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公开(公告)号：CN102640416A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080054180.1
申请日：2010-11-23
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03F1/30
CPC分类号： H03F1/302
摘要： 一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；使所述晶体管空闲；以及对于修复时间段（TR），在用第一修复电压（VBER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（VCBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流Ibr，使得至少部分地恢复所述增益。
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公开(公告)号：CN102272916A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154302.1
申请日：2009-11-25
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/525 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5256 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
摘要： 在硅芯片中的可编程熔丝型硅通孔(TSV)具有在相同芯片中的不可编程TSV。所述可编程熔丝型TSV可利用在TSV结构内的具有侧壁间隔物的区域，该侧壁间隔物限制了邻近芯片表面接触衬垫的TSV的横截导电路径。通过编程电路施加充足电流会造成金属的电迁移，从而在所述接触衬垫中产生孔隙，因而造成开放电路。编程可通过多层芯片叠层中的两个邻近芯片上的互补电路来实施。
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公开(公告)号：CN103873027B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310629598.6
申请日：2013-11-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03K5/125
摘要： 本发明涉及时钟相移检测器和检测时钟相移的方法。一种时钟相移检测器电路可以包括接收第一时钟信号和第二时钟信号的相位检测器，由此该相位检测器产生基于第一时钟信号与第二时钟信号之间的相位差的相位信号。第一积分器与相位检测器耦合，接收相位信号，并产生积分的相位信号。第二积分器接收第一时钟信号，并产生积分的第一时钟信号。比较器与第一积分器和第二积分器耦合，由此比较器接收积分的相位信号和积分的第一时钟信号。比较器然后可以基于积分的相位信号和积分的第一时钟信号之间的振幅比较来产生检测第一时钟信号和第二时钟信号的相位差与优化的相位差之间的变化的控制信号。
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公开(公告)号：CN103873027A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310629598.6
申请日：2013-11-29
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03K5/125
摘要： 本发明涉及时钟相移检测器和检测时钟相移的方法。一种时钟相移检测器电路可以包括接收第一时钟信号和第二时钟信号的相位检测器，由此该相位检测器产生基于第一时钟信号与第二时钟信号之间的相位差的相位信号。第一积分器与相位检测器耦合，接收相位信号，并产生积分的相位信号。第二积分器接收第一时钟信号，并产生积分的第一时钟信号。比较器与第一积分器和第二积分器耦合，由此比较器接收积分的相位信号和积分的第一时钟信号。比较器然后可以基于积分的相位信号和积分的第一时钟信号之间的振幅比较来产生检测第一时钟信号和第二时钟信号的相位差与优化的相位差之间的变化的控制信号。
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公开(公告)号：CN100344058C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200410087095.1
申请日：2004-10-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03K5/13 , H03K17/693
CPC分类号： H03K5/06 , H03K5/13 , H03K2005/00058 , H03K2005/00293
摘要： 一种对双边可编程延迟单元进行编程的方法和装置，其响应具有上升时间和下降时间的输入信号，包含接收输入信号和提供输出信号的缓冲器，所述输出信号在输出信号的上升和下降时间之间有经过编程的可变延迟。可编程控制源(PCS)向缓冲器提供单独的控制输入。当输入信号从高变到低时，FTPCS对缓冲器中的电容器充电以调整缓冲器输出信号下降之前的时间延迟。当输入信号从低变到高时，RTPCS对缓冲器中的电容器放电以调整缓冲器输出信号上升之前的时间延迟。
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公开(公告)号：CN102640416B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080054180.1
申请日：2010-11-23
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03F1/30
CPC分类号： H03F1/302
摘要： 一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；使所述晶体管空闲；以及对于修复时间段（TR），在用第一修复电压（VBER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（VCBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流Ibr，使得至少部分地恢复所述增益。
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公开(公告)号：CN101963650B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201010229672.1
申请日：2010-07-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2621 , G01R31/2855 , G01R31/2894
摘要： 本发明涉及用于评估集成电路的可靠性的方法和系统。本发明提供一种方法。该方法包括：在第一操作条件下操作多个场效应晶体管(FET)；使所述多个FET中的至少一个的操作方向反转持续一短时长；测量在所述短时长期间所述多个FET中的所述一个的第二操作条件；计算在所述第二操作条件与参考操作条件之间的差异；以及基于在所述第二操作条件与所述参考操作条件之间的所述差异而提供可靠性指示信号，其中所述多个FET被用于单个集成电路(IC)中。
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公开(公告)号：CN1625054A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410087095.1
申请日：2004-10-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03K5/13 , H03K17/693
CPC分类号： H03K5/06 , H03K5/13 , H03K2005/00058 , H03K2005/00293
摘要： 一种对双边可编程延迟单元进行编程的方法和装置，其响应具有上升时间和下降时间的输入信号，包含接收输入信号和提供输出信号的缓冲器，所述输出信号在输出信号的上升和下降时间之间有经过编程的可变延迟。可编程控制源(PCS)向缓冲器提供单独的控制输入。当输入信号从高变到低时，FTPCS对缓冲器中的电容器充电以调整缓冲器输出信号下降之前的时间延迟。当输入信号从低变到高时，RTPCS对缓冲器中的电容器放电以调整缓冲器输出信号上升之前的时间延迟。
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公开(公告)号：CN103891144B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201280052476.9
申请日：2012-10-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 杨志坚 , 王平川 , 冯凯棣 , 爱德华·J·小浩斯泰特
IPC分类号： H03K17/30 , H03K17/687
CPC分类号： H01L29/66477 , G01R31/275 , H01L21/326 , H01L29/7833
摘要： 本发明公开了用于修复晶体管的方法和装置，包括：给PFET的源极施加第一电压，给PFET的栅极施加第二电压，以及给PFET的漏极施加第三电压达预定时间。其中第一电压大于第二电压，并且第二电压大于第三电压。本发明人已经确定，通过施加这些电压，被捕获于栅极电介质内的空穴将会减少。以此方式，可以修复半导体结构或者使其恢复至或接近最初的操作特性。另一种实施例是通过给NFET的漏极施加第一电压、给NFET的栅极施加第二电压以及给NFET的源极施加第三电压达预定时间来修复NFET晶体管的方法和装置。第一电压大于第二电压，而第二电压大于第三电压。如同在第一实施例中所示出的，本发明的目的是修复晶体管。在NFET的情形中，电子在正常的操作期间聚积于栅极电介质上。通过按照所描述的方式来施加电压，可以修复晶体管以使其在处于或接近于最初的规范下操作。
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公开(公告)号：CN102272916B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN200980154302.1
申请日：2009-11-25
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/525 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5256 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
摘要： 在硅芯片中的可编程熔丝型硅通孔(TSV)具有在相同芯片中的不可编程TSV。所述可编程熔丝型TSV可利用在TSV结构内的具有侧壁间隔物的区域，该侧壁间隔物限制了邻近芯片表面接触衬垫的TSV的横截导电路径。通过编程电路施加充足电流会造成金属的电迁移，从而在所述接触衬垫中产生孔隙，因而造成开放电路。编程可通过多层芯片叠层中的两个邻近芯片上的互补电路来实施。
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