-
公开(公告)号：CN1229806C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01132966.1
申请日：2001-09-10
申请人： 惠普公司
发明人： J·N·霍甘
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/36 , G11C13/004 , G11C17/06 , G11C2213/72
摘要： 本发明以一种新的存储器单元读出方案(系统和方法)为特征，其使一个存储器单元的状态以更高的精度被加以确定。在一个方面，本发明的特征在于一种存储器单元读出方案，其中一个存储器单元被寻址，在一数值范围内的一个输入信号施加到该被寻址的存储器单元，然后根据对所施加的输入信号值的检测电响应中的不连续性读出该存储器单元的状态。
-
公开(公告)号：CN1535466A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN01815229.5
申请日：2001-07-25
申请人： WM·马什赖斯大学
发明人： 詹姆斯·M·图尔 , 比尔·范·灿特 , 克里斯托弗·赫斯本德 , 萨默·赫斯本德
CPC分类号： H03K19/177 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G06N3/002 , G11C11/36 , G11C13/0014 , G11C13/025 , G11C2213/81 , H01L51/0595
摘要： 提供了一种包含随机纳米网络的可编程分子装置(10)，其中该随机纳米网络包含多个分子电路部件。优选的分子电路部件包含呈现负微分电阻的分子二极管。一种对该分子装置进行编程的方法，可以包含配置该分子部件。配置分子部件可以包含将电压施加至连接到纳米网络的输入和输出引线两端。所述电压可以根据一个用于将该装置编程为用作例如逻辑单元或者存储器单元的自适应算法加以确定。分子计算机可以包含多个由金属线路(14)互连的可编程分子装置(10)。
-
公开(公告)号：CN1365116A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01132966.1
申请日：2001-09-10
申请人： 惠普公司
发明人： J·N·霍甘
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/36 , G11C13/004 , G11C17/06 , G11C2213/72
摘要： 本发明以一种新的存储器单元读出方案(系统和方法)为特征,其使一个存储器单元的状态以更高的精度被加以确定。在一个方面,本发明的特征在于一种存储器单元读出方案,其中一个存储器单元被寻址,在一数值范围内的一个输入信号施加到该被寻址的存储器单元,然后根据对所施加的输入信号值的检测电响应中的不连续性读出该存储器单元的状态。
-
公开(公告)号：CN108766489A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810862722.6
申请日：2018-08-01
申请人： 灿芯半导体(上海)有限公司
IPC分类号： G11C11/36
CPC分类号： G11C11/36
摘要： 本发明公开了一种用于倒装封装的DDR接口，包括靠近芯片内部的主驱动单元，该主驱动单元从左到右或者从右到左依次包括：P型二极管、上拉单元、下拉单元和N型二极管，横向电源RDL从外侧依次横向连接P型二极管和上拉单元，并纵向连接电源焊球；横向地RDL从外侧依次横向连接N型二极管和下拉单元，并纵向连接地焊球；信号RDL纵向穿过上拉单元和下拉单元之间，并纵向连接信号焊球；信号RDL从内侧依次横向连接上拉单元和P型二极管，同时从内侧依次横向连接下拉单元和N型二极管。减少底层非RDL金属线层数。
-
公开(公告)号：CN1979874A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610164063.6
申请日：2006-12-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例性的实施例包含独立的存储器单元、这种存储器单元的阵列、运作该存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN1979873A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610164059.X
申请日：2006-12-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN1764982B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN03826298.3
申请日：2003-03-18
申请人： 株式会社东芝
发明人： 户田春希
IPC分类号： G11C11/34 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C8/08 , G11C11/36 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0042 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
摘要： 本发明的相变存储器装置，具有衬底；在上述衬底上层叠并将分别由相变确定的电阻值作为数据存储的多个存储器单元以矩阵方式排列的多个单元阵列；选择上述多个单元阵列内接近的两个存储器单元作为单元对，使其中一个具有高电阻值，而另一个具有低电阻值状态的写入电路；以及将上述单元对的互补电阻值状态作为1位数据读出的读出电路。
-
公开(公告)号：CN100555639C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610164059.X
申请日：2006-12-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN101084555A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580043866.X
申请日：2005-12-20
申请人： 斯班逊有限公司
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C11/36
摘要： 一种存储阵列(140)包括第一和第二组导体(142)、(144)以及数个存储－二极管(130)，各个存储－二极管顺向连接该第一组导体(BL)(142)和该第二组导体(WL)(144)。在顺向从高电位至低电位施加电位通过选择的存储－二极管(130)，预定编程该选择的存储－二极管(130)。在该预定编程期间，提供该阵列(140)中之各其它存储－二极管(130)在其顺向之通过其中之较其临界电压低的电位。藉由在反向从高电位至低电位施加通过存储－二极管(130)的电位可建立各存储－二极管(130)的临界电压。藉由如此建立足够的临界电压，以及藉由选择施加至该阵列(140)之导体之适当电位，可避免漏电流和干扰等相关问题。
-
公开(公告)号：CN100501977C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610164097.5
申请日：2006-12-07
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C11/36 , B82Y10/00 , G11C8/10 , G11C16/02 , G11C2216/06 , H01L27/1021 , H01L29/8616
摘要： 一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例的实施例包含独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.04 秒)