公开(公告)号：CN115023818A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180010280.2

申请日：2021-01-15

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·霍姆斯 ,  D·萨达纳 ,  B·瓦卡斯尔 ,  D·法莫

IPC分类号： H01L39/02 ,  H01L39/24

摘要： 提供了关于包括硅基约瑟夫森结的量子比特器件和/或包括硅基约瑟夫森结的量子比特器件的制造的技术。例如，本文描述的一个或多个实施例可以包括一种装置，所述装置可以包括约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括位于两个垂直堆叠的超导硅电极之间的隧道势垒。

公开(公告)号：CN102005382A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010269392.3

申请日：2010-08-31

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·D·伯恩斯 ,  M·E·科尔伯恩 ,  S·霍姆斯

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/31 ,  G03F7/26 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0338

摘要： 本发明涉及两次曝光一条线路间距分离方法。一种集成电路被形成为具有这样的结构，该结构紧密邻近且彼此间的间隔比该结构的横向尺寸更小，例如用于制造到以通过暗场分离间距技术实现的最小光刻可分辨尺寸形成的电子元件的接触。通过使用酸敏硬掩模材料和经由抗蚀剂中的构图的孔径而接触硬掩模的区域的酸性上覆层，完全在光刻线路内执行对硬掩模的蚀刻，从而支持用于分离间距方法的可接受的覆盖精度和工艺效率以及吞吐量，该分离间距方法需要为多个依次施加并构图的抗蚀剂层中的每一个进行对硬掩模的蚀刻。硬掩模的接触区域被活化，以通过烘烤酸性上覆层而进行显影。

公开(公告)号：CN114651338A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080076404.2

申请日：2020-11-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·霍姆斯 ,  D·萨达纳 ,  S·贝德尔 ,  李宁

IPC分类号： H01L39/22 ,  H01L39/24 ,  H01L27/18

摘要： 提供了一种主动冷却结构(200，200a)，包括非超导体层(220)、超导体层(210)以及超导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列(240)。所述非超导体层可以包括多个非超导体迹线(222)。所述超导体层可以包括多个超导体迹线(212)。所述超级导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列可以位于所述多个非超导体迹线与所述多个超导体迹线之间。

公开(公告)号：CN114616685A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202080076619.4

申请日：2020-11-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·比德尔 ,  S·霍姆斯 ,  李宁 ,  D·萨达纳

IPC分类号： H01L39/24 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/28 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  C23C28/00

摘要： 沉积系统包括沉积源和设置在沉积源的沉积路径内的扫描台。扫描台包括支撑平台和机械致动器，支撑平台配置成在其上支撑晶片，机械致动器耦接到支撑平台。机械致动器被配置成相对于沉积源平移支撑平台。沉积系统包括接近掩模，接近掩模设置在沉积源与扫描台之间的沉积源的沉积路径内，接近掩模限定缝隙。沉积系统包括与扫描台通信的控制器，该控制器被配置成控制机械致动器以相对于缝隙平移晶片，使得沉积角度保持基本上恒定。在操作中，接近掩模防止具有不与缝隙对准的轨迹的沉积源材料接触晶片。

公开(公告)号：CN114730793A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080080387.X

申请日：2020-11-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·霍姆斯 ,  D·萨达纳 ,  S·哈特 ,  P·古曼 ,  S·比德尔 ,  李宁

IPC分类号： H01L27/18

摘要： 提供了可以有利于在半导电设备中的包括离子注入限定的纳米棒(406)的悬浮的马约拉纳费米子设备(2206)的设备、系统、方法、计算机实现的方法、装置和/或计算机程序产品。根据实施例，量子计算设备可以包括耦合到离子注入区(404)的马约拉纳费米子设备。量子计算设备可以还包括耦合到离子注入区和衬底层的封装膜(1404)。封装膜使马约拉纳费米子设备悬浮在量子计算设备中。

公开(公告)号：CN101278238A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036076.3

申请日：2006-09-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·霍姆斯 ,  古川俊治 ,  C·科伯格三世 ,  N·姆曼

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/11

CPC分类号： G03F7/2041 ,  G03F7/11 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70958

摘要： 提供了一种浸没光刻系统，其包括可用于产生具有标称波长的光的光源和光学成像系统。该光学成像系统具有在从光源到待由其构图的物件的光路上的光学元件。所述光学元件具有适于接触液体的表面，该液体占据该表面和该物件之间的空间。该光学元件包括可由该液体降解的材料以及覆盖该表面上的可降解材料以保护该表面不受液体影响的保护涂层，该保护涂层对光透明、当暴露于光时稳定且当暴露于液体时稳定。

公开(公告)号：CN101263431A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033608.8

申请日：2006-09-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·科布格尔三世 ,  S·霍姆斯 ,  D·霍拉克 ,  K·希梅尔 ,  K·彼德里洛 ,  C·罗宾逊

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70691 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70808

摘要： 提供一种包括微电子衬底的制品(106)作为在微电子衬底的处理期间使用的制品。所述制品包括微电子衬底，所述微电子衬底具有前表面、与所述前表面相对的后表面以及位于所述前和后表面的边界处的外部边缘。所述前表面是所述制品的主表面。具有前表面、后表面以及在所述前和后表面之间延伸的内部边缘的可去除的环形边缘扩展元件(108)的所述内部边缘被连接到所述微电子衬底的所述外部边缘(114)。以这样的方式，形成了包括所述边缘扩展元件的所述前表面(120)和所述微电子衬底的所述前表面(130)的连续的表面，在所述外部边缘被连接到所述内部边缘的位置处所述连续的表面基本上是共面和平坦的。

公开(公告)号：CN115336019A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180022421.2

申请日：2021-02-16

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·霍姆斯 ,  D·萨达纳 ,  O·格卢斯秦克夫

IPC分类号： H01L39/02 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  H01L39/22

摘要： 根据本发明的实施例，一种量子机械器件包括单片晶体结构。单片晶体结构包括被掺杂以提供第一超导区域的第一区域，以及被掺杂以提供第二超导区域的第二区域，该第二超导区域通过未掺杂的晶体区域与该第一超导区域分隔。第一超导区域和第二超导区域以及未掺杂的晶体区域形成约瑟夫逊结。

公开(公告)号：CN114747029A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080082306.X

申请日：2020-11-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·霍姆斯 ,  B·多里斯 ,  M·G·哥特瓦尔德 ,  R·乔希 ,  S·查克拉博蒂

IPC分类号： H01L39/22 ,  G11C11/44

摘要： 芯片内磁场控制设备形成在约瑟夫逊结(JJ)结构附近。芯片内磁场控制设备包括与JJ结构横向相邻的布线结构。在一些实施例中，除了布线结构之外，磁场控制设备还包括连接到布线结构并位于JJ结构下方的导电板。使用穿过布线结构的电流直接或间接地将磁场感应到JJ结构中。可以通过穿过布线结构的电流量来调制场强度。可以根据需要通过停止使电流流过布线结构来关闭磁场。

公开(公告)号：CN102667623B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080057340.8

申请日：2010-11-26

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·P·桑德斯 ,  J·程 ,  W·辛斯伯格 ,  H-C·金 ,  M·科尔伯恩 ,  S·哈勒 ,  S·霍姆斯

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： 一种形成包括自组装材料的分层结构的方法，包括：在衬底上布置非交联的光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地加热已曝光光刻胶层；采用含水碱性显影剂在第一显影工艺中显影已曝光光刻胶层，从而形成初始图案化光刻胶层；光化学地、热地和/或化学地处理初始图案化光刻胶层，由此形成包括布置在第一衬底表面上的未交联的已处理光刻胶的已处理图案化光刻胶层；在已处理图案化光刻胶层上浇铸定向控制材料在第一溶剂中的溶液，并且去除第一溶剂，从而形成定向控制层；加热定向控制层以有效地将定向控制材料的一部分结合至第二衬底表面；在第二显影工艺中去除已处理光刻胶的至少一部分以及可选地去除任何未结合的定向控制材料，由此形成用于自组装的预图案；可选地加热预图案；在预图案上浇铸溶解在第二溶剂中的能够自组装的材料的溶液，并且去除第二溶剂；以及采用可选的加热和/或退火，允许已浇铸材料自组装，由此形成包括自组装材料的分层结构。