公开(公告)号：CN105161527B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201510362349.4

申请日：2015-06-26

申请人： 成都成电知力微电子设计有限公司

发明人： 陈星弼 ,  吕信江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/06

摘要： 本发明的绝缘栅双极型晶体管及晶闸管的终端表面耐压区结构有一个p型半导体耐压层(168)，它位于器件元胞区(122)与n+场截止区(400)之间；在该p型半导体耐压层(168)之上有一个绝缘介质层(800)，在此绝缘介质层之上有一个二极管；该二极管由顺序相连的p+阳极区(902)、半导体区(901)和n+阴极区(903)构成。本发明利用器件元胞区的栅源电压(VGK)直接或间接地通过表面耐压区产生控制信号来控制器件的发射结电压(VAB)，达到器件关断时消除拖尾电流，起到快速关断器件的目的。

公开(公告)号：CN105161527A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510362349.4

申请日：2015-06-26

申请人： 成都成电知力微电子设计有限公司

发明人： 陈星弼 ,  吕信江

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/745 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7455

摘要： 本发明的绝缘栅双极型晶体管及晶闸管的终端表面耐压区结构有一个p型半导体耐压层(168)，它位于器件元胞区(122)与n+场截止区(400)之间；在该p型半导体耐压层(168)之上有一个绝缘介质层(800)，在此绝缘介质层之上有一个二极管；该二极管由顺序相连的p+阳极区(902)、半导体区(901)和n+阴极区(903)构成。本发明利用器件元胞区的栅源电压(VGK)直接或间接地通过表面耐压区产生控制信号来控制器件的发射结电压(VAB)，达到器件关断时消除拖尾电流，起到快速关断器件的目的。

公开(公告)号：CN102651392B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110089026.4

申请日：2011-04-11

申请人： 成都成电知力微电子设计有限公司

发明人： 陈星弼

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7455 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/749

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件，用两个可控的电流源控制晶闸管耐压区在导通时的电子电流与空穴电流，可以使其阳极与阴极之间在高电压下总电流呈现趋于饱和的特性。从而可避免个别区域的电流集中效应而提高晶闸管的可靠性。还提出了两个电流源在器件内部的实现方法及加快由导通到关断过程及由关断到导通过程的方法。

公开(公告)号：CN103137658A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110387593.8

申请日：2011-11-30

申请人： 成都成电知力微电子设计有限公司

发明人： 陈星弼

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L29/7806 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7432 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件在器件的两个相对的主表面内含有至少一个元胞，每个元胞在第一主表面内有一个器件的第一特征区，在第二主表面内有一个器件的第二特征区，在两个器件的特征区之间存在一个耐压区，耐压区包括至少一个半导体区和一个含导电颗粒的绝缘体区，半导体区和含导电颗粒的绝缘体区均有相互直接连接的面。这种耐压区结构不仅可利用来制造高耐压的器件，还可以用作高耐压器件的结边缘技术。

公开(公告)号：CN102651392A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110089026.4

申请日：2011-04-11

申请人： 成都成电知力微电子设计有限公司

发明人： 陈星弼

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/7455 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/749

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件，用两个外部可控的电流源控制晶闸管耐压区在导通时的电子电流与空穴电流，可以使其阳极与阴极之间在高电压下总电流呈现趋于饱和的特性。从而可避免个别区域的电流集中效应而提高晶闸管的可靠性。还提出了两个电流源在器件内部的实现方法及加快由导通到关断过程及由关断到导通过程的方法。