公开(公告)号：CN103828061A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280045437.6

申请日：2012-09-24

申请人： 应用材料公司

发明人： Q·王 ,  W·王 ,  Y·J·崔 ,  S-M·赵 ,  Y·崔 ,  朴范洙 ,  崔寿永

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775

摘要： 本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体，如氩气。该惰性气体用于驱除弱的、悬浮的硅-氢键或硅-硅键，因此保留强的硅-硅键或硅-氧键，以形成实质上不含氢的含硅层。

公开(公告)号：CN112840436A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980067902.8

申请日：2019-11-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 欧岳生 ,  Y·崔 ,  A·桑达拉江 ,  N·Y-C·陈 ,  G·H·施 ,  F·邓

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

摘要： 本文中提供一种使用可变微波频率来固化基板上的聚合物层的方法。在一些实施例中，使用可变微波频率来固化基板上的聚合物层的方法包括(a)在基板上形成第一薄膜聚合物层，所述第一薄膜聚合物层包括至少一种第一基底介电材料和至少一种微波可调谐材料；(b)将变频微波能量施加至基板和第一薄膜聚合物层，以将所述基板和所述第一薄膜聚合物层加热至第一温度；以及(c)调整施加至所述基板和所述第一薄膜聚合物层的变频微波能量，以调谐第一薄膜聚合物层的至少一种材料性质。

公开(公告)号：CN103828061B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201280045437.6

申请日：2012-09-24

申请人： 应用材料公司

发明人： Q·王 ,  W·王 ,  Y·J·崔 ,  S-M·赵 ,  Y·崔 ,  朴范洙 ,  崔寿永

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L2021/775

摘要： 本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体，如氩气。该惰性气体用于驱除弱的、悬浮的硅‑氢键或硅‑硅键，因此保留强的硅‑硅键或硅‑氧键，以形成实质上不含氢的含硅层。

公开(公告)号：CN205382207U

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201390000636.5

申请日：2013-07-23

申请人： 应用材料公司

发明人： D·李 ,  朴范洙 ,  Y·崔 ,  W·N·斯特林

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： F01D9/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/5096

摘要： 本实用新型提供气体扩散组件、低温多晶硅处理腔室系统及令处理气体流入处理腔室的组件。本实用新型包括：背板，具有入口用以提供一处理气体至处理腔室；扩散板，包含数个开口用以允许处理气体流入处理腔室；阻隔板，设置于背板及扩散板之间，包含数个开口；以及至少一气流引导元件(guide)，设置于阻隔板及背板之间，适于引导该处理气体侧向地(laterally)流动。多个额外的特征被揭露。

公开(公告)号：CN203700512U

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201320816979.0

申请日：2013-12-11

申请人： 应用材料公司

发明人： 陈志坚 ,  崔寿永 ,  Y·J·崔 ,  Y·崔 ,  朴范洙 ,  罗宾·L·蒂纳

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557

摘要： 本申请公开了等离子体增强化学气相沉积腔室。本实用新型通常涉及在PECVD腔室中耦合至气体分配喷头的加热背板。通过使加热流体循环通过在背板之内形成的通道或耦合至背板的软管来加热所述背板。加热背板加热气体分配喷头，如此提高执行低温工艺的PECVD腔室的清洁速率。

公开(公告)号：CN302949513S

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201330458044.5

申请日：2013-09-25

申请人： 应用材料公司

设计人： D·李 ,  朴范洙 ,  Y·崔 ,  威廉·N·斯特林

摘要： 1．本外观设计产品的名称：气体扩散器组件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于气体扩散。3．本外观设计产品的设计要点：在于气体扩散器组件的形状造型。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。5．省略视图：右视图与左视图对称，省略右视图。仰视图与俯视图对称，省略仰视图。