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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689349A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710521940.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 繁田文雄
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L23/3114 , H01L23/3672 , H01L2224/40227 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3511 , H01L23/13
Abstract: 本发明的半导体模块能够抑制可靠性降低。分别形成于壳体侧壁(31a)及与侧壁(31a)相对的侧壁(31b)的底面上的凸部(35a1～35a5、35b1～35b5)分别经由粘结剂，嵌合到分别形成于绝缘板长边(41a)及与长边(41a)相对的长边(41b)上的凹部(45a1～45a5、45b1～45b5)，因此，绝缘板和收纳部(30)(壳体)的密合面积增加。并且，绝缘板和收纳部(30)(壳体)的粘合力提高，从而能够抑制绝缘板和收纳部(30)(壳体)之间产生间隙。
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公开(公告)号：CN106133903A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015943.4
申请日：2015-09-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/4006 , H01L23/49822 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2023/4087 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置的控制端子(14)具有凹部(14c)。树脂壳体(15)具备与控制端子(14)的凹部(14c)卡合并固定的固定部件(152)。固定部件(152)包括：树脂块部(154)，其具有与凹部(14c)卡合的台阶部；螺母收容部(153)；以及梁部(155)，其将树脂块部(154)与螺母收容部(153)连结为一体。可安装固定部件(152)的树脂壳体主体(151)具备能够供树脂块部(154)插入的中空部。固定部件(152)的螺母收容部(153)和树脂块部(154)能够从一个方向安装到树脂壳体主体(151)上。
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公开(公告)号：CN106133903B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201580015943.4
申请日：2015-09-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 半导体装置的控制端子(14)具有凹部(14c)。树脂壳体(15)具备与控制端子(14)的凹部(14c)卡合并固定的固定部件(152)。固定部件(152)包括：树脂块部(154)，其具有与凹部(14c)卡合的台阶部；螺母收容部(153)；以及梁部(155)，其将树脂块部(154)与螺母收容部(153)连结为一体。可安装固定部件(152)的树脂壳体主体(151)具备能够供树脂块部(154)插入的中空部。固定部件(152)的螺母收容部(153)和树脂块部(154)能够从一个方向安装到树脂壳体主体(151)上。
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公开(公告)号：CN102456729A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110340430.4
申请日：2011-10-20
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/0661 , H01L21/76232 , H01L29/045 , H01L29/66333 , H01L29/7395
Abstract: 本发明的一个目的是提供半导体器件及其制造方法，其中可防止在半导体衬底上具有非贯穿V形槽的凹进部的半导体芯片的半导体性能归因于由焊接工序中的受热历程造成的凹进部的隅角部处的应力集中而降级。本发明的半导体器件包括：n型晶片1的正面上的呈平面晶格图案的p型扩散层31；背面侧上的呈平面晶格图案的V形槽21b，该平面晶格图案的间距与扩散层31的平面晶格图案的间距相同，该V形槽21b包括与背面平行并露出p型扩散层31的底面，以及从底面竖立的锥形侧面9d；由V形槽的锥形侧面9d包围的背面上的p型半导体层；以及形成在侧面9d上、并电连接正面上的p型扩散层31和背面上的p型半导体层的p型隔离层4b；其中V形槽21b具有V形槽的侧面隅角部与V形槽底面之间的交叉处附近的倒棱配置。
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公开(公告)号：CN102456729B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201110340430.4
申请日：2011-10-20
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/0661 , H01L21/76232 , H01L29/045 , H01L29/66333 , H01L29/7395
Abstract: 本发明的一个目的是提供半导体器件及其制造方法，其中可防止在半导体衬底上具有非贯穿V形槽的凹进部的半导体芯片的半导体性能归因于由焊接工序中的受热历程造成的凹进部的隅角部处的应力集中而降级。本发明的半导体器件包括：n型晶片1的正面上的呈平面晶格图案的p型扩散层31；背面侧上的呈平面晶格图案的V形槽21b，该平面晶格图案的间距与扩散层31的平面晶格图案的间距相同，该V形槽21b包括与背面平行并露出p型扩散层31的底面，以及从底面竖立的锥形侧面9d；由V形槽的锥形侧面9d包围的背面上的p型半导体层；以及形成在侧面9d上、并电连接正面上的p型扩散层31和背面上的p型半导体层的p型隔离层4b；其中V形槽21b具有V形槽的侧面隅角部与V形槽底面之间的交叉处附近的倒棱配置。
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