公开(公告)号：CN114692058B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210615901.6

申请日：2022-06-01

申请人： 天津市普迅电力信息技术有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 李强 ,  胡浩瀚 ,  刘永清 ,  李温静 ,  郭正雄 ,  赵峰 ,  闫松 ,  董建强 ,  戴彬 ,  宋洋 ,  郭颖 ,  郭占冰 ,  杨宏伟 ,  刘晓静 ,  强凯 ,  田永茂 ,  张健 ,  李琳 ,  陈健 ,  周林 ,  赵伟 ,  王凯 ,  陈莹 ,  刘超 ,  项千里 ,  李艳 ,  宁甫君 ,  郭宇

IPC分类号： G06F16/958 ,  G06F16/9535

摘要： 本发明属于计算机、web应用技术领域，具体涉及一种基于VUE架构下的自动化埋点方法、系统、电子设备，旨在解决现有的埋点方法出现一旦漏埋的行为就会造成用户操作行为数据的丢失以及收集的数据质量、均衡性较差的问题。本方法包括：获取用户基本信息；得到埋点数据统计阶段；获取第一数据、第二数据对应的最优得分数值；统计第一数量、第二数量；计算收敛值，并判断两收敛值是否均大于设定的收敛阈值；获取用户行为数据；通过VUE框架的路由守卫形成用户页面埋点数据；利用VUE框架的自定义组件形成事件埋点数据。本发明能够避免页面漏埋造成用户行为数据丢失的问题。

公开(公告)号：CN114692058A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210615901.6

申请日：2022-06-01

申请人： 天津市普迅电力信息技术有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 李强 ,  胡浩瀚 ,  刘永清 ,  李温静 ,  郭正雄 ,  赵峰 ,  闫松 ,  董建强 ,  戴彬 ,  宋洋 ,  郭颖 ,  郭占冰 ,  杨宏伟 ,  刘晓静 ,  强凯 ,  田永茂 ,  张健 ,  李琳 ,  陈健 ,  周林 ,  赵伟 ,  王凯 ,  陈莹 ,  刘超 ,  项千里 ,  李艳 ,  宁甫君 ,  郭宇

IPC分类号： G06F16/958 ,  G06F16/9535

摘要： 本发明属于计算机、web应用技术领域，具体涉及一种基于VUE架构下的自动化埋点方法、系统、电子设备，旨在解决现有的埋点方法出现一旦漏埋的行为就会造成用户操作行为数据的丢失以及收集的数据质量、均衡性较差的问题。本方法包括：获取用户基本信息；得到埋点数据统计阶段；获取第一数据、第二数据对应的最优得分数值；统计第一数量、第二数量；计算收敛值，并判断两收敛值是否均大于设定的收敛阈值；获取用户行为数据；通过VUE框架的路由守卫形成用户页面埋点数据；利用VUE框架的自定义组件形成事件埋点数据。本发明能够避免页面漏埋造成用户行为数据丢失的问题。

公开(公告)号：CN117709513A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311523544.1

申请日：2023-11-15

申请人： 国网天津市电力公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京中电普华信息技术有限公司

发明人： 王旭东 ,  张伟 ,  王林 ,  何鑫 ,  张旭 ,  冯鹊禾 ,  郝美薇 ,  王旭强 ,  刘斌 ,  王洋 ,  刘宁 ,  韩悦 ,  段晨旭 ,  杨一帆 ,  王凯 ,  孙轶凡

IPC分类号： G06Q10/04 ,  G06F18/2415 ,  G06F18/20 ,  G06N7/01 ,  G06Q50/06 ,  G06Q50/26

摘要： 本申请提供一种预测碳排放量的方法及相关设备，通过获取目标企业的电力消耗量数据和总碳排放量数据，确定所述目标企业所属的目标行业，根据所述目标行业，确定用于预测所述目标企业的碳排放量的模型，基于所述模型，根据所述电力消耗量数据和所述总碳排放量数据，预测所述目标企业的碳排放量。该方法通过针对不同的行业选取相应的预测碳排放量的方法，以获得更具有针对性与说服力的预测结果。

公开(公告)号：CN114050181A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202210014429.0

申请日：2022-01-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邓永峰 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  吴波 ,  郁文 ,  王凯 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。

公开(公告)号：CN113903857A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111475179.2

申请日：2021-12-06

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L21/02

摘要： 本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。

公开(公告)号：CN113805044B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111354981.6

申请日：2021-11-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 刘芳 ,  陈燕宁 ,  赵东艳 ,  付振 ,  余山 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  潘成 ,  林文彬

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。

公开(公告)号：CN113805044A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111354981.6

申请日：2021-11-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 刘芳 ,  陈燕宁 ,  赵东艳 ,  付振 ,  余山 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  潘成 ,  林文彬

IPC分类号： G01R31/28

摘要： 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。

公开(公告)号：CN114050181B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202210014429.0

申请日：2022-01-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邓永峰 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  吴波 ,  郁文 ,  王凯 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。

公开(公告)号：CN113707558A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202111257655.3

申请日：2021-10-27

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 郁文 ,  陈燕宁 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  付振 ,  刘芳 ,  王帅鹏 ,  邓永峰 ,  王凯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  G03F1/00

摘要： 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体地涉及一种用于制备高压LDMOS器件的方法及器件，包括提供第二导电类型的衬底；在衬底的中形成第一导电类型的漂移区与第二导电类型的体区；在漂移区上生长场氧化物；形成覆盖于漂移区的一部分和体区的一部分的栅介质层；在栅介质层上形成栅电极；在体区表面形成源区；以及在漂移区表面形成漏区；其中，使用局部线性掺杂工艺对第一选定区域注入第一导电类型离子，使用掩膜版调节漂移区的离子掺杂浓度，以使得漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而第一子区域和第二子区域的离子掺杂浓度相对于漂移区中的第一子区域和第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征。

公开(公告)号：CN113964188A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111571321.3

申请日：2021-12-21

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、栅极区、源极区、漏极区、P型体区以及位于所述衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，还包括：离子注入形成的P型漂移区；所述P型漂移区位于所述N型阱区内，所述P型漂移区与所述P型体区之间存在预设距离。本发明在N型阱区内增加P型漂移区，P型漂移区与N型阱区的接触面构成PN结，P型漂移区与N型漂移区形成双重RESURF结构，降低器件的表面电场，并且能够承担更高的击穿电压，维持较低的导通电阻。