公开(公告)号：CN101635312B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200910160144.2

申请日：2009-07-24

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 伊桑·H·坎农 ,  陈奋

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/32 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

摘要： 具有自对准损伤层的器件结构和形成这样的器件结构的方法。所述器件结构包括在衬底的所述半导体材料中界定的第一导电类型的第一和第二掺杂区。相反导电类型的第三掺杂区横向分离第一掺杂区和第二掺杂区。栅极结构设置于衬底的顶表面上并且具有与第三掺杂区的垂直堆叠关系。第一晶体损伤层在衬底的半导体材料内被界定。所述第一晶体损伤层具有被衬底的半导体材料包围的第一多个空腔。第一掺杂区被垂直设置于第一晶体损伤层和衬底的顶表面之间。第一晶体损伤层不横向延伸进入第三掺杂区。

公开(公告)号：CN101963650A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010229672.1

申请日：2010-07-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈奋 ,  冯凯棣 ,  何忠祥

IPC分类号： G01R31/28

CPC分类号： G01R31/2621 ,  G01R31/2855 ,  G01R31/2894

摘要： 本发明涉及用于评估集成电路的可靠性的方法和系统。本发明提供一种方法。该方法包括：在第一操作条件下操作多个场效应晶体管(FET)；使所述多个FET中的至少一个的操作方向反转持续一短时长；测量在所述短时长期间所述多个FET中的所述一个的第二操作条件；计算在所述第二操作条件与参考操作条件之间的差异；以及基于在所述第二操作条件与所述参考操作条件之间的所述差异而提供可靠性指示信号，其中所述多个FET被用于单个集成电路(IC)中。

公开(公告)号：CN101635312A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200910160144.2

申请日：2009-07-24

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 伊桑·H·坎农 ,  陈奋

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/32 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

摘要： 具有自对准损伤层的器件结构和形成这样的器件结构的方法。所述器件结构包括在衬底的所述半导体材料中界定的第一导电类型的第一和第二掺杂区。相反导电类型的第三掺杂区横向分离第一掺杂区和第二掺杂区。栅极结构设置于衬底的顶表面上并且具有与第三掺杂区的垂直堆叠关系。第一晶体损伤层在衬底的半导体材料内被界定。所述第一晶体损伤层具有被衬底的半导体材料包围的第一多个空腔。第一掺杂区被垂直设置于第一晶体损伤层和衬底的顶表面之间。第一晶体损伤层不横向延伸进入第三掺杂区。

公开(公告)号：CN103155098A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048249.4

申请日：2011-08-16

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈奋 ,  杨智超 ,  李保振

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L21/76805 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/91 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供3D过孔电容器及其形成方法。该电容器包括在衬底上的绝缘层。绝缘层具有过孔，该过孔具有侧壁和底部。第一电极叠置在过孔的底部的至少一部分以及侧壁之上。第一高k介电材料层叠置在第一电极之上。第一导电板位于第一高k介电材料层之上。第二高k介电材料层叠置在第一导电板之上并留下过孔的剩余部分未填充。在过孔的剩余部分中形成第二电极。第一导电板与第一电极基本平行并且与第一电极和第二电极不接触。还提供这种3D过孔电容器的阵列。

公开(公告)号：CN103155098B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201180048249.4

申请日：2011-08-16

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈奋 ,  杨智超 ,  李保振

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L21/76805 ,  H01L25/0657 ,  H01L28/91 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供3D过孔电容器及其形成方法。该电容器包括在衬底上的绝缘层。绝缘层具有过孔，该过孔具有侧壁和底部。第一电极叠置在过孔的底部的至少一部分以及侧壁之上。第一高k介电材料层叠置在第一电极之上。第一导电板位于第一高k介电材料层之上。第二高k介电材料层叠置在第一导电板之上并留下过孔的剩余部分未填充。在过孔的剩余部分中形成第二电极。第一导电板与第一电极基本平行并且与第一电极和第二电极不接触。还提供这种3D过孔电容器的阵列。

公开(公告)号：CN101963650B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201010229672.1

申请日：2010-07-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈奋 ,  冯凯棣 ,  何忠祥

IPC分类号： G01R31/28

CPC分类号： G01R31/2621 ,  G01R31/2855 ,  G01R31/2894

摘要： 本发明涉及用于评估集成电路的可靠性的方法和系统。本发明提供一种方法。该方法包括：在第一操作条件下操作多个场效应晶体管(FET)；使所述多个FET中的至少一个的操作方向反转持续一短时长；测量在所述短时长期间所述多个FET中的所述一个的第二操作条件；计算在所述第二操作条件与参考操作条件之间的差异；以及基于在所述第二操作条件与所述参考操作条件之间的所述差异而提供可靠性指示信号，其中所述多个FET被用于单个集成电路(IC)中。