阻，缩短反向恢复时间，减少开关损耗，提高器件的电流增益。
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公开(公告)号：CN109727860A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201711041101.3
申请日：2017-10-30
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/45 , H01L29/47
摘要： 本发明提供了一种制备碳化硅超结二极管的方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗碳化硅材料2)在外延薄膜12上表面制备刻蚀碳化硅的掩膜层13；3)在掩膜层13上进行图形化制备出图形化的掩膜14，后进行碳化硅沟槽刻蚀；4)进行二次外延生长，生长碳化硅薄膜16；5)碳化硅刻蚀或化学机械抛光，后进行其他工艺加工，得到碳化硅超结二极管26。本发明制备方法通过二次外延技术在碳化硅二极管的漂移区形成超结结构，利用电荷平衡原理，使得器件耐压能力只与漂移区厚度有关，与漂移区掺杂浓度无关，大幅提高了漂移区掺杂浓度，引入空穴、电子两种载流子参与导电，大幅减小了碳化硅二极管的通态电阻，降低了器件通态损耗。
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公开(公告)号：CN108242394A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611224421.8
申请日：2016-12-27
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网山东省电力公司
IPC分类号： H01L21/266 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明提供了一种碳化硅MOS栅控功率器件及其制备方法，所述制备方法包括在碳化硅衬底的正面形成外延薄膜，并采用倒掺杂型离子注入法向所述外延薄膜的上表面注入离子，形成倒掺杂阱区；向倒掺杂阱区注入离子分别形成源极接触区和基极接触区；在外延薄膜的上表面淀积金属分别形成栅电极和源电极，在碳化硅衬底的背面淀积金属形成漏电极。与现有技术相比，本发明提供的一种碳化硅MOS栅控功率器件及其制备方法，可以避免碳化硅MOS栅控功率器件在承受反向耐压时因阱区底部穿通而导致器件失效或损坏。
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