公开(公告)号：CN100359652C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03815025.5

申请日：2003-06-18

申请人： 山米奎普公司

发明人： 韦德·A·克鲁尔 ,  达勒·C·雅各布森

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32155 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/512 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明提出一种用于制成一半导体器件的栅极以将门极耗尽效应最小化的方法。该方法由一双重沉积处理构成，其中第一步骤是一极薄的层，该层通过离子植入受到极重的掺杂。第二次沉积以及一相关联的用于掺杂的离子植入则制作完成该栅极。借助该两次沉积处理，可将栅极/门极介电层界面处的掺杂最大化同时将硼渗透过门极介电层的风险最小化。该方法的另一种改进形式包括将两个栅极层均图案化，其具有利用漏极延展区及源极/漏极植入作为门极掺杂植入、及可选择偏置这两个图案以形成一非对称器件的优点。本发明亦提供一种如下方法：通过使掺杂剂自一包含于一介电层内的植入层扩散入半导体衬底内，在半导体衬底中形成浅结。此外，除所需的掺杂物质外，亦为离子植入层提供一第二植入物质，例如氢，其中所述物质会增强掺杂剂在介电层中的扩散性。

公开(公告)号：CN1679153A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820085.6

申请日：2003-06-06

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森 ,  韦德·A·克鲁尔

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/425 ,  H01L21/823842

摘要： 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。

公开(公告)号：CN102034665B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201010552229.8

申请日：2003-06-26

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J27/20 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3172 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。

公开(公告)号：CN1973346B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN03815031.X

申请日：2003-06-26

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森

IPC分类号： H01J7/24 ,  H01J31/26

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01J27/20 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/304 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66575

摘要： 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。

公开(公告)号：CN102034665A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010552229.8

申请日：2003-06-26

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J27/20 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3172 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-，其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。

公开(公告)号：CN101308822A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810111492.6

申请日：2003-06-06

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森 ,  韦德·A·克鲁尔

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/265 ,  H01L27/092

摘要： 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。

公开(公告)号：CN101908473A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010227473.7

申请日：2003-06-06

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森 ,  韦德·A·克鲁尔

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/425 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842

摘要： 本发明涉及通过植入N-及P-型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法，揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N-型及P-型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。

公开(公告)号：CN101308785B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810111491.1

申请日：2003-06-06

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森 ,  韦德·A·克鲁尔

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N-型及P-型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。

公开(公告)号：CN101308785A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810111491.1

申请日：2003-06-06

申请人： 山米奎普公司

发明人： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  达勒·C·雅各布森 ,  韦德·A·克鲁尔

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)，并揭示一种制造一半导体器件的方法。其中为在CMOS器件中形成晶体管，植入N－型及P－型掺杂剂簇。举例而言，在植入期间分别使用As4Hx+簇与B10Hx或B10Hx+簇作为As及B掺杂的掺杂源。本发明揭示一种用于将簇离子植入半导体衬底中以进行半导体器件制造的离子植入系统(10)。

公开(公告)号：CN101055838A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710101800.2

申请日：2003-06-18

申请人： 山米奎普公司

发明人： 韦德·A·克鲁尔 ,  达勒·C·雅各布森

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L21/2255 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32155 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/512 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明提出一种用于制成一半导体器件的栅极以将门极耗尽效应最小化的方法。该方法由一双重沉积处理构成，其中第一步骤是一极薄的层，该层通过离子植入受到极重的掺杂。第二次沉积以及一相关联的用于掺杂的离子植入则制作完成该栅极。借助该两次沉积处理，可将栅极/门极介电层界面处的掺杂最大化同时将硼渗透过门极介电层的风险最小化。该方法的另一种改进形式包括将两个栅极层均图案化，其具有利用漏极延展区及源极/漏极植入作为门极掺杂植入、及可选择偏置这两个图案以形成一非对称器件的优点。本发明亦提供一种如下方法：通过使掺杂剂自一包含于一介电层内的植入层扩散入半导体衬底内，在半导体衬底中形成浅结。此外，除所需的掺杂物质外，亦为离子植入层提供一第二植入物质，例如氢，其中所述物质会增强掺杂剂在介电层中的扩散性。