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公开(公告)号：CN110615746B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN201910528696.8
申请日：2019-06-18
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： C07C251/04 , C07C249/02 , C23C16/18 , C23C16/04 , B65D25/00
摘要： 本文描述了钴化合物、用于制备钴化合物的方法、用作沉积含钴膜(例如，钴、氧化钴、氮化钴、硅化钴等)的前体的钴化合物和钴膜。钴前体化合物的实例是双(二氮杂二烯)钴化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅酸盐；硅、氧化硅和氮化硅。烷基化二氮杂二烯配体用于形成钴配合物，其用于在某些表面上的选择性沉积和/或优异的膜性质，例如均匀性、连续性和低电阻。
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公开(公告)号：CN118007094A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410125885.1
申请日：2016-06-14
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/02 , H01L21/3205 , C23C16/36 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/24 , C23C16/50
摘要： 本文描述了卤硅烷化合物、用于合成卤硅烷化合物的方法、包含卤硅烷前体的组合物以及用于使用卤硅烷前体沉积含硅膜(例如硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。本文所述的卤硅烷前体化合物的实例包括但不限于一氯乙硅烷(MCDS)、一溴乙硅烷(MBDS)、一碘乙硅烷(MIDS)、一氯丙硅烷(MCTS)和一溴丙硅烷(MBTS)、一碘丙硅烷(MITS)。本文还描述了用于在约500℃或更低的一个或多个沉积温度下沉积含硅膜(例如但不限于硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。
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公开(公告)号：CN108017679A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711050452.0
申请日：2017-10-31
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/16 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L23/29
CPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/406 , C23C16/42 , C23C16/45553 , H01L21/28556 , H01L21/28568
摘要： 本文描述的是钴化合物、用于制备钴化合物的方法，用作用于沉积含钴膜(例如钴、氧化钴、氮化钴、硅化钴等)的前体的钴化合物和含钴膜。钴前体化合物的实例是(二取代炔)六羰基二钴化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅化物。用于形成钴配合物的具有烷基如直链烷基和支链烷基的二取代炔配体用于获得在某些表面上的选择性沉积和/或优异的膜性质(例如均匀性、连续性和低电阻)。
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公开(公告)号：CN112219258A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980035026.0
申请日：2019-04-04
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/67
摘要： 本发明描述了在包含形貌的表面上导电金属膜的沉积。所述沉积使用包含中性(不带电)金属化合物的金属前体，其中金属原子处于零价状态和通过作为不带电的挥发性物质稳定的配体而稳定化。
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公开(公告)号：CN110615746A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910528696.8
申请日：2019-06-18
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： C07C251/04 , C07C249/02 , C23C16/18 , C23C16/04 , B65D25/00
摘要： 本文描述了钴化合物、用于制备钴化合物的方法、用作沉积含钴膜(例如，钴、氧化钴、氮化钴、硅化钴等)的前体的钴化合物和钴膜。钴前体化合物的实例是双(二氮杂二烯)钴化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅酸盐；硅、氧化硅和氮化硅。烷基化二氮杂二烯配体用于形成钴配合物，其用于在某些表面上的选择性沉积和/或优异的膜性质，例如均匀性、连续性和低电阻。
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公开(公告)号：CN110023534A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074709.8
申请日：2017-10-31
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/16 , C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , C07F15/06 , H01L21/285
摘要： 本文描述了钴化合物、用于制备钴化合物的方法以及用于沉积含钴膜(例如，钴、氧化钴、氮化钴等)的包含钴金属膜前体的组合物。钴前体化合物的实例是(炔)二钴六羰基化合物、钴烯胺化合物、钴单氮杂二烯和(官能化烷基)钴四羰基化合物。用于沉积含金属膜的表面的实例包括但不限于金属、金属氧化物、金属氮化物和金属硅化物。具有如氨基、腈、亚氨基、羟基、醛、酯、卤素和羧酸的基团的官能化配体用于在某些表面上的选择性沉积和/或实现优异的膜性质，例如均匀性、连续性和低电阻。
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公开(公告)号：CN107889510A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201680034649.2
申请日：2016-06-14
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C16/45553 , C07F7/02 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/402 , C23C16/45536 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/32055
摘要： 本文描述了卤硅烷化合物、用于合成卤硅烷化合物的方法、包含卤硅烷前体的组合物以及用于使用卤硅烷前体沉积含硅膜(例如硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。本文所述的卤硅烷前体化合物的实例包括但不限于一氯乙硅烷(MCDS)、一溴乙硅烷(MBDS)、一碘乙硅烷(MIDS)、一氯丙硅烷(MCTS)和一溴丙硅烷(MBTS)、一碘丙硅烷(MITS)。本文还描述了用于在约500℃或更低的一个或多个沉积温度下沉积含硅膜(例如但不限于硅、无定形硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、掺杂硅膜和金属掺杂氮化硅膜)的方法。
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